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[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器-CN202211078863.1在审
发明人：张坤;吴双双;吴林春;周文犀;张中;谢景涛;韩玉辉;王迪;顾妍 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决相关技术中三维存储器存储容量较小的问题。半导体结构包括堆叠结构和栅线缝隙结构，栅线缝隙结构包括第一分隔结构和第二分隔结构；第一分隔结构包括第一部分，第一部分与第二分隔结构相连；第二分隔结构沿第一方向的宽度大于第一部分沿第一方向的宽度。在去除第二分隔结构周围的牺牲层时，有利于减少由第二区流向第一区的刻蚀液，进而避免刻蚀到位于第一区的沟道结构处，减小过渡区的延伸长度，提高半导体结构的存储容量。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法三维存储器

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202210563236.0在审
发明人：颜丙杰;谢景涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括：在衬底一侧交替堆叠绝缘层和栅极层形成叠层结构，叠层结构包括存储区域和包括多个台阶的台阶区域，其中，栅极层在每个台阶中覆盖绝缘层并被暴露；对暴露的栅极层进行离子注入，形成栅极牺牲层，其中，栅极牺牲层与栅极层具有不同的刻蚀选择比；以及形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅线缝隙，并经由栅线缝隙至少将栅极牺牲层替换为金属层。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]半导体结构、制备方法、器件、系统以及存储设备-CN202210607011.0在审
发明人：顾妍;王迪;谢景涛;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构、制备方法、器件、系统以及存储设备。制备半导体结构的方法包括：形成电介质层和栅极牺牲层依次堆叠的叠层结构，其中，所述叠层结构包括存储阵列区和外围区；形成沿所述堆叠的方向贯穿所述叠层结构的栅线缝隙、外围接触孔和/或密封沟槽，其中，所述栅线缝隙形成于所述存储阵列区，所述外围接触孔和所述密封沟槽形成于所述外围区；以及形成位于所述存储阵列区的多个自对准接触孔，所述多个自对准接触孔在所述叠层结构内分别延伸至堆叠层数不同的栅极牺牲层。
半导体结构制备方法器件系统以及存储设备

[发明专利]三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统-CN202210563009.8在审
发明人：颜丙杰;谢景涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统，包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括多个栅极牺牲层和多个层间绝缘层，栅极牺牲层和层间绝缘层在第一方向上交替层叠设置，多个栅极牺牲层包括选择栅极牺牲层和存储栅极牺牲层；形成在第一方向上贯穿堆叠结构的沟道结构，沟道结构包括电荷捕获层和围绕电荷捕获层的电荷阻挡层；去除选择栅极牺牲层，并至少去除对应于选择栅极牺牲层位置的电荷阻挡层和电荷捕获层，以形成选择栅极间隙；在选择栅极间隙中形成选择栅极层，从而能够改善三维存储器中选择晶体管的性能，以提高三维存储器的整体性能。
三维存储结构及其制作方法存储器存储系统

[实用新型]一种传统手工艺木片雕刻万向除尘环保设备-CN202121641370.5有效
发明人：陈慧杰;熊茂华;丁琼;谢景涛;张安 -专利权人：玉林师范学院
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B27G3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种传统手工艺木片雕刻万向除尘环保设备，包括工作台、雕刻台和集尘室，雕刻台安装在工作台上端，集尘室安装在工作台下端，所述工作台包括主体，所述主体上端正面和右侧分别安装有正面挡板和侧面挡板，所述正面挡板上设置有照明灯，所述主体上端左侧安装有吹风组件，且主体上端右侧安装有控制板；所述集尘室包括外壳，所述外壳内部上端安装有水箱，所述外壳内部下端安装有收集盒，所述水箱右侧安装有压缩机，所述水箱下端安装有喷雾器。本实用新型，通过吹风组件将木屑吹入集尘室内，通过喷雾器对其进行加湿，防止木屑飞溅，灵活性好，除尘效果好。
一种传统手工艺木片雕刻万向除尘环保设备

[发明专利]三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统-CN202210552483.0在审
发明人： 谢景涛;颜丙杰;顾妍;王迪;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统。该制作方法包括：提供衬底，衬底上的堆叠体包括沿远离衬底的方向交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层，堆叠体的至少一端具有台阶结构，台阶结构远离衬底的一侧具有多个第一台阶面，每层牺牲层具有远离衬底的第一表面，第一台阶面一一对应地位于第一表面中；在堆叠体中除台阶结构以外的区域形成贯穿至衬底的沟道阵列，并形成穿过各第一台阶面至衬底的伪沟道孔；在伪沟道孔的底部形成支撑层，伪沟道孔中除支撑层之外的区域构成接触孔，各接触孔分别贯穿一层牺牲层；将牺牲层置换为控制栅结构，以及在接触孔中形成导电通道，以使控制栅结构与导电通道电连接。上述方法降低了工艺难度。
三维存储器制作方法具有存储系统

[发明专利]制造三维存储器的方法及三维存储器、存储器系统-CN202210304507.0在审
发明人： 谢景涛;颜丙杰;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本申请的实施方式提供了一种制造三维存储器的方法以及三维存储器、存储器系统。该方法包括：在衬底形成叠层结构，以及形成贯穿叠层结构并延伸至衬底中的多个沟道孔；在各个沟道孔的底部形成多个外延层；在外延层的远离衬底的表面以及沿着沟道孔的内壁依次形成功能层与沟道层；去除衬底与外延层；去除部分功能层，以暴露沟道层；以及在叠层结构的靠近所暴露的部分沟道层的一侧，形成与沟道层接触的半导体层。
制造三维存储器方法系统

