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[发明专利]一种用于涂层自然气候曝露试验的支撑装置及试验方法-CN201910816768.9在审
发明人：李顺利;赵莉 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于涂层自然气候曝露试验的支撑装置，属于自然气候曝露试验支撑装置技术领域，解决了现有曝露试验支撑装置无法调节曝露架角度及无法调整涂层试件夹持区面积的问题。本发明提供的用于涂层自然气候曝露试验的支撑装置包括支撑本体和曝露架；支撑本体包括前支撑框、后支撑框、第一连接杆和第二连接杆；曝露架前端与第一连接杆滑动连接，曝露架后端与后支撑框滑动连接；曝露架包括曝露框本发明提供的支撑装置不仅能够调整曝露架的倾斜角度，而且能够根据涂层试件的规格进行调整并固定，使涂层试验件能够安全稳固的进行自然气候曝露试验。
曝露支撑装置夹板绝缘固定试验涂层自然连接杆滑动连接自然气候后支撑试件气候涂层试验前支撑试件夹夹持支撑稳固安全

[发明专利]衬底、曝露衬底的方法和机器可读媒体-CN200610162747.2无效
发明人： A·C·－H·陈 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：这里给出了一种用于在光刻系统中提高图像分辨率的双曝露方法。在第一构图曝露期间和在显影后、在第二构图曝露期间，第二抗蚀剂材料吸收曝露辐射，以防止在第二抗蚀剂材料层的已曝露部分下面的、该第一抗蚀剂材料的至少一部分曝露于高于与第一抗蚀剂层相关的清除能量曝露剂量的一小部分的曝露剂量
衬底曝露方法机器可读媒体

[发明专利]产生布局图案的方法-CN201911056900.7在审
发明人：骆文;张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种产生布图案的方法，包括当在由带电粒子束直接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征时，决定第一能量密度，第一能量密度间接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征中的第一特征。此方法也包括当由带电粒子束直接地曝露第一特征时，调整曝露第一特征的第二能量密度。第一特征的总能量密度，包含来自间接曝露的第一能量密度和来自直接曝露的第二能量密度的总合，第一特征的总能量密度维持在大约一阈值能量级，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特征。
产生布局图案方法

[发明专利]微影方法-CN201910462253.3有效
发明人：翁明晖;刘朕與;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。
方法

[发明专利]车辆电磁曝露测量方法、装置和计算机设备-CN202010612096.2有效
发明人：陆德坚 -专利权人：北京森馥科技股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆电磁曝露测量方法、装置和计算机设备，该车辆电磁曝露测量方法包括：获取车辆中至少一个预设位置的磁场测量探头的磁场信号；根据拟进行电磁曝露评估的标准磁场限值曲线生成计权数字滤波器；利用所述计权数字滤波器、所述磁场信号以及预设算法，计算获得车辆中相应预设位置的磁场曝露相对于标准磁场限值的比例。本发明的车辆电磁曝露测量方法，可以利用多个磁场测量探头获取磁场信号以提高车辆人体电磁曝露测量的效率，使测量结果更加直观，提高测量的精度。
车辆电磁曝露测量方法装置计算机设备

[发明专利]具有UV激活图像的焊弧服饰以及用于检出UV辐射的方法-CN201080061318.0无效
发明人： B·J·钱特里;M·D·麦克道尔 -专利权人：林肯环球股份有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：公开一种焊接附件和用于在焊接操作期间检出UV辐射曝露的系统。该焊接附件可以具有曝露于由电弧焊生成的UV辐射的表面，在没有曝露于所述UV辐射时可见的第一图像，以及由UV激活染料形成、只在曝露于由电焊弧生成的UV辐射后是可见的第二图像。系统可以包括具有一第一态和至少一第二态的UV曝露指示器，以及包括适合于一旦曝露于UV辐射就提供可逆的或持续的视觉指示的UV激活染料。
具有 uv 激活图像服饰以及用于检出辐射方法

[实用新型]自然曝露试验工装-CN202222464833.6有效
发明人：王伟健;钟国留;李波 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自然曝露试验工装，包括：固定板、固定架和填充件，固定架设于固定板上，固定架用于固定连接试验样件；填充件设于固定板上且填充在固定板与试验样件之间。根据本实用新型实施例的自然曝露试验工装，通过固定架固定连接试验样件，填充件填充在固定板与试验样件之间，填充件对试验样件具有支撑作用，使得试验样件安装稳定性较强，避免因试验样件得不到足够固定和支撑导致的试验失败并且，填充件可以为试验样件的一侧挡风，可以模拟试验样件在实际使用工况下的安装状态，使得试验结果更加贴近实际，保证试验的准确性，且自然曝露试验工装的结构较简单，兼容性较强。
自然曝露试验工装

[发明专利]低温泵及低温板-CN201980055451.6有效
发明人：高桥走 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： F04B37/08 文献下载
摘要：本发明的低温泵(10)具备第2级低温板总成(20)，该第2级低温板总成(20)具备：被排出气体通过进气口(12)后沿直线路径能够到达的曝露区域(68)、及被排出气体通过进气口(12)后沿直线路径无法到达的非曝露区域非曝露区域(69)具有能够吸附非冷凝性气体的吸附区域(66)，曝露区域(68)被可拆卸的保护面(76)所覆盖。可拆卸的保护面(76)可以由可剥离地粘贴于曝露区域(68)的由树脂或金属制成的保护层来提供。
低温泵低温

