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[发明专利]新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管-CN201710421615.5在审
发明人：孙向东;谈益民 -专利权人：无锡罗姆半导体科技有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有集电极区，集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于第一基极区P++下方的第二基极区P‑，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层本发明的新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管制造成本低
新型截止阳极短路绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]高密度自路由金属氧化物金属电容器-CN201911223913.9在审
发明人：陈宝箴;L·D·费尔南多;M·G·欧哈罗兰;A·W·肖 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：用于集成电路的自路由电容器，具有：包括第一基极区域和第一指状物的第一电极，第一指状物从第一基极区域的壁沿第一方向延伸；包括第二基极区域和第二指状物的第二电极，第二指状物从第二基极区域的壁沿基本上平行于第一方向并与第一方向相反的第二方向延伸，第二指状物耦合到第一指状物；包括第三基极区域和第三指状物的第三电极，第三指状物从第二基极的第一壁沿第二方向延伸；和包括第四指状物的第四电极，第四指状物从第三基极区域的第二壁沿第一方向延伸。电容器通过电极的基极区域耦合到其他金属层。
高密度路由金属氧化物电容器

[发明专利]具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管-CN200910009837.1有效
发明人：小山雅纪;冈部好文;浅井诚;藤井岳志;吉川功 -专利权人：株式会社电装;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。
具有绝缘半导体元件半导体器件双极晶体管

[发明专利]双极型晶体管模型及相应的参数提取方法-CN201310156240.6有效
发明人：范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。
双极型晶体管模型相应参数提取方法

[发明专利]天线用线圈设备-CN201410228238.X有效
发明人：马原繁 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01Q7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种天线用线圈设备(100)，其具有接线器部(10)，该接线器部(10)与外部电路的接线器以能自由地安装或拔下的形态，插入安装在一起；以及基极部(30)，该基极部(30)上设置有包含线圈(42)的天线体(40)；其特征为，接线器部(10)与基极部(30)被分别构成为不同的部件，且一体地组装在一起来使用；在接线器部(10)以及基极部(30)中，在与接线器部(10)的插入方向相交叉的方向上还形成有接线器嵌合部(12)以及基极嵌合部(32)，该接线器嵌合部(12)以及基极嵌合部(32)是以凸凹形态来形成的；通过使接线器嵌合部(12)与基极嵌合部(32)嵌合在一起，从而以天线体(40)相对于接线器部(10)定位的形态来把接线器部(10)和基极部(30)组装在一起。
天线线圈设备

[发明专利]利用基极偏压的电平转换器-CN02150000.2无效
发明人：柯明道;龚文侠;戴亚翔 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2002-11-06 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平转换器，是用于薄膜晶体管液晶显示器，包含：一转换电路，用以将一输入电压电平转换成一输出电压电平，包含：一第一晶体管，包含一源极、一漏极、一栅极及一基极；以及一第二晶体管，包含一源极、一漏极、一栅极及一基极；一第一偏压电路，用以对该第一晶体管的该基极偏压，包含一输入端及一输出端；以及一第二偏压电路，用以对该第二晶体管的该基极偏压，包含一输入端及一输出端；该第一偏压电路的该输出端连接于该第一晶体管的该基极，该第二偏压电路的该输出端连接于该第二晶体管的该基极。基极偏压电路，用来对输入端晶体管的基极进行偏压，藉以调整输入端晶体管的临界电压，以达到高速、省电及低电压输入的目的。
利用基极偏压电平转换器

[实用新型]三极管-CN202223290214.6有效
发明人：黄仁耀;高谷信一郎;邹道华;李广祎 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三极管，所述三极管包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的集电层电极和基极，所述基极包括基极层和位于所述基极层上的基极电极；俯视方向上所述集电层电极位于所述基极外侧且是连续的；所述基极在俯视方向上具有相互垂直的第一基础边和第二基础边，所述第一基础边外侧的所述集电层电极平行于所述第一基础边，所述第二基础边外侧的所述集电层电极平行于所述第二基础边；所述基极在俯视方向上还具有第一调整边
三极管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201280033829.0有效
发明人： M.安登纳;M.拉希莫;C.科瓦斯塞;A.科普塔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT，其具有发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间的层，包括：集电极侧(15)上的集电极层(9)，漂移层(8)，第二传导率类型的基极层(4)，第一源区(7)，其在基极层(4)上朝发射极侧(11)设置，沟槽栅电极(3)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，阱(5)，其设置在基极层(4)的侧面，并且比基极层(4)更深地延伸到漂移层(8)中，增强层(6)，其围绕基极层(4)，使得增强层(6)将基极层(4)与漂移层(8)和阱(5)完全分隔，作为对发射极电极(2)的补充的导电层(32)，其覆盖阱(5)，其中导电层
绝缘双极晶体管

