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[发明专利]基于高阶奇异点的传感器及其制备方法-CN202310923689.4在审
发明人：史弘康;陈泽;张晓波;李磊;方舟 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于高阶奇异点的传感器及其制备方法，传感器包括光学微腔、介质波导和光电探测器；光学微腔的数量若干且结构相同；每个光学微腔到介质波导的距离相等，相邻光学微腔之间的距离相等；光学微腔被激光器发出的圆偏振光激发后产生相同的手性模式，光学微腔间通过介质波导发生单向耦合，在系统内产生用于对扰动进行反馈的高阶奇异点，奇异点的阶数仅由相同光学微腔的数量决定；光电探测器设于介质波导的输出端用于接收光谱。本发明基于高阶奇异点对于微小扰动进行有效反馈，增加传感器的灵敏度。
基于奇异传感器及其制备方法

[发明专利]片上集成硅单光子探测器及其制备方法-CN202210333941.1在审
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时，用于将入射光转换为电信号。该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。
集成光子探测器及其制备方法

[发明专利]硅基集成光电探测器及其制备方法-CN202210335988.1在审
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。
集成光电探测器及其制备方法

[发明专利]带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片-CN202311047239.X在审
发明人：秦世宏;丁奕心;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。
带有模式选择结构光电探测器光子芯片

[发明专利]一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法-CN202311159452.X在审
发明人：郝群;李科学;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提出一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法，涉及新型光电探测器件领域。本发明包括衬底、金属层、矩形空气槽周期阵列、纳米线探测器、金属电极、信号采集和信号运算分析装置；矩形空气槽周期阵列所激发的SPP垂直地向两侧传播，当两列相互垂直的矩形空气槽中心在水平间距为所激发的SPP波长的1/4时，圆偏振光会产生定向耦合的SPP，从而使得矩形空气槽阵列对偏振特性不同的入射光能够精确的筛选，并将筛选的入射光传输至探测器。本发明的纳米线探测器对矩形空气槽阵列传输的光产生光响应，对应于不同的圆偏振光表现出不同的可测量光电流，从而实现对不同圆偏振光的探测和区分。
一种能够探测识别手性探测器及其制备方法

[发明专利]一种高性能的光耦结构-CN202310858108.3在审
发明人：王兰玉;段果 -专利权人：厦门华联半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及耦合器件领域，特别地涉及一种高性能的光耦结构。本发明公开了一种高性能的光耦结构，包括内部结构件、输入单管和输出单管，内部结构件的左端面和右端面分别设有向内凹陷的左安装腔和右安装腔，内部结构件内设有连通左安装腔和右安装腔的光通道，输入单管和输出单管分别安装在左安装腔和右安装腔内，且输入单管的发射端和输出单管的接收端分别对着光通道的左右两端，光通道内注满透光的第一胶体。本发明可在提高耐压的同时提高光传输效率，且不会增加厚度，同时也可以解决高额压模模具费、研发周期长、试模损耗高等问题，满足更多市场需求和应用环境。
一种性能结构

[发明专利]一种基于光子晶体的多通道探测器-CN202210255542.8有效
发明人：李冲;刘芮汐;高昕元;于书伟;刘云飞;邓赫卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体的多通道探测器，包括：衬底；在衬底的顶部本征层内制作有周期性空气孔排列形成的光子晶体，顶部本征层上选择生长两种不同的吸收材料；在顶部本征层和吸收材料一上溅射形成N电极和P电极，在吸收材料二的两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，在p型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在n型掺杂区上形成N+欧姆接触电极；两组P电极与N电极之间形成电势差，实现光电转换。本发明多通道探测器的结构设计灵活，通过光子晶体的陷光效应提高对光的捕获率，便于与现有光通信器件集成，可实现光缓存；同时，通过多通道探测不同波长的光，实现波分复用的光传输系统，提高了探测器吸收效率。
一种基于光子晶体通道探测器

[发明专利]GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法-CN202111118652.1有效
发明人：舒斌;朱佳迪;张二同;胡辉勇;王利明;李婉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供的一种GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法，将GeSn材料、单行载流子光电探测器和Ge基波导型光电探测器结合在一起，适合单片光电集成，可以满足高光响应度、高响应速度与波段的器件性能要求。且本发明的光探测器工艺简单，通过楔形结构用于提高光波导与探测器之间的光耦合效率，以及锥形结构减小光探测器入射波导的光反射。因此本发明的光电探测器可以提高效率、光响应度以及响应速度。本发明所设计的GeSn波导型光探测器在1.55μm处的光响应度为1.25A/w，3dB带宽最大为160GHz。相比现有技术，本发明光探测器的光响应度和响应带宽方面均有很大的提升。
gesn 波导单行载流子探测器结构及其制备方法

[发明专利]图案玻璃和包括图案玻璃的太阳能发电模块-CN201880053424.0有效
发明人：金泰元;朴泰浚;金阿珑;朴智详;白建勋 -专利权人：浦项股份有限公司;浦项产业科学研究院
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式的图案玻璃可以包括：耦接至支承体的基板单元；以及设置在基板单元中图案单元，并且图案单元包括：透射区域，在由从光源发射的光形成的光路径中的进入方向与脱离方向之间形成的角形成钝角范围的情况下，光透射至透射区域；以及反射区域，在反射区域中，在传递至观察者的视觉光的光路径中的进入方向与脱离方向之间形成的角形成锐角范围，使得具有大于透射区域中的反射率的反射率。另外，根据本发明的另一实施方式的太阳能发电模块可以包括：图案玻璃；以及太阳能电池，太阳能电池是支承体，基板单元耦接至支承体。
图案玻璃包括太阳能发电模块

