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[发明专利]磁记录介质-CN201010234468.9无效
发明人：佐山淳一;根本广明;井手浩;片冈弘康;高桥伸幸;岛津武仁;北上修;冈本聪;青井基 -专利权人：株式会社日立制作所;富士电机电子技术株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。
记录介质

[发明专利]磁性薄膜及其制造方法和使用其的各种应用装置-CN200910252056.5无效
发明人：岛津武仁;佐藤英夫;北上修;冈本聪;青井基;片冈弘康 -专利权人：国立大学法人东北大学;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明涉及磁性薄膜及其制造方法和使用其的各种应用装置。本发明涉及含有其中原子有序排列的L11型Co-Pt-C合金的磁性薄膜，能够实现关于L11型Co-Pt-C合金的优良有序度，以获得磁性薄膜的优良磁各向异性。因此，在使用该磁性薄膜的各种应用装置中，可以高水平地获得其大容量化和/或高密度化。
磁性薄膜及其制造方法使用各种应用装置

[发明专利]开关电源装置、开关电源控制电路和开关电源装置的控制方法-CN200910168718.0有效
发明人：陈建;园部孝二 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供开关电源装置、开关电源控制电路和开关电源装置的控制方法，能够在任意一种动作模式中都防止电流的逆流，实现稳定的同步整流功能。在最大导通宽度控制电路(4)中，与一次侧的MOSFET的导通时刻同步对于作为同步整流元件的MOSFETQs指示最大导通宽度的开始，并且生成在规定时间后指示最大导通宽度的结束的最大导通宽度结束信号(Tmot2)。在同步控制电路(5)中，当生成Qs的同步驱动信号(Vgs)时，使Qs导通的时刻，与指示最大导通宽度的开始的时刻、或者通过Qs的漏极·源极间电压(Vds)检测的内置二极管Ds的导通时刻的任意一个较迟的时刻同步而确定，使Qs关断的时刻，与一次侧的MOSFET的关断时刻、或者指示最大导通宽度的结束的时刻的任意一个较早的时刻同步而确定。
开关电源装置控制电路控制方法

[发明专利]垂直磁记录介质-CN200880012609.3有效
发明人：佐藤启;竹野入俊司;酒井泰志 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：提供一种垂直磁记录介质，能够在不减损热稳定性的情况下更容易地在该介质上执行记录。该垂直磁记录介质中，在非磁性基体(1)上按顺序至少层积软磁性背衬层(2)、底层(3)和磁性记录层。该磁性记录层至少具有第一磁性记录层(5)、第二磁性记录层(7)和第三磁性记录层(8)。在第一磁性记录层(5)和第二磁性记录层(7)之间形成耦合层(6)。中间夹有耦合层(6)的第一磁性记录层(5)和第二磁性记录层(7)铁磁耦合并且具有粒状结构。第一磁性记录层(5)、第二磁性记录层(7)和第三磁性记录层(8)在垂直于该非磁性基体表面的方向上具有易磁化轴。
垂直记录介质

[发明专利]磁性薄膜及其成膜方法以及磁性薄膜的应用装置-CN200910152089.2有效
发明人：岛津武仁;佐藤英夫;北上修;冈本聪;青井基;片冈弘康 -专利权人：国立大学法人东北大学;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L1₁型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
磁性薄膜及其方法以及应用装置

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200910161180.0有效
发明人：山口一哉 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种包括沟槽形成工艺的半导体器件制造方法，其中沟槽用具有高结晶度的外延层掩埋，同时掩模氧化膜保持未去除。在n型硅衬底的表面上形成n型半导体，且在n型半导体的表面上形成掩模氧化膜和掩模氮化膜(掩模层叠膜)。接着，通过光刻和蚀刻使得掩模层叠膜形成开口，且在硅衬底中形成沟槽。然后，使余下的掩模层叠膜的宽度变窄，藉此使n型半导体的靠近沟槽的开口末端的部分(第二暴露部分)暴露。在此状态下，沟槽用p型半导体掩埋，藉此防止掩模层叠膜的表面被p型半导体覆盖。而且，从n型半导体的第二暴露部分生长p型半导体，藉此防止在p型半导体的表面上形成V形凹槽。
半导体器件制造方法

[发明专利]功率半导体模块及其制造方法-CN200910140303.2有效
发明人：井川修;望月英司;早乙女全纪;有川典男 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中，引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6)，其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而能够高效率得到功率半导体模块。此外，因为不是用引线接合来进行连接，所以可以确保足够的电流容量。此外，在功率半导体模块(1)的制造过程中，不进行引线接合，而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此，能够使其安装时间缩短到非常短，从而能够高效率地制造功率半导体模块。
功率半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910145568.1无效
发明人：両角朗 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：绝缘衬底；安装在绝缘衬底的第一主表面上的至少一个半导体元件；以及散热器，该散热器通过焊料构件结合到绝缘衬底的与其上安装有半导体器件的第一主表面相反的第二主表面，其中：该焊料构件包含至少锡和锑；并且焊料构件的锑含量在大于等于7％重量且小于等于15％重量的范围内。因而，半导体器件的可靠性得到改进。
半导体器件