[发明专利]光学倾斜电荷装置及方法-CN201280055790.2无效
发明人：加布里埃尔·沃尔特 -专利权人：量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于以经改进效率产生光学信号的方法，所述方法包含以下步骤：提供层式半导体结构，所述层式半导体结构包含衬底、第一导电类型的半导体集电极区域、安置于所述集电极区域上的第二导电类型的半导体基极区域及安置为所述基极区域的表面的一部分上方的台面的所述第一半导体类型的半导体射极区域；在所述基极区域中提供展现量子大小效应的至少一个区域；提供分别与所述集电极区域、所述基极区域及所述射极区域耦合的集电极电极、基极电极及射极电极；在所述基极区域的所述表面的至少所暴露部分上方提供穿隧势垒层；及相对于所述集电极电极、所述基极电极及所述射极电极而施加信号以从所述基极区域产生光学信号。
光学倾斜电荷装置方法

[发明专利]用于生产双极晶体管的方法-CN200480001540.6无效
发明人：约瑟夫·伯克;托马斯·梅斯特;赖因哈德·施滕格尔;赫伯特·舍费尔 -专利权人：印芬龙科技股份有限公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产双极晶体管的方法；包括如下步骤：提供具有埋入其中的第一导电类型(n)的集电极区域(25)的半导体衬底(1)，所述集电极区域朝向顶部是裸露的；设置单晶基极基区域(30；32；120)；在基极区域(30；32、34；120、130)之上设置第二导电类型(p)的基极连接区域(40；160)；在基极连接区域(40；160)之上设置绝缘区域(35；35″；170)；在绝缘区域(35；35″；170)和基极连接区域(40；160)中形成窗(F)，以至少部分暴露基极区域(30；32、34；120、130)；为了绝缘基极连接区域(40；160)，在窗中设置绝缘侧壁隔离层(55′；80；180)；不同地淀积发射极层(60a、60b)并使其形成图案，发射极层在基极区域(30；32、34；120、130)之上形成单晶发射极区域(60a)并且在第一绝缘区域(35；35″；170)和第一侧壁隔离层(55
用于生产双极晶体管方法

[发明专利]发光半导体方法和装置-CN201080016839.4无效
发明人：加布里埃尔·沃尔特;米尔顿·冯;尼克·小霍伦亚克;田汉威;吴曹新 -专利权人：伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：一种用于以改善的效率从两端子半导体装置产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供分层的半导体结构，所述半导体结构包含：半导体漏极区，其包括至少一个漏极层；半导体基极区，其安置于所述漏极区上且包含至少一个基极层；以及半导体射极区，其安置于所述基极区的一部分上且包括包含至少一个射极层的射极台面；在所述基极区中提供至少一个展现量子大小效应的区；提供具有位于所述基极区的暴露表面上的第一部分和与所述漏极区耦合的又一部分的基极/漏极电极，且在所述射极区的表面上提供射极电极；相对于所述基极/漏极和射极电极施加信号以从所述基极区获得光发射；以及配置所述基极/漏极和射极电极以获得位于其间的区中的电压分布的大体均匀性。
发光半导体方法装置

[实用新型]功率PMOS管驱动电路及用于三相电机的驱动电路-CN201922355377.X有效
发明人：潘军;胥锐;郭灿;冉建桥;王敬 -专利权人：重庆中科芯亿达电子有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H02P25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了功率PMOS管驱动电路及用于三相电机的驱动电路，包括：电阻R1、R2、R3、R4，NPN型三极管T1、T2、T4、T5，PNP型三极管T3，二极管D1、D2；T1基极通过R1连接到输入端，发射极接地，集电极连接到T3的基极；R2一端连接到T1基极，一端接地；T3的发射极连接到T5集电极，集电极连接到T5基极；T5发射极接地，基极通过R4接地；T2集电极连接到VCC，基极通过R3连接到VCC，发射极连接到T4基极；D1正极连接到T2基极，负极连接到T3基极；D2正极连接到T2发射极，负极连接到T3基极；T4集电极连接到VCC，发射极与T3的发射极连接并作为输出端。
功率 pmos 驱动电路用于三相电机

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279237.9在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于单晶硅的材料；内基极，其位于发射极区下方并且包括半导体材料；以及外基极，其围绕发射极并且位于内基极上方。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN201080049791.7有效
发明人： W·A·拉尼;A·D·贝因;D·F·鲍尔斯;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：一种双极晶体管，其包括发射极区(50)、基极区(40)和集电极区(20)以及与该基极区(40)间隔开并环绕该基极区(40)的保护区(200)。可以通过使用同掺杂掩模来形成该基极区(40)和该保护区(200)，在晶体管工作时，该保护区(200)可以用于扩展耗尽层。
双极晶体管

[发明专利]一种降低CMOS瞬态功耗的电路-CN201010127286.1有效
发明人：丁晟;宋志棠;陈后鹏 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路，包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路，所述PMOS晶体管的源极接入电源电平；在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间，接入一个隔离器件，使得该基极与电源端隔离。同时对该基极增加稳压器件，使得该基极电压值保持一定范围内的恒定。由此，在门电路输入信号进行切换的过程中，不会引起由电源经过基极到输入端的馈通电流，从而降低了CMOS集成电路的瞬态功耗，又由于存在稳压器件，保证了基极电位始终不变，不会影响逻辑门电路操作。
一种降低 cmos 瞬态功耗电路