专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]边几(兔子)-CN202330233615.9有效
  • 陈永南 - 陈永南
  • 2023-04-25 - 2023-10-20 - 06-03
  • 1.本外观设计产品的名称:边几(兔子)。2.本外观设计产品的用途:用于放置茶杯等物品的边几。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
  • 兔子
  • [发明专利]一种形成器件正面金属图形的方法-CN201410436940.5有效
  • 陈永南;胡守时 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2014-08-29 - 2017-12-15 - H01L21/60
  • 本发明提供一种形成器件正面金属图形的方法,包括形成器件内部互连金属层;形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层;对第一光刻胶层实施无器件正面金属图形的曝光处理;形成覆盖第一光刻胶层的第二光刻胶层;实施有器件正面金属图形的曝光处理,并对经过所述曝光的区域的自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理;形成覆盖晶圆正面的器件正面金属层;对晶圆依次实施贴膜处理和揭膜处理,依靠纯物理属性的粘附力将所述光刻胶层以及位于所述光刻胶层上方的器件正面金属层部分一起撕拉掉;对晶圆进行表观检查。根据本发明,可以提高工艺的稳定性,降低制造成本。
  • 一种形成器件正面金属图形方法
  • [实用新型]一种卫生口罩-CN201621073480.5有效
  • 陈永南 - 温州尊仕贸易有限公司
  • 2016-09-23 - 2017-04-12 - A41D13/11
  • 本实用新型涉及防护用品技术领域,尤其涉及一种卫生口罩。该卫生口罩包括C型支撑框架和透明罩体,所述的C型支撑框架一端中部设置下颌套扣,所述的C型支撑框架另一端设置焊接面,所述的焊接面通过超声波焊接方式与透明罩体相连接,且在焊接面上设置多条连接凸条。本实用新型所具有的有益效果是采用PC材料制成,所述的C型支撑框架超声波通过焊接方式与透明罩体相连接,且在焊接面上设置多条连接凸条,使其连接更加稳定牢固,结构简单,具有防雾功能,能够防止说话时口腔泡沫的飞溅,长时间佩戴不会潮湿。
  • 一种卫生口罩
  • [外观设计]透明口罩-CN201630479735.7有效
  • 陈永南 - 温州尊仕贸易有限公司
  • 2016-09-23 - 2017-02-15 - 29-02
  • 1.本外观设计产品的名称透明口罩。2.本外观设计产品的用途本外观设计产品用于餐饮行业,防止唾沫飞溅,使用者将其佩戴在脸部。3.本外观设计产品的设计要点产品的整体外观形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。5.A部为透明材料。
  • 透明口罩
  • [实用新型]一种不锈钢无烟烧烤炉-CN201620148665.1有效
  • 陈永南 - 广州市聚盈食品加工机械有限公司
  • 2016-02-29 - 2016-12-07 - A47J37/06
  • 本实用新型涉及一种烤炉,特别涉及一种不锈钢无烟烧烤炉。其结构包括底架和外壳,所述的外壳内设置有保温层,所述的保温层内层设置不锈钢炉膛,所述的不锈钢炉膛的内顶部设置有旋转架,所述的旋转架上方通过穿过不锈钢炉膛以及保温层的转轴连接设置于保温层上方的电机,所述的不锈钢炉膛内设置有发热管和热风循环风轮,所述的热风循环风轮连接不锈钢炉膛外部的热风循环风机,保温层和不锈钢炉膛之间设置有储水夹层,所述的储水夹层上方通过进水管连接进水箱,所述的储水夹层顶部设置有蒸汽出口,所述的储水夹层底部设置有夹层排水口。本实用新型提供了一种不锈钢无烟烧烤炉,其不容易烤焦食物,且环保卫生,使用寿命久。
  • 一种不锈钢无烟烧烤
  • [发明专利]一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制备方法-CN201410737639.8在审
  • 胡守时;陈永南 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2014-12-05 - 2016-06-29 - H01L29/872
  • 本发明提供一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制备方法,所述二极管包括:半导体衬底及其背面的背面金属层;位于半导体衬底中的多个第一沟槽填充结构和第二沟槽填充结构,第一沟槽填充结构的特征尺寸小于第二沟槽填充结构的特征尺寸,第一沟槽填充结构为栅极结构,该栅极结构为生长在第一沟槽的侧壁及底部的栅极氧化层和生长在栅极氧化层上的栅极材料层,第二沟槽填充结构为提高反向耐压的结构,其由位于第二沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层、生长在栅极氧化层上的势垒金属层、以及位于第二沟槽侧壁的栅极氧化层与势垒金属层之间的栅极材料层构成,势垒金属层还覆盖第一沟槽填充结构。根据本发明,可以提高器件的集成度、正向电流密度和反向耐压。
  • 一种沟槽肖特基势垒二极管及其制备方法

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