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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种增益平坦的宽光谱光电探测器及其制备方法-CN202210141417.4在审
发明人：曹军;陈宏志 -专利权人：上海航天科工电器研究院有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种增益平坦的宽光谱光电探测器及其制备方法，该光电探测器由下向上依次包括硅衬底和光有源区，所述光有源区包括双层碳薄膜及置于双层碳薄膜之间的表面等离激元结构，所述双层碳薄膜之间形成范德瓦尔兹异质结，底部碳薄膜成型于硅衬底上，顶部碳薄膜包覆所述底部碳薄膜，所述硅衬底的顶部两侧分别成型有源极和漏极，且所述源极和漏极与顶部碳薄膜接触，所述硅衬底的背部成型有背栅电极。所制备的光电探测器解决了现有碳基宽光谱探测器响应度低，响应曲线随波长波动大，增益不平坦的问题。
一种增益平坦光谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202310465646.6在审
发明人：姜东伟;陈辉;李晓玉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，该CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区；在所述源漏极区范围内的第一离子注入区注入第一预定剂量的碳离子，后向所述源漏极区范围内的第二离子注入区注入第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合。通过依次向MOS管的源漏极区域依次注入碳离子和氟离子，利用在碳离子注入后会产生晶体缺陷的特性，使用晶体缺陷捕获氟离子，从而保证退火后源漏极区残留的氟离子，有效改善暗电流特性。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]通过炉缸热面碳捣层制作密封环治理炉基煤气窜漏的方法-CN202111351839.6在审
发明人：杨林 -专利权人：杨林
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C21B7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过炉缸热面碳捣层制作密封环治理炉基煤气窜漏的方法，其特征在于：拆除原炉缸残余陶瓷杯及上面两层的炉底碳砖，在保留的炉底碳砖上表面对热面碳捣层向下挖槽，沿炉底碳砖侧面和冷却壁相邻碳捣层的热面形成圆环状的凹槽型空间，圆环状的凹槽型空间深度为：h=200mm，在圆环状的凹槽型空间内浇注高密度弹性密封胶形成弹性密封环，实现通过高炉炉缸热面碳捣层制作密封环对炉基煤气窜漏缺陷的彻底治理。本发明彻底密封了炉缸热面碳捣层的煤气窜漏通道，实现了对风口煤气经热面碳捣层向下窜漏煤气的强制密封，使炉基不再窜漏带压煤气再辅助进行冷面碳捣层的灌浆施工，能够确保高炉运行安全实现安全生产。
通过炉缸热面碳捣层制作密封治理煤气方法

[发明专利]形成环绕式栅极场效晶体管的方法-CN201911129705.2在审
发明人：堤姆斯·文森;马库斯琼斯亨利库斯·范达尔;荷尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：形成环绕纳米碳管的通道部分的栅极结构。形成环绕纳米碳管的源极/漏极延伸部分的内部间隔物，源极/漏极延伸部分自纳米碳管的通道部分向外延伸。内部间隔物包括形成界面偶极子的两个介电层。界面偶极子将掺杂引入至纳米碳管的源极/漏极延伸部分。
形成环绕栅极晶体管方法

[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制备方法-CN201811466915.6有效
发明人：庄达人;孙志忠 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种动态随机存取存储器结构及其制备方法。该动态随机存取存储器结构包括一基底；一栅极结构，设置于该基底中；一源极区与一漏极区，分别设置于该基底中的该栅极结构的两侧；一接触垫，设置于该漏极区的上方；多个纳米碳管，设置于该接触垫的上方；一顶部电极，设置于该多个纳米碳管的上方；以及一介电层，设置于该顶部电极与该多个纳米碳管之间。
动态随机存取存储器结构及其制备方法

[实用新型]一种单晶炉热场-CN201921843202.7有效
发明人：王志磊;张燕玲;邢德春;王志卿;于彩凤 -专利权人：晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉热场，包括炉体、石墨电极、加热器、坩埚托盘、坩埚、石英坩埚、保温罩、导流筒；还包括石墨碳毡、石英环、托杆防漏套，所述托杆防漏套为上端开口底端封闭的筒状结构，且所述托杆防漏套底端设有通孔，所述坩埚托杆穿过通孔，所述托杆防漏套底端通孔边缘与所述坩埚托杆外表面焊接固定；所述石墨碳毡盘卷在所述保温罩周围，所述石墨碳毡之间设有单层无锡纸。本实用新型能够通过托杆防漏套对流经坩埚拖杆的漏硅液进行阻隔处理，防止漏硅液泄露导致漏硅液经坩埚拖杆杆身流到坩埚托杆底部，损坏炉体底部元件；在保温罩周围的石墨碳毡之间增加了单层无锡纸，能够进一步增加炉体的保温处理
一种单晶炉热场

[实用新型]一种便于清理积碳的燃油加热器-CN201920781439.0有效
发明人：林蓉瑶 -专利权人：云和县提莫科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： F02M31/125 文献下载
摘要：本实用新型涉及燃油加热器技术领域，且公开了一种便于清理积碳的燃油加热器，包括壳体、支架、油漏、过滤板、传动装置、弹簧、压杆、手轮和底座，壳体的左侧连接有支架，壳体的内壁底部连接有油漏，壳体的左侧内壁连接有弹簧通过转动手轮，带动棘轮和轮板转动，使得过滤板向左移动，燃油可以通过过油槽进入到右侧腔体，松开手轮，弹簧释放弹性势能，过滤板会向右移动，油液从渗油孔渗出，颗粒大的积碳就被推向内胆右侧，被挤入油漏中，从而达到了清理积碳的效果
一种便于清理燃油加热器

