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[发明专利]一种具有抗ESD功能的GaN HEMT器件-CN202311076967.3在审
发明人：张鹏飞;赵智家;罗小蓉;谢欣桐;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体是涉及一种具有抗ESD功能的GaN HEMT器件。基于GaN HEMT与级联二极管具有高阈值、高耐压的特点，当GaN HEMT器件栅极施加电压达到ESD触发电压时，串联二极管导通形成静电泄放通道，使功率器件栅极电压不再上升，从而保护功率器件栅极不被高压击穿。本发明可有效提高器件抗ESD电压等级，增强器件鲁棒性，提升器件可靠性。栅源ESD静电泄放路径的级联二极管与GaN HEMT相同工艺步骤，易于实现集成。
一种具有 esd 功能 gan hemt 器件

[发明专利]基于二维傅里叶变换的极多波长干涉测距距离解调方法-CN202310156099.3在审
发明人：何晋平;谢欣桐;朱小明 -专利权人：中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维傅里叶变换的极多波长干涉测距距离解调方法，包括绝对距离测量、微小相对位移测量。本发明的方法只需对校正非线性色散效应后的二维光谱进行一次二维傅里叶变换，即可获得与距离信息相关的特征参数，继而反解出距离信息或相对位移信息，步骤简洁、引入误差量少、测量更快、精度更高；在绝对距离测量时本发明只要求光梳重频Fr锁定，只有在微小相对距离测量时才需要Fr、F0同时锁定，所以在绝对距离测量时，常见的商用光梳完全满足要求；本发明中，与待测距离相关的包络条纹空间频率对整体的条纹频率敏感度高，对光梳原始功率谱的抖动以及背景有很好的抗噪性。
基于二维傅里叶变换极多波长干涉测距距离解调方法

[发明专利]一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法-CN202211402574.2在审
发明人：罗小蓉;赵智家;魏杰;谢欣桐;孙涛;邓思宇;贾艳江;薛刚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种采用选择性外延工艺的GaN HEMT器件的制造方法。该制造方法中，先在Uid‑GaN层上外延介质并结合光刻、刻蚀工艺形成介质硬掩膜，在此结构上选择性外延生长P‑GaN层和P++‑GaN层，不仅实现了P‑GaN栅结构，而且为B电极欧姆接触的形成提供了条件，最后实现具有极化结的增强型器件。相较于利用部分或全部刻蚀P‑GaN层来实现极化结和增强型的技术，本发明采用选择性外延工艺，避免了刻蚀工艺引入的晶格损伤，降低界面态密度，减少了其对2DEG迁移率的影响。
一种采用选择性外延工艺 gan hemt 器件制造方法

[发明专利]一种采用选择性外延工艺的GaN CMOS反相器的制造方法-CN202211402622.8在审
发明人：薛刚;魏杰;赵智家;谢欣桐;孙涛;贾艳江;邓思宇;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种采用选择性外延工艺的GaN CMOS反相器的制造方法。该制造方法中，先在GaN帽层上外延介质并结合光刻、刻蚀工艺形成介质硬掩膜，在此结构上选择性外延生长p‑GaN层与SiNx钝化层，最后去除介质硬掩模，完成P‑FET与N‑FET的源漏欧姆接触后再淀积介质形成增强型P‑FET的凹槽型MIS栅极，同时选择性外延生长的p‑GaN层也作为N‑FET的p‑GaN栅而实现增强型，最后经过N‑FET与P‑FET之间电极的金属互联后形成GaN CMOS反相器。相较于利用部分或全部刻蚀p‑GaN层来实现增强型技术，本发明减少了因刻蚀p‑GaN层引入的晶格损伤，提升界面的质量并减少沟道电子和空穴迁移率降低，且无需控制刻蚀的精度。
一种采用选择性外延工艺 gan cmos 反相器制造方法

[发明专利]一种采用选择性外延工艺的GaN P-FET器件的制造方法-CN202211407488.0在审
发明人：罗小蓉;谢欣桐;赵智家;薛刚;孙涛;魏杰;邓思宇;贾艳江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种采用选择性外延工艺的GaN P‑FET器件的制造方法。该制造方法中，先在GaN帽层上淀积介质并通过刻蚀形成硬掩膜，定义栅的位置，再通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)依次生长P‑GaN层与SiNx钝化层，接着在两端形成欧姆接触的源极和漏极，之后去除硬掩膜，在此处制作凹槽型的栅极，最终实现了增强型GaN P‑FET。相较于利用部分或全部刻蚀栅极下方的P‑GaN层来实现增强型P‑FET的凹槽栅技术，本发明降低了因刻蚀P‑GaN层引入的晶格损伤，提升了栅极界面的质量并防止沟道空穴迁移率降低，且无需控制凹槽刻蚀的精度。
一种采用选择性外延工艺 gan fet 器件制造方法

[发明专利]一种集成快恢复二极管的SiC功率器件-CN201911105068.5有效
发明人：易波;赵青;谢欣桐;张浩悦;陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/86 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成快恢复二极管的SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中，对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成PN结体二极管的逆导型SiC IGBT，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；与此同时，通过设置底部的阳极深槽，设计阳极深槽深度、槽与槽之间的间距，从而调节电子流过路径的电阻，所述可以在单元胞内实现逆导型IGBT的输出特性无转折进入双极型工作模式。
一种集成恢复二极管 sic 功率器件

