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[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法-CN201710888508.3有效
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星;吉杨永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在发生雪崩击穿时的最大场强位于器件表面下方的体区‑漂移区PN结处。所述横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括P型体区和N型漂移区，其中P型体区由一系列的P型离子注入形成，N型漂移区由一系列的N型离子注入形成，在器件制造过程中，合理地调整P型体区和N型漂移区的离子注入浓度和深度可以实现器件的体区‑漂移区PN结处的最高浓度梯度位于器件表面下方，从而抑制热空穴在器件漏极‑门极之间的氧化层区域附近的注入和俘获，避免器件在发生击穿后的其它特性的改变。
一种横向扩散金属氧化物半导体 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201911069541.9在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件具有多个漏极接触结构，每个漏极接触结构具有漏极接触、第一漏极接触金属层和通孔。漏极接触位于漏区上；第一漏极接触金属层位于漏极接触上；通孔位于第一漏极接触金属层上。该LDMOS器件还具有第二漏极接触金属层，其与每个漏极接触结构的通孔相电耦接。第一漏极接触金属层和漏极接触的尺寸减小，使得第一漏极接触金属层和漏极接触与场板接触和场板接触金属层之间的边缘场减小，从而，相应的寄生电容也得到减小。当LDMOS器件用作开关器件时，寄生电容的减小有助于降低开关操作中的功率损耗并提高开关效率。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201910830811.7在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件及其制造方法。LDMOS器件包括位于衬底中的源区和漏区以及位于衬底上的栅极，该栅极横向位于源区和漏区之间。LDMOS器件还包括位于衬底上的栅极和漏区之间区域的场板和位于场板上的场板接触。场板接触包括上表面，上表面在纵向上包括第一部分和第二部分。场板接触的上表面还电气接触场板接触金属层，该场板接触金属层覆盖场板接触的第一部分而不覆盖场板接触的第二部分。这样，减小了场板接触金属层的面积，从而便减小了场板接触金属层和漏极金属层之间边缘场，进而减小了两者之间的寄生电容。这样，峰值电场得到有效降低，或者说，LDMOS器件的击穿电压被有效提高。
场板上表面衬底减小漏区接触金属层板接触金属层源区漏极金属层电气接触峰值电场击穿电压寄生电容栅极横向边缘场覆盖制造

[实用新型]一种公交车电子站牌及公交站-CN201920993857.6有效
发明人：余小龙;郑志星;刘浩;李海俊 -专利权人：深圳市涌泉储能科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种公交车电子站牌及公交站，公交车电子站牌包括箱体(1)，箱体(1)的第一表面上设置有至少一个显示区域，箱体(1)内设置有多组的电池组(5)，电池组(5)通过转换器向电子站牌的用电设备供电；箱体(1)的第二表面上远离地面的一侧开设有出风口(9)，在箱体(1)的侧面还开设有进风口(7)，箱体(1)内设置有风机(11)，在风机通电时，风机用于将空气从进风口(7)吸入并穿过多组的电池组(5)从出风口(9)流出以实现对多组的电池组(5)的冷却。本实用新型通过将电池组设置在电子站牌内解决了现有的公交电子站牌将电池埋置于地下不便于维护带来的麻烦，同时提高候车的乘客的候车体验。
电池组风机公交车电子站牌本实用新型电子站牌出风口进风口候车转换器公交电子站牌第二表面第一表面显示区域用电设备公交站吸入冷却流出电池通电穿过侧面乘客供电地下维护

[实用新型]一种采用薄膜光伏组件的公交站台-CN201920972278.3有效
发明人：余小龙;郑志星;刘浩;李海俊 -专利权人：深圳市涌泉储能科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H02S20/23 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用薄膜光伏组件的公交站台，公交站台包括直流供电组件和站台结构；直流供电组件包括光伏组件，汇流箱，控制器，多级电源和锂电池；光伏组件，汇流箱，控制器，多级电源依次连接，控制器还与锂电池连接；直流供电组件通过多级电源向直流负载提供直流电源；站台结构包括多根支撑横梁和顶部龙骨支架，多根支撑横梁的一端固接入地面，多根支撑横梁的另一端用于支撑顶部龙骨支架，在顶部龙骨支架上设置有光伏组件；多根支撑横梁之间还设置有电子站牌。本实用新型解决了其他太阳能公交站台通常将公交候车亭站台与太阳能组件捆绑在一起的分离式结构带来的外形不美观及结构存在安全隐患的问题。
支撑横梁直流供电组件多级电源光伏组件龙骨支架控制器本实用新型公交站台站台结构汇流箱锂电池太阳能公交站台薄膜光伏组件分离式结构公交候车亭太阳能组件安全隐患电子站牌依次连接直流电源直流负载站台捆绑美观支撑

[实用新型]一种光伏控制器-CN201920977154.4有效
发明人：余小龙;郑志星;刘浩;李海俊 -专利权人：深圳市涌泉储能科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏控制器，所述光伏控制器包括充电控制模块，恒流/恒压DC/DC和三段充电DC/DC；所述充电控制模块分别连接至所述恒流/恒压DC/DC和所述三段充电DC/DC的控制端；光伏组件的输出端分别连接至所述恒流/恒压DC/DC的输入端和所述三段充电DC/DC的输入端；所述恒流/恒压DC/DC的输出端连接直流负载，所述三段充电DC/DC输出端连接至锂电池。本实用新型的光伏控制器能够满足光伏最大输入电压200V的需求，解决了光伏输入电压较低、新能源利用率较低、功耗大的问题。
恒流恒压三段光伏控制器充电充电控制模块本实用新型输出端连接输入端光伏光伏组件输入电压直流负载最大输入控制端输出端锂电池功耗新能源

