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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件-CN201610677403.9有效
发明人：郑忠庆;王志伟;王艳春 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(11)进行合金处理；在合金处理后的正面金属层(11)上形成正面钛镍银层(12)；以及对所述正面钛镍银层(12)进行蚀刻处理。本公开提供的方法制备得到正面覆盖有正面钛镍银层的功率半导体器件，封装时功率半导体器件正面能够使用焊接工艺，能够提高功率半导体器件正面的散热能力，进而提高功率半导体器件的整体散热能力。
制备功率半导体器件方法

[发明专利]用于集成电路结构的多孔半导体层转移-CN201780053627.5在审
发明人： R·哈蒙德;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种集成射频(RF)电路结构可以包括在半导体器件层的正面表面上的有源器件。与半导体器件层的正面表面相对的背面表面可以由背面电介质层支撑。集成RF电路结构还可以包括在正面电介质层上的处理衬底，该正面电介质层位于有源器件的正面和半导体器件层的正面表面的至少一部分上。集成RF电路结构可以进一步包括在半导体器件层的背面表面上的背面电介质层。背面电介质层可以远离正面电介质层布置。
电介质层半导体器件层背面正面表面源器件多孔半导体层集成电路结构电路结构集成射频衬底支撑

[发明专利]芯片键合方法-CN202011452297.7在审
发明人：郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面涂布键合胶并键合载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，从而可以将芯片的正面键合至目标晶圆上，并且，器件晶圆与载片晶圆解键合后先保留器件晶圆的正面的键合胶，键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的正面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的正面上，后续去除键合胶时可同步去除键合胶上的刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的正面的洁净度，可提高将芯片的正面键合至目标晶圆上的键合效果。
芯片方法

[发明专利]一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法-CN201410006177.2无效
发明人：李春领;王春红;秦艳红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法，包括：步骤A：将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理；步骤B：将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备；步骤C：在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行光刻胶保护，将器件正面粘结在玻璃板上；步骤D：测试碲镉汞器件表面的厚度；步骤E：对器件背面的碲锌镉衬底进行背面平坦化。通过本发明大大提高了碲镉汞材料器件的平面度，满足大面阵红外焦平面器件与Si读出电路的互连要求。
一种碲镉汞红外材料器件双面平坦方法

[发明专利]三维集成电路结构-CN202211181515.7在审
发明人：丁少锋;金知炯;朴媛智;安正勋;吴在熙;崔允基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层
三维集成电路结构

[发明专利]一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法-CN201110093629.1无效
发明人：李泽宏;张超;杨文韬;单亚东;肖璇;吴宽 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏
一种功率器件背面退火正面金属图形保护方法

[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202110729591.6在审
发明人：涂旭峰;霍炎 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：其中，半导体封装方法包括：在无源器件的正面设置基板层，无源器件的正面具有电性连接键，基板层中设有贯穿基板层相对两表面的基板层开口，基板层开口与电性连接件相对应；在裸片正面形成保护层，并在保护层上形成保护层开口；裸片正面设有焊垫，保护层开口与裸片正面的焊垫相对应；将无源器件和裸片间隔贴装于载板上；裸片的正面朝向载板，无源器件的正面朝向载板；形成包封层，包封层至少包封裸片和无源器件的侧面。通过预先在无源器件表面设置基板层，解决了部分无源器件锡端子面无法直接封装的技术难题，并且有利于保证无源器件的稳定性及可靠性。裸片正面的保护层有利于保护裸片。
半导体封装方法结构

[发明专利]带有部分密封壳体的半导体器件及其制造方法-CN201110194994.1有效
发明人：张挺;张艳红;杨海波;马清杰;谢志峰;邵凯 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种带有部分密封壳体的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供覆盖基底，在覆盖基底的正面形成正面凹坑；在覆盖基底的正面淀积停止材料，形成刻蚀停止层；刻蚀覆盖基底上部分正面凹坑的正对背面，直至露出刻蚀停止层，在覆盖基底的背面形成背面凹坑；提供器件基底，其上形成有半导体器件；将覆盖基底与器件基底正面对接并固定，在器件基底上方形成部分密封壳体。相应地，本发明还提供一种带有部分密封壳体的半导体器件。本发明的制造方法属正面加工工艺，与CMOS制造工艺兼容。在器件基底的对接覆盖时，采用的工艺温度低于400度，并且形成部分密封壳体后基底的总厚度显著减薄。
带有部分密封壳体半导体器件及其制造方法

