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[发明专利]再装填原料多晶硅的方法-CN201110455221.4有效
发明人：加藤英生;吉村聡子;二宮武士 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及限制所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。
装填原料多晶方法

[发明专利]降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法-CN201210163138.4有效
发明人：唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法，包括以下顺序步骤：在具有N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的衬底板上沉积一层硬掩膜层，分别形成N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层，对非掺杂多晶硅硬掩膜层进行刻蚀使得其厚度小于N型掺杂多晶硅硬掩膜层。在不同厚度的N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层上沉积一防反射层，对整个器件进行预设定图案进行刻蚀，刻蚀至露出N型掺杂多晶硅为止。去除刻蚀过程留下在器件表面的残留物，后对器件进行刻蚀分别形成N型掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极。
降低掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]一种检测区熔多晶硅生长缺陷的方法-CN202111407651.9在审
发明人：李朋飞;徐岩;邢阳阳;鱼海斌;杨强国;左赛虎;苟帅斌;李晓梅;李强;施航 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测区熔多晶硅生长缺陷的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；从所述多晶硅棒上获取多晶硅片；采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的生长图像，从而检测区熔多晶硅的生长缺陷该实施方式能够解决缺少可以实现检测区熔多晶硅生长缺陷的方法的技术问题。
一种检测多晶生长缺陷方法

[发明专利]多晶硅棒破碎方法及多晶硅棒破碎装置-CN201611009573.6在审
发明人：鲍守珍;郑连基;马龙;高志明;金珍海;王生红;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B02C19/16 文献下载
摘要：发明提供一种多晶硅棒破碎方法及多晶硅棒破碎装置，属于多晶硅技术领域。破碎方法包括将多晶硅棒置于破碎装置中，并将破碎装置的破碎触头与多晶硅棒的表面接触。调整破碎触头的振动频率与多晶硅棒的固有频率一致，在多晶硅棒破碎之前，保持破碎触头始终与多晶硅棒接触。破碎装置中破碎触头连接有驱动装置，驱动装置用于驱动破碎触头沿设定的方向运动以使工作面始终与多晶硅棒接触。调频振动模块与破碎触头连接并用于调节破碎触头的振动频率，检测模块与调频振动模块电连接。通过此破碎装置实施的破碎方法，使多晶硅块大小可控，有效减少碎料和微粉的产生，满足大批量生产的多晶硅的破碎，节省人力，节省时间，提高破碎效率。
多晶破碎方法装置

[发明专利]一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法-CN201610298900.8在审
发明人：陈健;孙继飞;何秋湘;李京伟;班伯源 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。
一种冶金多晶铸锭制备方法

[发明专利]多晶硅电阻结构及其形成方法-CN201310074770.6有效
发明人：廖淼;陈芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻结构及其形成方法，所述多晶硅电阻结构包括基底，位于所述基底上的具有电阻负温度系数的多晶硅电阻，与所述多晶硅电阻两端电连接的金属电极，位于所述多晶硅电阻中间位置表面的具有电阻正温度系数的金属散热结构，且所述金属散热结构与金属电极相隔离，使得温度变化时所述多晶硅电阻结构的总阻值变化幅度降低。由于多晶硅电阻产生的热量可以通过金属散热结构进行散热，有利于降低多晶硅电阻结构工作时温度的变化幅度，从而降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值。且所述具有电阻正温度系数的金属互连结构也可以降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值，也有利于提高多晶硅电阻结构的电阻值的温度稳定性。
多晶电阻结构及其形成方法

[发明专利]一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法-CN201010589424.8有效
发明人：肖志强;张继;吴建伟;徐政 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其包括如下步骤：a、在多晶硅淀积舟的插槽内间隔安装假片，通过离子注入设备对假片进行至少两次多晶硅淀积；b、安装衬底，衬底上生长氧化层；c、离子注入设备对衬底进行多晶硅淀积；d、对多晶硅薄膜层进行离子注入；e、在多晶硅薄膜层涂布光刻胶；f、刻蚀多晶硅薄膜层；g、多晶硅薄膜层进行源漏注入；h、去除光刻胶；i、在上述多晶硅薄膜层上得到金属前介质薄膜；j、对衬底上的多晶硅薄膜层进行退火工艺本发明能改善多晶硅薄膜电阻工艺的工序能力，工艺操作简单，降低加工成本，安全可靠。
一种提高多晶薄膜电阻稳定性方法

