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[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220726.7有效
发明人：汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具有集电极、发射极和被配置在集电极与发射极之间的半导体主体，其中，该半导体主体包括：第一基区，具有第一导电型；源区，具有与第一导电型不同的第二导电型并且与第一基区形成第一pn结；以及至少一个沟槽，其填充有栅极并且具有第一宽度的第一沟槽部和第二宽度的第二沟槽部，第二宽度不同于第一宽度，其中，发射极包括第一金属化层和接触部，该接触部与半导体主体接触。因此，能够改善绝缘栅双极型晶体管的热传导特性，即，改善散热特性，从而能够最小化其自发热效应的影响。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种载流子存储增强的超结IGBT-CN201710413504.X有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其中发射区的半导体材料的禁带宽度比其它半导体区域的更高，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，抑制了从集电区注入耐压区的少数载流子被基区收集，从而提高载流子在耐压区中的存储效果。与传统超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件可以获得更低的导通压降。
一种载流子存储增强 igbt

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210093547.1在审
发明人：苟鸿雁;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：根据本发明提供的绝缘栅双极型晶体管包括：集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极，其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，所述漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；并且其中，所述缓冲区包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，其中所述第一掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二掺杂区域的掺杂浓度，并且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在所述缓冲区中交错布置。本发明提供了一种能够在保证关态的击穿电压特性以及导通压降特性不会退化的情况下改善切换速度的绝缘栅双极型晶体管。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202211146638.7有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法，SiC半超结结型栅双极型晶体管器件由下至上依次为集电极金属层、P+型衬底层、N型辅助层、沿N型辅助层的宽度方向交替地形成在N型辅助层上的N柱区和P柱区、位于N柱区和P柱区上的N‑漂移区、位于N‑漂移区两侧的P+掺杂区、P+掺杂区上的栅极金属层、N‑漂移区上的N+发射极区和N+发射极区上的发射极金属层。本发明采用的结型栅双极型晶体管结构，可以彻底消除栅极氧化层带来的缺陷，并且具有优异的导通特性和开关性能，并引入半超结结构，进一步地提高了本发明的击穿电压，降低导通电阻。
一种 sic 半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

[发明专利]异质结双极型晶体管及其制作方法-CN202110294738.3有效
发明人：黄治浩;蔡文必;郭佳衢;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请提供一种异质结双极型晶体管的制作方法，该制作方法可以在不更改既有的HBT制程的基础上，在制作绝缘区域上方的第二金属氮化物层的同时，制作位于非绝缘区域上的第一金属氮化物层，且制作形成的第三金属层与第一金属氮化物层材料不同该制作方法可以在不需要增设光罩和光刻工序的基础上得到具有两个不同开启电压的肖特基二极管的HBT，可达到减少工序、提高效率、降低成本的效果。此外，本申请还提供一种异质结双极型晶体管，该HBT可具有两个肖特基二极管，可以选择不同的开启电压，以适配不同的电路需求，增加了HBT的适配性。
异质结双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201210369269.8有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;宫本优太 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成PN结二极管。P+型嵌入层与P+型引出层（5）成为一体且将N-型外延层（4）贯通而与阳极电极（10）连接。由P+型嵌入层等包围的N-型外延层上形成N+型扩散层（7）和与该N+型扩散层连接且围绕它的P+型扩散层（6）。N+型扩散层、P+型扩散层与阴极电极（9）连接。由将P+型扩散层作为发射极、将N-型外延层作为基极、将P+型引出层等作为集电极的寄生PNP双极型晶体管（38）和PN结二极管（35）构成ESD保护元件。
半导体装置

[发明专利]一种基于130nmGeSi工艺的压控振荡器-CN202310298521.9在审
发明人：蒋理足;杨涛;夏鑫琳;刘宇;彭浩;周翼鸿 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明对传统的差动形式的Colpitts型压控振荡器进行创造性改进，在振荡器两个异质结双极型晶体管的集电极与发射极之间加入了耦合电容C0，用来增加压控振荡器输出信号的振幅；同时，在异质结双极型晶体管的发射极和电容节点之间加入了电感
一种基于 130 nmgesi 工艺压控振荡器