[实用新型]一种多级输出的直流-直流转换装置-CN201920977228.4有效
发明人：余小龙;郑志星;刘浩;李海俊 -专利权人：深圳市涌泉储能科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：一种多级输出的直流‑直流转换装置，该转换装置包含多级电源模块和双路独立控制器；所述双路独立控制器的输出端连接至所述多级电源模块；所述双路独立控制器的其中一路输入端上连接有锂电池组；所述双路独立控制器的另一路输入端连接至汇流箱的输出端，所述汇流箱的输入端上连接有多组光伏组件；所述多级电源模块包含多路的开关电源，每路开关电源包含，单片机，电流模式控制器，直流变换器。本实用新型的多级输出的直流‑直流转换装置适应公共通道、家庭、山区等使用环境的用电需求，应用场景广，性价比高，兼容性强。
独立控制器双路多级电源直流转换装置汇流箱输入端电流模式控制器本实用新型输出端连接输入端连接直流变换器公共通道光伏组件开关电源使用环境应用场景用电需求转换装置锂电池组输出单片机兼容性路开关输出端多路电源山区

[发明专利]一种选择性刻蚀的LDMOS器件的制造方法-CN201710066412.9有效
发明人：柳志亨;郑志星;乔伊·迈克格雷格 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。
一种选择性刻蚀 ldmos 器件制造方法

[发明专利]LDMOS器件及相关半导体集成电路的制造方法-CN201610859002.5有效
发明人：乔伊·迈克格雷格;郑志星;吉扬永;艾瑞克·布劳恩 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。
ldmos 器件相关半导体集成电路制造方法

[发明专利]具有自对准体区的LDMOS器件的制造方法-CN201710842708.5在审
发明人：乔伊·迈克格雷格;肖德明;姚泽强;吉杨永;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件的制造方法，包括形成半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；在介质层上形成导电层；在导电层上形成第一光刻胶层；通过第一掩膜对第一光刻胶层进行刻印，以形成第一开口；通过第一开口对导电层进行刻蚀；通过第一开口向半导体衬底中注入具有第一掺杂类型的杂质，以形成靠近半导体衬底上表面的第一体区和位于第一体区之下的第二体区；去除第一光刻胶层；以及使用第二光刻胶层和第二掩膜对导电层进行刻蚀。
具有对准 ldmos 器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法-CN201410285973.4有效
发明人：乔伊·迈克格雷格;郑志星;艾瑞克·布劳恩;吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法。该半导体器件包括栅极区、N型漏极区、P型体区和N型源极区，其中体区包括第一体区、第二体区和体接触区，其中第一体区掺杂硼原子，第二体区掺杂硼原子和铟原子，第二体区位于源极区下方并与源极区相邻。该半导体器件、LDMOS器件及用于制作高雪崩能量LDMOS器件的方法具有较低的电阻、较高的雪崩能量和稳定的阈值电压等优点。
一种半导体器件用于制作雪崩能量 ldmos 器件方法

[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法-CN201410503435.8在审
发明人： 郑志星;乔伊·迈克格雷格;吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件的制作方法包括：在半导体衬底上制作LDMOS器件的栅极区；采用一掩膜将第一型掺杂物质以一定角度倾斜注入半导体衬底；采用相同的掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底，其中倾斜注入形成的区域和垂直注入形成的区域共同用于形成LDMOS器件的体区；以及制作LDMOS器件的源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区为不同于第一型掺杂的第二型掺杂。该方法和器件具有热预算低，导通电阻低和击穿电压高等优点。
一种 ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种包含MOSFET器件的半导体器件和制作方法-CN201210297743.0有效
发明人： 郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含MOSFET器件的半导体器件和一种制作MOSFET器件的方法。其中该MOSFET器件包含：漏极，为第一掺杂类型，所述漏极包含漏极接触区和漂移区；源极，为第一掺杂类型；体区，为第二掺杂类型，所述体区位于所述漏极和所述源极之间；栅极，位于体区上方，其中所述源极位于所述栅极的一侧，所述漏极位于所述栅极的另一侧；以及凹进场氧结构，其中所述凹进场氧结构在垂直方向上位于所述栅极和所述漂移区之间，所述凹进场氧结构使所述漂移区呈U型。该结构提高了MOSFET的击穿电压，提高了电荷密度，同时具有较低的成本。
一种包含 mosfet 器件半导体器件制作方法

[发明专利]一种双极结型晶体管的制作方法-CN201210073609.2有效
发明人： 郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。
一种双极结型晶体管制作方法

[发明专利]一种结型场效应晶体管的制作方法-CN201210073370.9无效
发明人： 郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种结型场效应晶体管（JFET）的制作方法，包括：制作具有第二掺杂类型的栅极区；制作具有沟道尺寸的沟道区；制作具有第一掺杂类型的源极区；以及制作具有第一掺杂类型的漏极区，其中通过调节栅极区的布局宽度来控制沟道区的沟道尺寸。
一种场效应晶体管制作方法

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