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202210329252.3在审
发明人： 谢景涛;王迪;周文犀;吴林春 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在叠层结构上形成预设孔，其中，所述叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层，所述预设孔延伸至对应牺牲层并将所述对应牺牲层的一部分暴露；在所述预设孔内形成与所述牺牲层的暴露部分连接的预设层；去除所述预设层和所述牺牲层的至少部分形成空隙；以及在所述空隙中填充导电材料，形成彼此连接的导电层和栅极层。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储器系统-CN202210320775.1在审
发明人：颜丙杰;谢景涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的复合绝缘层和栅极牺牲层的叠层结构，其中，复合绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层、以及位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的绝缘间隙层；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅线缝隙；经由栅线缝隙，对叠层结构进行刻蚀，去除栅极牺牲层形成栅极间隙；以及对栅极间隙进行填充形成栅极。
三维存储器及其制备方法系统

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202210263841.6在审
发明人： 谢景涛;王迪;周文犀;颜丙杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成底部选择栅结构；形成贯穿所述底部选择栅结构并延伸至所述衬底的虚拟沟道底部开口；在所述虚拟沟道底部开口中形成虚拟沟道底部结构；在所述底部选择栅结构上形成堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述虚拟沟道底部结构的虚拟沟道上部开口；以及基于所述虚拟沟道上部开口以及所述虚拟沟道底部结构形成虚拟沟道结构。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统-CN202210184194.X在审
发明人： 谢景涛;颜丙杰;周文犀;王迪;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请的实施方式提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统。三维存储器可例如包括：第一堆叠结构，包括多个第一堆叠层，第一堆叠层包括导电层和层间绝缘层；多个第一接触部，从第一堆叠结构的第一表面穿过部分第一堆叠层并分别延伸至各自预定深度的导电层，以及，虚拟沟道结构，从第一堆叠结构的与第一表面相对的第二表面穿过第一堆叠层并延伸至导电层。本申请的实施方式可为虚拟沟道结构提供刻蚀停止层，提高三维存储器的良率。
三维存储器制备方法存储系统

[发明专利]晶体管及其制备方法-CN202210123979.6在审
发明人：颜丙杰;谢景涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体管及其制备方法。制备晶体管的方法包括：去除半导体层的一部分形成鳍结构；使所述鳍结构的表层形成第一闸绝缘层；对所述第一闸绝缘层进行处理，使其转化为第二闸绝缘层，其中，所述第二闸绝缘层的介电常数高于所述第一闸绝缘层的介电常数；以及在所述第二闸绝缘层的靠近所述鳍结构的一侧形成第三闸绝缘层。
晶体管及其制备方法

[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法以及三维存储器系统-CN202210107315.0在审
发明人：刘志斌;王迪;谢景涛;顾妍;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器、三维存储器的制备方法以及三维存储器系统。制备三维存储器的方法包括：在衬底上交替堆叠电介质层和牺牲层形成堆叠结构；去除所述牺牲层的至少一部分形成间隙，并在所述间隙内填充栅极层；在所述堆叠结构的远离所述衬底的一侧形成预设孔，其中，所述预设孔的至少一部分与所述栅极层接触；在所述预设孔内形成与所述栅极层连接的第一导电层，并在所述预设孔的剩余空间内形成填充层；以及在所述填充层的远离所述衬底的一侧形成与所述第一导电层相连的第四导电层。
三维存储器制备方法以及系统

[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统-CN202210139283.2在审
发明人：颜丙杰;谢景涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统。该制作方法包括：形成衬底、堆叠结构以及多个沟道孔，堆叠结构位于衬底的表面上，堆叠结构包括沿远离衬底方向间隔设置的绝缘介质层，相邻的两个绝缘介质层之间形成凹槽，各沟道孔间隔地位于堆叠结构中且分别贯穿至衬底；在各沟道孔的裸露外壁上形成第一介质层，第一介质层连接至少三个相邻的沟道孔，并在连接的至少三个相邻的沟道孔之间形成空洞；在形成有第一介质层的各凹槽中填充金属材料，形成多个金属层。该方法中，金属材料中的F离子被第一介质层阻挡，缓解了现有技术中CH尺寸较大的地方较易发生F扩散引起的CH的电介质损伤，影响器件的电性能的问题。
半导体器件制作方法以及存储系统

[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储器系统-CN202210057573.2在审
发明人： 谢景涛;颜丙杰;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储器系统。制备方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和栅极牺牲层的第一叠层结构；形成穿过至少一个栅极牺牲层的顶部选择栅切口，并在顶部选择栅切口内形成第一牺牲层；去除第一牺牲层，以及去除栅极牺牲层以形成牺牲间隙，在牺牲间隙内形成栅极导电层。本申请提供的三维存储器及其制备方法、存储器系统可控性强，可减少对栅极导电层的影响，避免增大栅极导电层的负载，而且能够解决常规制备方法中顶部选择栅切口先形成工艺中使相邻的顶部选择栅切口之间的栅极牺牲层无法替换为栅极导电层的问题。
三维存储器及其制备方法系统

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