[发明专利]与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管-CN201710456658.7有效
发明人： C.达尔;D.A.楚马科夫 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上；在半导体衬底和衬垫上提供隔离层，以使得衬垫被隔离层覆盖；去除隔离层直至衬垫；以及选择性地去除衬垫，以获得发射极窗口
扩散区域完全对准异质结双极晶体管

[发明专利]一种双极型晶体管，制备方法及检测电路-CN202211030878.0在审
发明人： E.伊朗曼纳什;梁梓浩;周航 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型晶体管，制备方法及检测电路，应用于晶体管技术领域。使用压电薄膜作为晶体管中的n型掺杂层，由两个n型压电层夹住p型聚合物形成n‑p‑n结构的双极型晶体管，任何机械应力施加在该晶体管顶部时，会在压电层产生电荷，并在压电层上下两个表面极化，相反的电荷积聚在不同的表面且由于形成有两个pn结，自由载流子钝化可以使输出信号放大，从而通过施加压力可以增强感应压电势，从而实现在双极型晶体管中传感功能与能量采集功能的结合，在传感功能工作时可以同时进行能量采集，无需外加任何电源和信号放大电路
一种双极型晶体管制备方法检测电路

[发明专利]超结场效应管及超结场效应管的制造方法-CN201711414698.1在审
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种超结场效应管及超结场效应管的制造方法。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
场效应制造方法

[发明专利]结温测量方法、装置、设备、存储介质和程序产品-CN202210666012.2在审
发明人：祝令瑜;汲胜昌;焦乾明;占草;刘占磊;张雅欣;王伟丞;李斯盟;熊庆;张凡;吕亮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种结温测量方法、装置、设备、存储介质和程序产品。该方法包括：获取待测量芯片的负载电流、准关断电流以及反向恢复电流；待测量芯片包括绝缘栅双极型晶体管IGBT芯片和续流二极管FWD芯片；准关断电流根据负载电流确定；根据负载电流、准关断电流和预先获取的第一校准关系确定IGBT芯片的结温；根据负载电流、反向恢复电流和预先获取的第二校准关系确定FWD芯片的结温。采用本方法能够提高结温测量的准确率。
测量方法装置设备存储介质程序产品

[发明专利]对系统级脉冲的第一峰鲁棒的BIG‑FETESD保护-CN201410432672.X有效
发明人：吉耶兹·简·德拉德 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：在一个实施例中，ESD保护装置包括双极绝缘栅场效应晶体管，配置为在ESD事件期间传导ESD脉冲。双极绝缘栅场效应晶体管包括背栅端子；源极端子；以及电流分配器，与背栅端子和源极端子连接，并且配置为响应于ESD脉冲期间在双极绝缘栅场效应晶体管中产生的电流，均匀地激活双极绝缘栅场效应晶体管的寄生双极结型晶体管
系统脉冲第一峰鲁棒 big fetesd 保护

[实用新型]一种双芯超结MOS器件-CN202222485722.3有效
发明人：周文定;苏建中;辜睿智 -专利权人：成都赛力康电气有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。
一种双芯超结 mos 器件

[发明专利]将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路-CN201210340087.8有效
发明人：林国藩 -专利权人：全汉企业股份有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包括有：至少一阻抗组件、一电容器、以及一双极性结型晶体管。尤其是，该缓冲电路中的该至少一阻抗组件可为至少一齐纳二极管；针对保护电力／电子组件、降低高频干扰及突波电压、以及改善效率，该缓冲电路在采用齐纳二极管的情况下的效能较在采用别种阻抗组件的情况下的效能更佳。
极性晶体管用于缓冲电路方法

[发明专利]将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路-CN201210338784.X有效
发明人：林国藩 -专利权人：全汉企业股份有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且其发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。
极性晶体管用于缓冲电路方法