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[发明专利]一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法-CN202111299798.0在审
发明人：杨绍明;杨磊;方建强 -专利权人：上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；形成N+发射极以及形成P+发射极；对栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；在N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；于P型离子注入层背向述N型基板背面执行金属工艺。其技术方案的有益效果在于，其在电荷平衡制程条件下，超级结的双极晶体管的崩溃电压值是由P型复晶硅柱深度决定，有利不同额定电压之功率器件发展。
一种绝缘双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT-CN202110351484.4在审
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型超结绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较高的第二导电类型的顶部区，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。
一种含有 top 逆导型超结 igbt

[发明专利]一种离子交换膜、抗污染结垢的废盐液利用装置及应用-CN202310461667.0在审
发明人：祝海涛;吴雅琴;张阳阳;熊威 -专利权人：杭州水处理技术研究开发中心有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01D61/44 文献下载
摘要：本发明提出一种离子交换膜、抗污染结垢的废盐液利用装置及应用，属于废盐资源化处理技术领域。包括设置于电解槽中的双极膜电渗析组器，双极膜电渗析组器中设有阳极板和阴极板，在阳极板和阴极板之间设有至少一组双极膜电渗析膜堆，双极膜电渗析膜堆为依次间隔设置的阳极侧混合基质型双极膜、第一隔网、复合阴离子交换膜、第二隔网、复合阳离子交换膜、第三隔网和阴极侧混合基质型双极膜。本发明装置处理废盐液后得到净化的酸和碱，高效去除废盐液中污染物的同时将盐转化为酸和碱，实现废盐液的高值化利用，并且装置中混合基质型双极膜与复合离子交换膜抗污染性能好，解决废盐液处理难度大、高值化利用率低及装置运行不稳定等问题
一种离子交换污染结垢废盐液利用装置应用

[发明专利]横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法-CN202111560389.1在审
发明人：马乐言;亚历克斯·德里克森;阿里·拉扎维;王海艇 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及一种横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法。一种非均匀基底宽度双极型晶体管BJT器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有上表面；以及BJT器件，该BJT器件包括位于半导体衬底中的集电极区、基极区和发射极区，基极区位于集电极区与发射极区之间；基极区包括顶表面和底表面
横向双极结型晶体管器件以及制造这种方法

[发明专利]一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET-CN201810137190.X有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶体管使第一种导电类型和第二种导电类型的载流子分别在所述半导体第一漂移区和所述半导体第二漂移区中流动本发明达到了在超结MOSFET中实现了两种载流子同时参与导电且保证同时不形成电导调制的目的。
一种有两种载流子导电功率 mosfet

[发明专利]GaN基横向超结器件及其制作方法-CN201811153660.8有效
发明人：张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；GaN基横向超结器件还包括复数个间隔设置的P型半导体，P型半导体分布在栅极下方；P型半导体形成于第一半导体上，且源极或漏极与P型半导体连接或不连接，或者，P型半导体形成于第二半导体上，且在相邻两个P型半导体之间以及在所述P型半导体与源极或漏极中的任意一者之间还形成有高阻半导体本发明提供的GaN基横向超结器件，击穿电压高、比导通电阻小；制作工艺简单，重复性好。
gan 横向器件及其制作方法

[实用新型]一种弯角平面双结型稳压二极管-CN201620913567.2有效
发明人：刘忠玉;骆宗友 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种弯角平面双结型稳压二极管，包括封装体和二极管本体，二极管本体置于封装体内部，二极管本体包括芯片、金属触点和引线，金属触点分设在芯片的上下表面，芯片的左右两侧分设有阳极引脚和阴极引脚，本实用新型的有益效果是增设电压电流保护装置，避免二极管电压电流过高被烧坏；引脚设为弯角，免除后期需要折弯引脚时的弯角步骤，减少焊接工序；采用平面双结型稳压芯片，实现多电压等级稳压器件的制作，生产效率高、
一种弯角平面双结型稳压二极管

[发明专利]双极型晶体管工作在放大区的结温实时测量方法-CN201610985242.X有效
发明人：郭春生;丁嫣;姜舶洋;冯士维;苏雅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：双极型晶体管工作在放大区时结温的实时测量方法，属于半导体器件测试领域。本发明在双极型晶体管工作在不同集电结电压V_ce和集电极电流I_ce的条件下测量出发射结电压与温度的V_be‑T关系曲线，通过拟合得到校温曲线的函数表达式，并在不同集电结电压V_ce条件下分别构建I_ce‑V_be‑T的结温库。当晶体管工作在放大区时，根据加电条件，即集电结电压V_ce和集电极电流I_ce的数值，和实时测量出的发射结电压V_be，带入函数表达式即可得知该时刻的结温该方法拟合出不同加电条件下的校温曲线并得出相应的函数表达式，只需将实时测量出的发射结电压带入其中即可得到此时刻的结温。该方法科学合理，误差较小，是一种高效的结温实时测量方法。
双极型晶体管工作大区实时测量方法

