[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模有效
| 申请号： | 201880042350.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110785703B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 福上典仁;古沟透 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩模有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 常海涛;金小芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此，抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，同时提高光吸收层的耐清洗性。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型光掩模坯 以及 型光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种反射型光掩模坯，其用于制作以远紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模，具备：/n基板，/n在所述基板上形成的由多层膜构成的反射层，和/n在所述反射层上形成的光吸收层，/n所述光吸收层包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。/n
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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