[发明专利]用于在飞机起飞期间产生可变推力缩减的飞行管理系统-CN200880008370.2有效
发明人： M·K·德容热 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G05D1/06 文献下载
摘要：该飞行管理系统包括：存储用于导航飞行的曝露声级限制和存储飞机的期望曝露声级的存储器；一个或多个用来接收感测的包括高度和空速的飞机变量的输入装置。该系统还包括用来处理感测高度和空速以及存储的曝露声级的处理器。该处理器进一步基于高度、空速和期望曝露声级来计算符合曝露声级限制的发动机推力值以在起飞期间控制飞机油门。
用于飞机起飞期间产生可变推力缩减飞行管理系统

[发明专利]具有UV激活或热致变色激活图像的焊弧服饰-CN201380052071.X在审
发明人： B·J·钱特里;M·D·麦克道尔 -专利权人：林肯环球股份有限公司
申请日： 2013-10-07 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：公开一种焊接附件，以及一种用于在焊接操作期间检出热和/或UV辐射曝露的系统。所述焊接附件可以具有曝露于由电弧焊生成的热和/或UV辐射的表面，在没有曝露于所述热和/或UV辐射时可见的第一图像，以及由UV激活染料或者热致变色染料形成的一第二图像，所述由UV激活染料形成的第二图像只在曝露于由所述电焊弧生成的UV辐射后是可见的，所述由热致变色染料形成的第二图像仅在曝露于预设水平的由所述电焊弧生成的热辐射后是可见的。系统可以包括具有一第一态和至少一第二态的热或UV曝露指示器，并且包括适合于一旦曝露于辐射就提供可逆的或者持续的视觉指示的热致变色染料或UV激活染料。
具有 uv 激活变色图像服饰

[发明专利]补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法-CN201811144998.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法，所述方法至少包括：提供衬底；于所述衬底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层具有若干个不同曝露面积图形；基于目标蚀刻深度并利用所述绝缘介质层的小曝露面积图形，补偿性蚀刻所述衬底；以所述绝缘介质层为掩膜，蚀刻所述衬底，直至于所述衬底上形成若干个不同曝露面积图形，且所述衬底的不同曝露面积图形的蚀刻深度同时达到所述目标蚀刻深度。本发明通过预先补偿性蚀刻衬底的小曝露面积图形来消除与蚀刻深宽比相关的负载效应，从而调控不同曝露面积图形的蚀刻深度达到一致，大大提高了集成电路制作的成功率，并能有效提高制备得到的半导体器件电气性能和可靠性
补偿性蚀刻方法结构半导体器件及其制备

[发明专利]薄膜电路组件-CN202210063472.6在审
发明人：林钦宏;黄俊维;王庆余 -专利权人：重庆达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01H13/702 文献下载
摘要：第一薄膜具有第一曝露区，并包含第一电路以及多个第一接垫。第一接垫设置于第一曝露区，并电性链接于第一电路。间隔层在第一曝露区以外胶黏于第一薄膜，并开设有对接空间与相连通的存气道。第二薄膜具有第二曝露区，并在第二曝露区以外胶黏于间隔层，且第二薄膜包含第二电路以及多个第二接垫。第二接垫设置于第二曝露区，并电性连接于第二电路。导电胶设置于第一接垫与第二接垫之间。
薄膜电路组件

[发明专利]玻璃基板内形成导电贯穿通孔的方法-CN202210643955.3在审
发明人：刘恒 -专利权人： V-福尼提公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种于玻璃基板内形成导电贯穿通孔的方法，包含：布置一电路在玻璃基板的一第一表面，使得玻璃基板的第一表面上一区被曝露；涂布一涂层在第一表面以覆盖电路及第一表面之曝露区；移除曝露区上的涂层；利用雷射引起至少一部份的曝露区结构损伤；以及，湿式蚀刻掉至少一部份的曝露区，以形成一通孔。
玻璃基板内形成导电贯穿方法

[发明专利]硅-碳-氮化物的选择性蚀刻-CN201380048686.5有效
发明人：陈智君;张景春;王安川;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含‑硅‑氮‑和‑碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料区域去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料。
碳材料曝露等离子体远程等离子体基板处理离子抑制异质结构流出物前驱物去除蚀刻选择性蚀刻碳-氮化物流出物流区域去除蚀刻图案速率选择元件控制氮化硅离子性图案化氧化硅带电含氟含氧基板物种

[发明专利]晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体-CN201110009918.9有效
发明人：王琮淇 -专利权人：王琮淇
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体被提供，该半导体晶片封装体的特征在于包含：半导体基体，该半导体基体具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；一个形成在该半导体基体的形成表面上的保护层，该保护层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔；形成于每个曝露孔之内的导电触点；及形成于每个导电触点之上的在曝露孔之外的导电触点。
晶圆级半导体晶片封装方法

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