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[发明专利]存储器件和形成存储器件的方法-CN202110126850.6有效
发明人：吕俊颉;杨世海;杨柏峰;林佑明;徐志安;贾汉中;王晨晨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，第一层堆叠件和第二层堆叠件具有相同的层状结构，层状结构包括介电材料，介电材料上方的沟道材料，以及沟道材料上方的源极/漏极材料；形成贯穿第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口；通过用第一介电材料替换由开口所暴露的源极/漏极材料的部分，形成内部间隔件；用铁电材料做开口的侧壁的衬里；通过用导电材料填充开口以形成栅电极；形成穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的凹槽，凹槽从第二层堆叠件的侧壁朝向栅电极延伸
存储器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统-CN202211124454.0在审
发明人：吴林春;李思晢;孔翠翠;张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，包括提供具有横向表面的衬底，在衬底一侧于相对横向表面的纵向上形成堆叠层，堆叠层包括由牺牲层和层间绝缘层交替堆叠的第一堆叠结构、以及由停止层和间隔层交替堆叠的底堆叠结构，堆叠层包括核心区以及台阶区，停止层包括第一停止层和第二停止层，第二停止层位于第一停止层上，在堆叠层的核心区形成纵向延伸的沟道孔，在沟道孔的侧壁内对第一停止层和第二停止层进行氧化处理，其中，对第一停止层进行氧化处理的氧化速率大于第二停止层进行氧化处理的氧化速率
半导体器件及其制备方法存储器存储系统

[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统-CN202210184194.X在审
发明人：谢景涛;颜丙杰;周文犀;王迪;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：三维存储器可例如包括：第一堆叠结构，包括多个第一堆叠层，第一堆叠层包括导电层和层间绝缘层；多个第一接触部，从第一堆叠结构的第一表面穿过部分第一堆叠层并分别延伸至各自预定深度的导电层，以及，虚拟沟道结构，从第一堆叠结构的与第一表面相对的第二表面穿过第一堆叠层并延伸至导电层。本申请的实施方式可为虚拟沟道结构提供刻蚀停止层，提高三维存储器的良率。
三维存储器制备方法存储系统

[发明专利]光学触控结构及其制作方法-CN201210106988.0无效
发明人：杨明辉 -专利权人：旭德科技股份有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明公开一种光学触控结构及其制作方法，光学触控结构包括一透明基材以及一透明光学堆叠层。透明基材具有一上表面。透明光学堆叠层配置于透明基材的上表面上且暴露出部分上表面。透明光学堆叠层是由至少一第一透明光学层与至少一第二透明光学层堆叠而成。第一透明光学层的折射率大于第二透明光学层的折射率。透明光学堆叠层适于让一可见光穿透且具有一粗糙表面。当一红外光入射至透明光学堆叠层时，透明光学堆叠层反射红外光，而粗糙表面散射红外光。
光学结构及其制作方法

[发明专利]转移机构、转移设备-CN202210386851.9有效
发明人：高帆;冯汝森;詹宏 -专利权人：广东隆崎机器人有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B65H3/32 文献下载
摘要：转移机构包括连接结构、抵接件、施力件和第一延伸件，抵接件的外侧设有至少一个横向凸起或横向凹陷，用于与堆叠层的侧端连接；施力件用于带动抵接件使堆叠层的一侧竖直向上移动，以使堆叠层的层间隙增大；第一延伸件与连接结构连接，第一延伸件包括伸入端，伸入端用于伸入增大的层间隙；抵接件能够竖直向上移动，带动堆叠层的一侧向上抬起，使层间隙的一侧增大，使第一延伸件能够顺畅地移动至堆叠层的下部，以实现堆叠层的搬运；抵接件使层间隙增大后，第一延伸件再伸入，降低了堆叠层中的片状物的损伤风险；同时转移机构使堆叠层的抬起、伸入衔接紧凑，提高了搬运的工作效率。
转移机构设备

[发明专利]有机发光显示装置-CN201310552954.9有效
发明人：宋基旭;韩敞旭;崔晎硕;皮性勋;徐正大;吴锡俊;甘润锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种通过用空穴传输层掺杂P型电荷生成层来具有减小的驱动电压和增加的寿命的有机发光显示装置。有机发光显示装置包括彼此相对地布置在基板上的第一电极和第二电极、包括顺序地堆叠在第一电极上的空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层的第一堆叠、包括顺序地堆叠在第一堆叠和第二电极之间的第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层的第二堆叠以及布置在第一堆叠与第二堆叠之间并且包括N型电荷生成层和P型电荷生成层以控制第一堆叠与第二堆叠之间的电荷平衡的电荷生成层。P型电荷生成层掺杂有空穴传输材料，其量为P型电荷生成层的体积的1%至20%。
有机发光显示装置