[发明专利]一种片上集成的等离激元光电探测器及其制备方法和应用-CN202310926917.3在审
发明人：管志强;李湘黔;徐红星 -专利权人：湖北珞珈实验室;武汉大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成的等离激元光电探测器及其制备方法和应用，属于光学元件技术领域。所述光电探测器包括半导体结构、电极、等离激元波导；所述半导体结构由下至上包括硅、二氧化硅和半导体光电材料，由绝缘体上硅刻蚀部分顶层硅得到或由绝缘体上硅完全刻蚀顶层硅后沉积或转移所需的半导体光电材料得到；所述电极设置于所述半导体光电材料的两端且与所述半导体光电材料相接触；所述等离激元波导设置于所述半导体光电材料的侧边，且等离激元波导端头与所述半导体光电材料存在间隙。本发明通过优化结构参数，实现了等离激元波导与硅纳米结构的高效近场耦合，并最终实现了等离激元的片上集成电信号直接探测，且具有良好的加工制备可控性。
一种集成离激元光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种局域场增强的光电导型高速光电探测器-CN202211149831.6有效
发明人：刘文杰;傅开祥;郎钰文;秦玉文;王云才 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面等离激元增强的光电导型新型结构高速光电探测器及其制备方法，器件结构从下至上包括：置于底部的衬底；置于所述衬底上方的下金属电极；置于所述下金属电极上方的半导体材料层，所述半导体材料层用于产生光生载流子，并在外加电场的作用下将光生电流输运至两侧电极；置于所述半导体材料层上方的双层金属光栅电极，包含下层金属光栅电极和上层金属光栅电极；所述双层金属光栅电极通过外侧环形电极进行电连接；所述双层金属光栅电极与所述下金属电极分别构成探测器的正极和负极，用于为探测器加外置偏压。本发明提供的基于表面等离激元增强的光电导型高速光电探测器，以解决传统光探测器的响应速度低，转换效率低的问题。
一种局域增强电导高速光电探测器

[发明专利]一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器-CN202310715536.0在审
发明人：谢小军;魏超;邹喜华;潘炜;闫连山 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器，具体为：在TFLN‑InP异质集成平台上制备波导耦合光电探测器，通过金属有机化学气相沉积在半绝缘的InP衬底上生长外延层，依次包括n接触层、牺牲层、漂移层、悬崖层、四元化合物层、吸收层和p接触层；n接触层和p接触层分别为重掺杂InGaAs和InGaAsP；吸收层为20nm厚的耗尽吸收层和100nm厚的渐变掺杂吸收层。本发明可以同时提高带宽和响应速度，可以与成熟的硅工艺兼容，可以应用于四电平脉冲调幅数据接收系统。
一种薄膜铌酸锂平台宽带波导耦合光电探测器

[发明专利]一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片-CN202310756422.0在审
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片，该光电探测器包括：间隔预设距离的第一波导和第二波导；第二波导的形状为环形；衬底层，用于进行掺杂；第一掺杂区，在衬底层的设定区域通过掺杂形成；环形光吸收层，位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧，部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面；环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率；环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度，也可以降低光电探测器的寄生参数，提高了光电探测器的带宽。
一种光电探测器芯片以及光子

[发明专利]基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法-CN202011523761.7有效
发明人：邹望辉;莫嘉豪;武俞刚;王淳风 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法，其中，光探测器包括：衬底、隔离层和光探测结构；隔离层的材料为氧化硅；光探测结构包括脊型波导、石墨烯层和叉指电极结构；脊型波导的材料为氮化硅；脊型波导包括基部和脊部；基部的宽度大于脊部的宽度；石墨烯层位于脊型波导基部之上；在所述石墨烯层之上设置有与所述石墨烯层形成接触的第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和第二金属层沿波导传输方向交替放置，并按叉指方式排列，同时向脊型波导基部两侧延伸出来，形成叉指电极结构。其石墨烯层相比传统结构更接近波导中心，与导模的相互作用更强，因此可以获得更高性能，有效避免石墨烯层断裂影响性能。
基于氮化硅脊型波导嵌入石墨探测器制作方法

[发明专利]受光元件-CN202180084761.8在审
发明人：石田隼斗;广瀬真树;细川畅郎;上野山聪;广瀬和义;田中和典 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：受光元件(1)具备：基板(2)，其包含至少1个受光区域(10)，具有供光入射的光入射面(2a)；以及超透镜(3)，其形成于基板(2)的光入射面(2a)，以将入射至光入射面(2a)的光聚光。在从基板(2)的厚度方向(Z轴方向)观察的情形时，超透镜(3)形成为，与和受光区域(10)相邻的相邻区域(R1)及周缘区域(R2)两者重叠，上述周缘区域(R2)为与相邻区域(R1)连续且沿着受光区域(10)的外缘的受光区域(10)的内侧的区域。在从Z轴方向观察的情形时，于在光入射面(2a)中与受光区域(10)的中央区域重叠的区域，设置有未形成超透镜(3)的非形成区域(R3)。
元件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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