[发明专利]一种工业大麻的杂交育种方法-CN201910129138.4有效
发明人：程超华;粟建光;谭昕;陈越;唐蜻;戴志刚;施逢时;胡岂瑄;谢欣桐;邓灿辉;许英;杨泽茂;刘婵 -专利权人：中国农业科学院麻类研究所;云南素麻生物科技有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： A01H1/02 文献下载
摘要：本发明涉及杂交育种技术领域，特别涉及一种工业大麻的杂交育种方法。该杂交育种方法包括如下步骤：播种母本DMG231，播种父本DMG240；母本DMG231与父本DMG240隔行种植；母本DMG231与父本DMG240杂交，得到F1代种子；种植F1代种子，得到F1代植株。通过本发明育成的全雌型高大麻二酚工业大麻杂交种，具有CBD含量高，性别全部为雌性，适合我国南方地区种植的特点。
一种工业大麻杂交育种方法

[实用新型]一种饭桌和兵乓球桌两用桌-CN202020848808.6有效
发明人：练桂媚;练毅;覃艺;谢欣桐 -专利权人：覃艺
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： A47B31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种饭桌和兵乓球桌两用桌，属于两用桌台领域，解决传统折叠两用桌容易夹到手的问题。它包括第一平板和第二平板，所述的第二平板两侧设有T形滑轨，所述的第一平板滑动套设在两个T形滑轨上，所述第一平板的一端底部设有支撑柱，所述的支撑柱底部活动安装有带有刹车装置的万向轮，所述第二平板的一端设有支撑腿；所述第一平板的另一端两侧均设有铰接轴，每个所述的铰接轴上靠近第一平板的一端均通过轴承安装有转动块，每个所述的铰接轴上远离第一平板的一端活动套接有拉杆，两个所述的拉杆之间活动套设有挡球网。本实用新型的饭桌和兵乓球桌两用桌，可以有效防止夹到手的问题，具有使用方便、使用安全性高的特点。
一种饭桌兵乓球桌两用

[发明专利]一种抗EMI超结器件-CN202010047093.9有效
发明人：任敏;郭乔;雷清滢;谢欣桐;孙涵涵;郝超越;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗EMI超结器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结器件，通过在漂移区内引入高K介质材料柱，从而与纵向相邻的半导体衬底、多晶硅调控栅形成MIS电容，并使多晶硅调控栅与外部电压调控模块相连，在不影响器件耐压的前提下，通过调节多晶硅调控栅上的电位，就可以改变不同漏压下密勒电容Cgd的大小，使Cgd曲线尽可能在低漏压下减小，高漏压下增大，从而实现开关损耗和开关EMI噪声的双向优化。
一种 emi 器件

[发明专利]一种FeSiAl系合金微粉电磁吸收剂的制备方法-CN201610965509.9有效
发明人： 谢欣桐;张楠 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明属于属于电子材料技术领域，具体为一种FeSiAl系合金微粉电磁吸收剂的制备方法。本发明通过将FeSiAl系合金微粉装入管式炉中，通入保护气氛，再进行热处理，即可得到本发明所述的电磁吸收剂。该吸收剂以体积比28.5％～35％的比例与辅助材料复合，制备成电磁波吸收材料时，可实现保证材料的微波磁导率不降低，同时显著降低材料的有效介电常数，更好地实现阻抗匹配，提高吸波性能。且操作方法简便易行，相比现有技术降低成本，并适合大规模生产。
一种 fesial 合金电磁吸收剂制备方法

[发明专利]Fe‑Co双粒子纳米磁性液体及其制备方法-CN201510184640.7有效
发明人：董桂馥;连政勤;谢欣桐;林士钰 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种Fe‑Co双粒子纳米磁性液体及其制备方法，属于功能材料领域，该方法为将纳米级Fe粉和Co粉注入反应容器中，再加入白油、表面活性剂，将反应容器放入真空系统中，脉冲激光沉积制备出Fe‑Co双粒子纳米磁性液体。本发明利用PLD产生的等离子体，通过电离与活化的形式使固‑液两相混合介质进行反应制备Fe‑Co双粒子纳米磁性液体，纳米磁性微粒被表面活性剂很好地包覆，比现有方法得到的磁性液体颗粒分布更均匀，具有良好的分散性，尺寸细小，平均粒径可达到10nm左右，饱和磁化强度提高了25％，本发明操作方法简单、反应时间短，产物稳定性好，易检测，无污染，适合工业化生产。
fe co 粒子纳米磁性液体及其制备方法

[发明专利]一种用于薄膜材料热物理特性的测量器件-CN201610513652.4在审
发明人：王昕;蒲逸然;谢欣桐;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料测量与分析领域，具体涉及一种用于薄膜材料热物理特性的测量器件。该测量器件，从下至上依次包括支撑层、绝缘导热层、电阻丝和导体丝层。本发明采用电阻丝同时作为加热器与传感器，通过测量电压探针导体丝间的电阻丝裸露部分的阻温特性，得到电压探针导体丝间的电阻丝裸露部分的温度‑时间曲线，测试时使用设置空白对照的方法；得到薄膜的热容‑温度曲线。本发明具有结构简单，制作工艺简单，测试速率快，测试精度高等特点，为薄膜的热物理特性测试提供了一种有效的方法。
一种用于薄膜材料物理特性测量器件

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