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510179852.6有效
发明人：李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成闪存区字线多晶硅层；执行平坦化工艺，以平坦化所述字线多晶硅层；执行热处理工艺以氧化所述字线多晶硅层的表层和多晶硅残渣，形成缓冲层；去除所述缓冲层；执行字线回刻以获得期望高度的多晶硅层。本发明提出的半导体器件的制作方法，在字线回刻之前通过氧化字线多晶硅层的表层形成缓冲层，并且由于在形成缓冲层的过程中，一并将字线多晶硅平坦化中产生的多晶硅残渣氧化，因而可随后通过去除所述缓冲层一并将字线多晶硅平坦化中产生的多晶硅残渣去除，解决目前字线平坦化后容易出现两个字线中间的多晶硅高度较高的问题。
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法-CN201710564625.4有效
发明人：张欣 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。所述适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层
一种适用于尺寸沟槽多晶填充方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201610486009.7有效
发明人：陈永;董天化;吴亮;金岚;包小燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底上形成有层叠设置的第一多晶硅层和介质层，以及围绕所述第一多晶硅层和所述介质层的侧墙；形成复合多晶硅层，所述复合多晶硅层覆盖所述介质层、所述侧墙以及剩余的部分所述半导体衬底，所述侧墙上的所述复合多晶硅层具有至少一个台阶；在所述复合多晶硅层表面形成金属硅化物，本发明中，在半导体衬底上形成复合多晶硅层，侧墙上的复合多晶硅层具有至少一个台阶，使得复合多晶硅层在侧墙处的坡度降低，形成的金属层可以完整的覆盖复合多晶硅层，从而形成完整的金属硅化物，降低复合多晶硅层的电阻，从而提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210947270.8有效
发明人：龙思阳;朱红波;胡良斌;唐斌 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层；对所述多晶硅层的整个表面进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的整个表面产生非晶层以降低所述多晶硅层的表面粗糙度；在所述多晶硅层的上方形成金属插塞，所述金属插塞与所述多晶硅层电连接。所述多晶硅层的表面粗糙度的降低，增大所述金属插塞与所述多晶硅层之间的接触面积，降低了所述金属插塞与所述多晶硅层之间接触电阻。并且，在进行所述多晶硅层的整个表面离子注入时，无需使用光罩和光刻胶作为掩模。进一步的，离子注入中的离子源可以为掺杂离子，也可以为非掺杂离子，非掺杂离子不会影响所述多晶硅层的电导率。
半导体结构形成方法

[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法-CN202010530967.6有效
发明人：刘冲;邹永金;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种分栅快闪存储器及其形成方法，在所述隧穿氧化层上生长多晶硅层并在所述多晶硅层中掺杂；所述多晶硅层的顶部不掺杂，或者，在厚度方向上，所述多晶硅层的顶部的掺杂浓度小于所述多晶硅层的底部的掺杂浓度；刻蚀所述多晶硅层形成字线层。多晶硅层被刻蚀的速率与多晶硅层的掺杂浓度正相关，多晶硅层的顶部不掺杂或者多晶硅层的顶部具有较小的掺杂浓度，如此一来，多晶硅层的顶部具有较低的刻蚀速率，这有利于凹陷高度的提高，从而增大形成字线层的厚度。
分栅快闪存及其形成方法

[发明专利]电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法-CN201710257868.3有效
发明人：朱袁正;叶鹏;刘晶晶 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法，包括有源区、栅极引出区和终端保护区，有源区和栅极引出区设有第一沟槽，终端保护区设有第二沟槽；第一沟槽内设有第一导电多晶硅和第二导电多晶硅，第一导电多晶硅和第二导电多晶硅由第二绝缘氧化层隔离；第二沟槽内淀积有第三导电多晶硅和第四导电多晶硅，第三导电多晶硅和第四导电多晶硅由第二绝缘氧化层隔离；导电多晶硅上方覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置导电多晶硅的接触孔，器件上方设有源极金属和栅极金属，源极金属和栅极金属分别通过接触孔与导电多晶硅欧姆接触
电荷耦合功率 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]电荷耦合功率MOSFET器件-CN201720412542.9有效
发明人：朱袁正;叶鹏;刘晶晶 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电荷耦合功率MOSFET器件，包括有源区、栅极引出区和终端保护区，有源区和栅极引出区设有第一沟槽，终端保护区设有第二沟槽；第一沟槽内设有第一导电多晶硅和第二导电多晶硅，第一导电多晶硅和第二导电多晶硅由第二绝缘氧化层隔离；第二沟槽内淀积有第三导电多晶硅和第四导电多晶硅，第三导电多晶硅和第四导电多晶硅由第二绝缘氧化层隔离；导电多晶硅上方覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置导电多晶硅的接触孔，器件上方设有源极金属和栅极金属，源极金属和栅极金属分别通过接触孔与导电多晶硅欧姆接触
电荷耦合功率 mosfet 器件

[实用新型]一种用于多晶硅生产的破碎筛分磁选系统-CN202222985976.1有效
发明人：王跃强;时梁 -专利权人：四川博利琦自动化设备有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于多晶硅生产的破碎筛分磁选系统，属于多晶硅加工设备技术领域，以解决现有的多晶硅在加工的过程中需要进行多次的转运，在转运的过程中会有大量粉尘产生，也容易对多晶硅造成污染的问题，包括多晶硅破碎机、多级筛分机和多级磁选机，多级筛分机的底端安装有底座，多晶硅先通过多晶硅破碎机3进行破碎作业，然后经过多级筛分机5的筛分，最后经过多级磁选机7进行磁选除杂作业，由此即可得到所需的多晶硅，由此来减少多晶硅在生产过程中出现的转运次数，从而提高生产的效率，通过除尘结构6对生产过程中产生的粉尘进行收集作业，而且也能够防止最终得到的多晶硅中含有粉尘，从而保证多晶硅的质量。
一种用于多晶生产破碎筛分磁选系统