[发明专利]一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路-CN202010080566.5有效
发明人：明鑫;刘媛媛;范子威;张志文;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路，属于电源管理技术领域。本发明提出双环控制模式产生带隙基准电压，第一个环路利用第一运算放大器的高增益特性保证第二NPN双极结型晶体管和第三NPN双极结型晶体管的集电极电位相同，从而产生温度特性准确的基准电压，第二个环路在基准建立好后利用第二运算放大器的负反馈特性产生与电源电压波动无关的局部电源电压
一种电源抑制控制基准电路

[发明专利]非接触式电压检测传感器-CN201910279530.7在审
发明人：刘家朋 -专利权人：上海汇像信息技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明涉及电路设备电压检测技术领域，公开了一种非接触式电压检测传感器，包括结型场效应管、电源单元和信号处理单元，所述结型场效应管的栅极感应空间电场，所述电源单元连接至结型场效应管的源极，所述结型场效应管的漏极连接至信号处理单元，所述电源单元提供给结型场效应管的源极电压小于3.5V，所述结型场效应管的漏极输出电流或电压与栅极感应的电场呈线性对应，所述信号处理单元接收漏极电流信号进行处理输出。
结型场效应管信号处理单元电源单元电压检测传感器非接触式栅极感应漏极输出电压波形信号进行处理电路设备电压检测空间电场漏极电流输出电流源极电压电场源极电网输出

[实用新型]非接触式电压检测传感器-CN201920468264.8有效
发明人：刘家朋 -专利权人：上海汇像信息技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路设备电压检测技术领域，公开了一种非接触式电压检测传感器，包括结型场效应管、电源单元和信号处理单元，所述结型场效应管的栅极感应空间电场，所述电源单元连接至结型场效应管的源极，所述结型场效应管的漏极连接至信号处理单元，所述电源单元提供给结型场效应管的源极电压小于3.5V，所述结型场效应管的漏极输出电流或电压与栅极感应的电场呈线性对应，所述信号处理单元接收漏极电流信号进行处理输出。
结型场效应管信号处理单元电源单元本实用新型栅极感应漏极电压检测传感器输出电压波形信号进行处理电路设备电压检测非接触式空间电场漏极电流输出电流源极电压电场源极电网输出

[发明专利]一种集成快恢复二极管的SiC功率器件-CN201911105068.5有效
发明人：易波;赵青;谢欣桐;张浩悦;陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/86 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成快恢复二极管的SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中，对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成PN结体二极管的逆导型SiC IGBT，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；与此同时，通过设置底部的阳极深槽，设计阳极深槽深度、槽与槽之间的间距，从而调节电子流过路径的电阻，所述可以在单元胞内实现逆导型IGBT的输出特性无转折进入双极型工作模式。
一种集成恢复二极管 sic 功率器件

[发明专利]高坚固性的异质结双极型晶体管-CN202110031563.7在审
发明人：黄朝兴;金宇中;陈凯伦 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。
坚固异质结双极型晶体管

[发明专利]一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺-CN201310273074.8有效
发明人：陈强;张复才;沈美根;多新中;郑立荣;姚荣伟 -专利权人：江苏博普电子科技有限责任公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺。本发明通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，首先在通过干法刻蚀工艺技术形成沟槽之后、在沟槽的场氧化进行之前，加一步离子注入工艺将P-型元素硼（B）离子预反掺杂到沟槽场区硅中，然后将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，使用该工艺技术方法制造的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo击穿电压50%以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能
一种提高双极型晶体管 bvcbo 生产工艺

[实用新型]一种半导体二极管的新型结构-CN201420302897.9有效
发明人：肖乾 -专利权人：青岛矽科微电子有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子信息技术领域，特别涉及一种半导体二极管的新型结构，包括P型极、N型极和PN结，PN结设置在P型极和N型极之间；所述PN结由若干个凹形排和若干个凸形排组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成在使用本实用新型时，通过将平面形的PN结变为多个弧形面的PN结，从而实现了通过增大PN结面积来提高了电流密度的目的。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。
一种半导体二极管新型结构