[发明专利]碳膜的成膜方法-CN201680063442.8在审
发明人：小梁慎二;伊东润一;布施和志;逸见充则 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种与上述现有例的产品相比可重现性良好，且形成的碳膜具有几十mΩ·cm左右的极低的电阻率的碳膜的成膜方法。在本发明的碳膜的成膜方法中，使用碳材质的靶(4)，在漏磁场(Mf)作用于该靶表面侧的状态下给靶施加电力并溅射，在处理对象物的表面形成碳膜。此时，在靶表面局部形成有漏磁场作用的区域，使该漏磁场作用的区域进行从靶表面的起点开始相对于靶做相对移动后回到起点的周期性变化。另外，使靶表面的规定位置上的漏磁场的平均磁场强度与给靶施加的电力之乘积在125G·kW以下。
碳膜靶表面漏磁场成膜施加处理对象物周期性变化表面形成局部形成可重现性相对移动电阻率碳材质溅射磁场

[实用新型]一种低碳生活污水处理装置-CN201921294355.0有效
发明人：韩晓鸣 -专利权人：天津轻工职业技术学院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低碳生活污水处理装置，涉及水处理设备领域，该低碳生活污水处理装置，包括处理器，所述处理器的顶部设置有连接盖，所述处理器的表面和底部分别设置有污水进口和净水出口，所述污水进口位于处理器一侧靠近顶部的位置处，所述处理器的内部从上往下分别活动连接有橡胶圈、漏筛、过滤漏斗和过滤器，所述橡胶圈活动连接在漏筛的顶部，所述过滤漏斗活动套接在漏筛的表面，所述过滤器位于过滤漏斗的下方。本实用新型通过设置漏筛、过滤漏斗、过滤器和滤芯解决了大多数家庭的污水均直接排放到下水道内，家庭污水直接排放过程中会携带一些油污、饭菜渣、头发丝和污泥等废物，为后期的污水处理加重了负担的问题。
一种生活污水处理装置

[发明专利]一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法-CN201210135993.4有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明公开一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其中包括有覆盖层的NMOS器件、PMOS器件和上拉管，首先将所述NMOS器件和所述上拉管上的覆盖层同时去除，然后对所述NMOS器件、具有覆盖层的所述PMOS器件和所述上拉管进行碳注入，使得所述NMOS器件的源漏端和所述上拉管的源漏端形成晶格结构，以提高沟道方向的张应力。使用本发明一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，通过对上拉管源漏采用碳注入工艺，使得上拉管在沟道方向上的张应力增强，有效地降低上拉管器件的载流子迁移率，增大上拉管的等效电阻，同时，提高了随机存储器写入冗余度
一种提高静态随机存储器写入冗余方法

[实用新型]一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器-CN201920846561.1有效
发明人：王宸观;渠开放;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。
沟道基底漏极源极栅氧化层本实用新型纳米碳管量子点频率选择性高灵敏度光子探测可调谐灵敏度异质结探测器侧面

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN201010146499.9有效
发明人：梁仁荣;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件结构包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所述源极和漏极之上的金属硅化物层本发明采用碳基材料层，例如石墨烯，作为沟道层，从而可以大大地提高器件的速度。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法-CN201911352504.9在审
发明人：雷海波;田明;宋洋;廖端泉 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法，在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂B的SiGe的轻掺杂结构；在SiGe的轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在含碳薄掺杂层上外延生长掺杂B的SiGe的重掺杂结构；在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂P的Si轻掺杂结构；在掺杂P的Si轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在碳薄掺杂层上外延生长掺杂P的Si重掺杂结构。本发明在两层之间引入含碳薄掺杂层，利用碳抑制掺杂物扩散的特性，增强外延在高温退火过程掺杂梯度的稳定性，从而提高器件稳定性。
一种 finfet 外延三层结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210168214.0有效
发明人：秦长亮;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，在已有工艺在源漏外延锗硅的基础上添加外延硅碳或者锗硅碳材料的源漏区域扩散阻挡层，通过源漏区域扩散阻挡层的引入防止源漏区域掺杂杂质的扩散，从而达到减小SCE和DIBL效应的目的；源漏区域扩散阻挡层的使用还可以减小后续步骤中HALO注入的剂量，这样，如果是源漏区域外延前进行HALO，则可以减小的影响源漏区域表面的影响，如果是源漏区域外延后进行HALO，则可以尽量减小注入造成的源漏区域外延层的应力释放效应。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种通过高炉炉缸热面碳捣层制作的煤气密封环结构-CN202122795583.X有效
发明人：杨林 -专利权人：杨林
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C21B7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种通过高炉炉缸热面碳捣层制作的煤气密封环结构，其特征在于：由炉底碳砖侧面和冷却壁相邻碳捣层的热面形成圆环状的凹槽型空间，圆环状的凹槽型空间的深度为：h=200mm，在圆环状的凹槽型空间内浇注高密度弹性密封胶形成弹性密封环本实用新型通过高炉炉缸热面碳捣层制作的煤气密封环结构，严密封堵了炉缸热面碳捣层煤气窜漏通道，实现了对窜漏煤气的强制密封，炉基不再窜漏带压煤气，确保高炉运行安全，实现安全生产。
一种通过高炉炉缸热面碳捣层制作煤气密封结构

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