[发明专利]背面图形化的方法-CN201110412660.7有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面图形化的方法，包括以下步骤：将器件硅片A的背面A2向上，在A2上形成进入硅本体的深沟槽的对准标记；对器件硅片A的背面A2采用正面光刻工艺，进行注入或刻蚀形成背面图形区；对器件硅片A的背面A2采用正面成膜工艺，沉积研磨阻挡层；将器件硅片A反转，将器件硅片的背面A2与衬底硅片B的正面B1进行键合，使器件硅片A的正面A1向上；从正面研磨器件硅片A正面A1至所需要的厚度D2，并露出深沟槽对准标记；形成正面器件结构；对键合后的硅片，从衬底硅片B的背面B2开始进行研磨，直至研磨阻挡层；去除研磨阻挡层。
背面图形方法

[发明专利]具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法-CN201210008175.8有效
发明人：蔡双吉;杨敦年;刘人诚;王文德;林政贤;何承颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。
具有接合屏蔽结构半导体器件及其制造方法

[实用新型]三维集成光互连芯片-CN201821124540.0有效
发明人：涂芝娟;方青;汪巍;蔡艳;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型提供的三维集成光互连芯片，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。
晶圆三维集成光互连芯片背面本实用新型光耦合光耦合端面方向延伸器件结构球形焊点制造成本制造工艺硅通孔键合延伸

[发明专利]电子设备、显示器件及显示器件的制备方法-CN201710055261.7在审
发明人：于涛;韩高才;李竹新 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开是关于一种电子设备、显示器件及显示器件的制备方法。其中，所述显示器件包括柔性OLED层，其至少一个边缘包括弯折段以及连接于所述弯折段两端的第一主体段和第二主体段，所述第一主体段位于靠近所述显示器件正面的一侧，所述第二主体段位于远离所述显示器件正面的一侧本公开的显示器件采用柔性OLED层，并且将柔性OLED层进行弯折，然后将驱动芯片设置在柔性OLED层上远离显示器件正面一侧的第二主体段上，使驱动芯片不再占用柔性OLED层上靠近显示器件正面一侧的第一主体段的空间，从而为显示器件的正面留出更多的显示空间，以实现全面屏的显示效果。
电子设备显示器件制备方法

[发明专利]微波薄膜混合集成电路的制备方法-CN202010084967.8有效
发明人：史光华;常青松;徐达;要志宏;王真;闫妍;张延青;王雪敏;杨阳阳;李玲;张慧芳;任淑敏;宋坤;杨会娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。
微波薄膜混合集成电路制备方法

[发明专利]电气布线器件-CN200980156747.3有效
发明人： R.维克托里厄斯 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01R13/717 文献下载
摘要：本发明涉及一种电气布线器件(1)，包括一个用于插座的器件底座(2)，该器件底座(2)可借助支承框架固定在布线外壳上，以及包括固定在正面的正面部件(4)，该正面部件(4)可以是整体或由多个部分组成，其中，设在器件底座内的接触元件可与电源电压连接以及设计用于承接插销。正面部件包括一个功能模件，其中，该功能模件可拆地设置在器件底座上，以及其中，功能模件的插销可拆地插入器件底座的接触元件中。
电气布线器件

[发明专利]一种形成器件正面金属图形的方法-CN201410436940.5有效
发明人：陈永南;胡守时 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种形成器件正面金属图形的方法，包括形成器件内部互连金属层；形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层；对第一光刻胶层实施无器件正面金属图形的曝光处理；形成覆盖第一光刻胶层的第二光刻胶层；实施有器件正面金属图形的曝光处理，并对经过所述曝光的区域的自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理；形成覆盖晶圆正面的器件正面金属层；对晶圆依次实施贴膜处理和揭膜处理，依靠纯物理属性的粘附力将所述光刻胶层以及位于所述光刻胶层上方的器件正面金属层部分一起撕拉掉
一种形成器件正面金属图形方法

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