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[发明专利]具有主动衬底偏置的双向开关-CN202210004256.4在审
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及具有主动衬底偏置的双向开关，揭示用于双向开关的结构及形成这样结构的方法。衬底接触件形成在衬底中所定义的沟槽中。衬底包含沟槽以及沟槽中的衬底接触件。在衬底上的双向开关包含第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、第一源极/漏极电极与第二源极/漏极电极间的延伸区、及栅极结构。在衬底上的衬底偏置开关包含栅极结构、耦接到第一衬底接触件的第一源极/漏极电极、耦接到双向开关的第一源极/漏极电极的第二源极/漏极电极、及横向地位于栅极结构与第一源极/漏极区间的延伸区。
具有主动衬底偏置双向开关

[发明专利]垂直双极结型晶体管及其制造方法-CN201410736093.4有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特;方演燮;赵城敏;金胄浩 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直双极结型晶体管及其制造方法。所述垂直双极结型晶体管包括：高浓度掺杂区发射极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区集电极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区基极引出端，设置在发射极引出端和集电极引出端之间；具有第一掺杂浓度的漂移区，围绕发射极引出端并且比基极引出端或集电极引出端的任何一个深；基极层，设置在漂移区下方；集电极层，与基极层接触，集电极层具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度。使用低成本BCD工艺，可降低垂直双极结型晶体管的制造成本并且可提高电流增益。
垂直双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]低成本半导体器件制造方法-CN201410647719.4有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特;方演燮;柳惟信;赵城敏;金胄浩 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种低成本半导体器件制造方法和使用该方法制造的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底中形成多个本体区；在本体区中形成多个栅极绝缘层和多个栅电极；在衬底的整个表面中实施毯式离子注入以在不具有掩模的情况下在本体区中形成低浓度掺杂区(LDD区)；在栅电极的侧壁处形成间隔物；以及实施高浓度的离子注入以在LDD区周围形成高浓度的源极区和高浓度的漏极区。根据本实施例，器件具有良好的电特性，并且同时降低了制造成本。由于在形成高浓度的源极区和漏极区时实施倾斜和旋转共同注入，所以潜在地省去了LDD掩模步骤。
低成本半导体器件制造方法

[发明专利]半导体功率器件及其制造方法-CN201410041435.0有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特;金宁培;文振宇;李倞镐 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体功率器件及其制造方法。所述半导体功率器件包括：第一导电型半导体衬底；形成在半导体衬底上的外延层；形成在半导体衬底和外延层中的第二导电型阱；形成在阱中的漏极区；将栅极区与漏极区绝缘的氧化物层；形成在阱中的第一导电型埋层；围绕埋层的第二导电型漂移区；以及形成在埋层与氧化物层之间的第二导电型TOP区。
半导体功率器件及其制造方法

[发明专利]具有肖特基二极管的半导体装置及其制造方法-CN201310643300.7有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有嵌入式肖特基二极管的半导体装置及其制造方法。具有肖特基二极管的半导体装置包括：按如下顺序布置的第一导电类型的外延层、第二导电类型的主体层和第一导电类型的有源层；栅极沟槽，从源极层延伸至外延层的一部分；主体沟槽，以距栅极沟槽的预定距离形成并且从源极层延伸至外延层的一部分；以及第二导电类型的保护环，接触主体沟槽的外壁并且形成在外延层中。
具有肖特基二极管半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201410294771.6有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括作为单片型管芯的第一管芯，在第一管芯中形成有驱动电路和低侧输出功率器件；设置在第一管芯之上的第二管芯，第二管芯包括高侧输出功率器件；以及设置在第一管芯与第二管芯之间的第一连接单元。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN201410295608.1在审
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体管芯以及半导体封装件。半导体封装件包括：单片管芯；设置在单片管芯中的驱动电路、低侧输出功率器件和高侧输出功率器件；以及设置在单片管芯上方和下方的上电极和下电极。
半导体封装

[发明专利]底部漏极LDMOS功率MOSFET的结构及制备方法-CN201010147337.7有效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特 -专利权人：万国半导体有限公司
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了带有改良漏极接头结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。这种半导体器件包括一个半导体衬底；一个位于半导体衬底上的半导体外延层；一个设置在外延层顶面上的漂流区；一个位于漂流层顶面上的源极区；一个位于源极区和漂流区之间的半导体外延层表面附近的沟道区；一个位于沟道区顶部的栅极电极上方的栅极；以及一个电连接漂流层和衬底的漏极接触沟道。接触沟道包括一个从漂流区垂直形成、穿过外延层、一直到衬底，并用导电漏极插塞填充的沟道；沿沟道的侧壁形成的电绝缘隔离片，以及一个位于漏极接触沟道上方的导电漏极带，用于将漏极接触沟道电连接到漂流区。
底部 ldmos 功率 mosfet 结构制备方法

[发明专利]带有堆积式互联承载板顶端散热的半导体封装及其方法-CN200910246628.9有效
发明人：刘凯;弗朗索瓦·赫伯特;石磊 -专利权人：万国半导体有限公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：介绍了一种带有堆积式互联承载板顶端散热的半导体封装方法。此半导体封装包括一个带有终端引线的电路基片、一个在电路基片上的半导体晶粒、一个用于连接和互联半导体晶粒的顶端接触区同电路基片的低热阻的紧密互联承载板、一个用于顶端散热的在紧密互联承载板上的低热阻的堆积式互联承载板、以及一个成型封装剂用于封装除堆积式互联承载板的顶面裸露区之外的半导体封装，以保持有效的顶端散热。堆积式互联承载板的顶部包括一个在紧密互联承载板上的外围突出物。此外围突出物使得散热用的裸露顶面最大化，并且不依赖于其他区域的局限，适用于紧密互联承载板。堆积式互联承载板可被部分刻蚀或三维定型，以生成外围突出物。
带有堆积式互联承载顶端散热半导体封装及其方法

[发明专利]具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法-CN200510080422.5无效
发明人： 弗朗索瓦·赫伯特;萨曼·阿赫桑 -专利权人：凌特公司
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：通过调节栅极氧化物层的厚度以适应特定的工作电压来优化各种晶体管的各性能。实施方案包括通过初始沉积一个或多个其间有蚀刻的栅极氧化物层，从将要形成具有较薄栅极氧化物的晶体管的有源区域除去沉积的氧化物，以形成具有不同栅极氧化物厚度的晶体管，接着进行一个或多个热氧化步骤。实施方案包括通过初始沉积氧化物膜，从将要形成具有较薄栅极氧化物的低压晶体管的有源区域选择性除去沉积的氧化物，以形成包含具有两个不同的栅极氧化物厚度的晶体管的半导体器件，随后进行热氧化。
具有多重栅极氧化物厚度半导体器件制造方法

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