[实用新型]电子装置和电子封装-CN202220713098.5有效
发明人： M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 -专利权人：埃克斯甘公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子装置，第一高电子迁移率晶体管HEMT晶体管；以及至少一个第二HEMT晶体管，其中第一HEMT晶体管包括第一层堆叠，并且第二HEMT晶体管包括第二层堆叠，在第一层堆叠和第二层堆叠之间插入有绝缘层，第一层堆叠和第二层堆叠从绝缘层分别朝向电子装置的第一侧和第二侧延伸；其中第一层堆叠和第二层堆叠中的每个层堆叠包括从所述绝缘层起的势垒层和沟道层；以及其中第一HEMT晶体管包括第一源极电极和第一栅极电极
电子装置封装

[发明专利]一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板-CN201110154868.3有效
发明人：钟升;王艳玲;段惠玲;周煦林 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LTCC基板的多芯片堆叠的提参测试板，包括基板、设置在基板上的第一组芯片堆叠模块、第二组芯片堆叠模块、第三组芯片堆叠模块和第四组芯片堆叠模块；所述基板、第一层堆叠芯片、第二层堆叠芯片、第三层堆叠芯片和第四层堆叠芯片相互之间通过键合线连接。本提参测试板，突破了传统的LTCC提参测试板的方案，增加了多芯片堆叠的层数和复杂度，完善了LTCC提参测试板可测试提取的模型种类，验证了创新的多芯片堆叠的工艺水平，特别是对高复杂度多芯片堆叠设计与制造，
一种基于 ltcc 芯片堆叠测试

[发明专利]应变堆叠的纳米片FET和/或量子阱堆叠的纳米片-CN201610245093.3有效
发明人：豪尔赫·A·基特;博尔纳·J·奥布拉多维奇;罗伯特·C·鲍文;马克·S·罗德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：示例性实施例提供用于制造具有一个或更多个子堆叠件的纳米片堆叠结构。示例性实施例的方面包括：生长一个或更多个子堆叠件的外延晶体初始堆叠件，子堆叠件中的每个具有至少三个层，牺牲层A和具有不同的材料性质的至少两个不同的非牺牲层B和C；继续进行纳米片器件的制造流程，从而在外延晶体堆叠件的每个端部处形成柱结构，所述柱结构用于在选择性蚀刻牺牲层之后将纳米片保持在适当的位置；相对于所有的非牺牲层B和C选择性地去除牺牲层A，同时堆叠件中的保留的层通过柱结构保持在适当的位置，使得在去除牺牲层A之后，子堆叠件中的每个包含非牺牲层
应变堆叠纳米 fet 量子

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010495600.5有效
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;刘金彪;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。这样，源漏之间存在纵向的沟道层，沟道层的长度与膜层的厚度相关，无需高成本高精度的刻蚀，因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件，此外，能够提供多样化的器件结构，更能满足用户需求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010494868.7有效
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;刘金彪;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。这样，源漏之间存在纵向的沟道层，沟道层的长度与膜层的厚度相关，无需高成本高精度的刻蚀，因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件，此外，能够提供多样化的器件结构，更能满足用户需求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储器件及其形成方法-CN202110303314.9在审
发明人：吴昭谊;贾汉中;林佑明;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：该存储器件包括位于衬底上的第一层和位于第一层上的第二层。第一层包括第一层堆叠件；穿过第一层堆叠件的第一栅电极；第一层堆叠件和第一栅电极之间的第一沟道层；以及第一沟道层和第一栅电极之间的第一铁电层。第二层包括第二层堆叠件；穿过第二层堆叠件的第二栅电极；第二层堆叠件和第二栅电极之间的第二沟道层；以及第二沟道层和第二栅电极之间的第二铁电层。
存储器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202280001064.6在审
发明人：张坤;刘磊;杨涛;吴林春;周文犀;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在某些方面，堆叠结构包括交错的电介质层和导电层、在堆叠结构中延伸的沟道结构、以及布置在堆叠结构上的掺杂半导体层。掺杂半导体层覆盖堆叠结构和沟道结构的端部，沟道结构包括沟道层，且沟道层包括掺杂沟道层。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法-CN202080081622.5在审
发明人：大津良孝;冈部贤一郎;新井高志;寺原真典;金泽纯平 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠、竖直地延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构、竖直地延伸穿过该交替堆叠的穿孔介电壕沟结构和被该穿孔介电壕沟结构横向包围且竖直地延伸穿过该交替堆叠内的每个绝缘层的互连通孔结构该存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括竖直半导体沟道和位于该导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。该穿孔介电壕沟结构包括在该绝缘层的每个层级处的多个横向开口并且不包括在该导电层的层级处的任何开口。互连通孔结构可被该穿孔介电壕沟结构横向包围并且可竖直地延伸穿过该交替堆叠内的每个绝缘层。
具有穿孔壕沟结构包围三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法-CN201310204693.1无效
发明人：吴明昊;白越;吴华强;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提出一种超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，包括以下步骤：提供第一堆叠材料层；将第一堆叠材料层的部分氧化形成第一氧化层；在第一氧化层之上形成第二堆叠材料层；进行快速热退火处理，在第一氧化层与第二堆叠材料层的接触界面形成第二氧化层
超薄混合氧化堆叠结构形成方法

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