[发明专利]开关电源-CN200910138680.2有效
发明人：西川幸广 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提供一种开关电源，抑制开关电源中特别是开关频率的增加，使变换效率提高。作为形成开关电源的开关元件(Q1、Q2)的开关控制控制电路，设置：将直流输出电压控制在一定的设定值的误差放大部；用于根据该误差放大部的输出信号控制开关频率的振荡电路；根据输出信号，按照使元件(Q1、Q2)的接通时间彼此相等的方式进行脉冲宽度控制的脉冲宽度控制部PWM等，在输出信号为阈值电平以上时，基于振荡电路(VCO)的输出控制元件(Q1、Q2)的开关，在输出信号低于阈值电平时，将开关频率固定，并基于脉冲宽度限制部(PWM)的输出控制元件(Q1、Q2)的开关。
开关电源

[发明专利]交流马达驱动电路以及电动车辆驱动电路-CN200910141425.3有效
发明人：岩堀道雄;鹢头政和 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：本发明为交流马达驱动电路以及电动车辆驱动电路。在交流马达驱动电路中，电流源整流器2被设置在交流发电机2的输出侧，并且交流马达4通过电压源逆变器3连接到电流源整流器2的输出侧。除此之外，多个双向开关6各自的端子之一连接到电压源逆变器3的其自身相应的输出端，多个双向开关6的其它端子集总在一起以连接到蓄电池5的端子之一，并且蓄电池5的另一端子连接到电压源逆变器3的直流输入端之一。这消除对先前必需的DC链路上的大电容器以及斩波器中的电抗器的需要，藉此交流马达驱动电路被小型化。
交流马达驱动电路以及电动车辆

[发明专利]用于控制开关电源的半导体器件-CN200910138504.9有效
发明人：藤井优孝 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于控制开关电源的半导体器件。其中，端子VH用作使电流涌入启动电路的电流流入端，并且还用作用于从分压电阻器的结点提取抽头电压并将该抽头电压施加到欠压检测比较器的正端的电压检测端。欠压检测比较器将施加到正端的抽头电压与基准电压进行比较。当在启动电路被停止的条件下基准电压高于结点上的抽头电压时，欠压检测被启用。被逻辑合成电路合成并被延迟电路延迟了预定时间的逻辑被输入驱动器控制电路，以抑制高速脉冲信号从PWM比较器输出。
用于控制开关电源半导体器件

[发明专利]双方向元件及其制造方法-CN200910136307.3有效
发明人：北村睦美;藤岛直人 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供双方向元件及其制造方法，该元件具有：基于沟槽的第一、二分割区；沟槽底面形成的第一导电型第一区；第一、二分割区中形成的、与沟槽侧壁和第一区连接的第二导电型第二、三区；在第一、二分割区与沟槽侧壁连接且分别与第二、三区连接形成的第一导电型第四、五区；在第一分割区的沟槽侧壁上从第一区至第四区形成的第一控制电极和从第一区至第五区形成的第二控制电极；在第四、五区上分别形成的第一、二主电极；在第一、二区之间与第一、三区之间具有杂质浓度比第一区低的第六区，在每一控制电极的内侧具有经层间绝缘膜到达第一区的导电体，具有在沟槽底面形成的、与第二、三区连接的第二导电型第七区，导电体通过层间绝缘膜到达第七区。
双方元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910129118.3有效
发明人：谷口春隆;池田良成 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，其目的是提高半导体装置的可靠性和制造成品率。准备第一电极和第二电极通过绝缘层被分离的半导体元件，在金属箔上配置焊接材料，在焊接材料上以第三电极与其接触的方式载置半导体元件。此外，使片状的焊接材料与半导体元件的第一电极和第二电极相对，使柱电极的下端隔着焊接材料与第一电极上表面和第二电极上表面相对。而且，使焊接材料隔着绝缘层分离，通过焊接材料使第一电极与柱电极接合，并且通过焊接材料使第二电极与柱电极接合。此外，通过焊接材料使第三电极与金属箔接合。由此，能够提高半导体装置的可靠性和制造成品率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910138719.0有效
发明人：吉川功;山崎智幸;小野泽勇一 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N^-漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P⁺阳极区26以及位于P⁺阳极区26中的N⁺阴极区27构成，以使得温度检测二极管22通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25和P⁺阳极区26短路以阻止由寄生晶闸管引起的闩锁击穿。温度检测二极管22′位于N^-漂移层23′的第一主表面中的第一P阱24b′中的N阱25′中。主要半导体元件位于N^-漂移层23′中。温度检测二极管22′通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b′具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25′的一侧被具有比第一P阱24b′浓度高的P⁺高浓度区28′围绕，以使得横向npn晶体管的激活能够被抑制。结果，可以提供一种装备有主要半导体元件和温度检测元件的半导体器件，其中：温度检测元件的温度特性能够与主要半导体元件的元件状态无关而保持不变；能够获得高闩锁容限；以及获得高温度检测精度。
半导体器件

[发明专利]图案化磁记录介质的制造方法-CN200910006814.5无效
发明人：梶原里美;庄子习一;水野润;篠原秀敏 -专利权人： 富士电机电子技术株式会社;学校法人早稻田大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化的磁记录介质的制造方法，包括不使磁性层(3)的磁特性劣化地彻底剥离磁性层(3)上的刻蚀抗蚀剂的工序，刻蚀抗蚀剂是在磁性层(3)的刻蚀中使用的。其特征在于，在磁性层(3)的刻蚀中所使用的刻蚀抗蚀剂的剥离工序包括下述工序：在减压下，向此磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂照射受激准分子VUV激光的工序；以及将残留在磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂覆膜(5)浸渍到抗蚀剂剥离剂溶液中并清洗去除的工序。
图案记录介质制造方法

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