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[实用新型]结型场效应管-CN201720505932.0有效
发明人：任留涛;李菲;禹久赢 -专利权人：超致（上海）半导体有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结型场效应管，包括：P型衬底；P型衬底上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区；第一N型轻掺杂区两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区和作为源极的第二N型重掺杂区；第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间设有氧化层，氧化层位于第一N型轻掺杂区的上表面；氧化层的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区，第一N型轻掺杂区的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区，背栅与正栅位置对应；还包括覆盖于正栅
氧化层漏极源极二氧化硅绝缘层结型场效应管本实用新型上表面背栅衬底上表面电流导通工作电压夹断电压下表面衬底导出沟道引脚制备覆盖

[实用新型]结型场效应管-CN200920040469.2无效
发明人：曹燕军;金银龙;徐青青 -专利权人：常州银河世纪微电子有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结型场效应管。且第一导线从第一焊球中向上方拉出，其另一端与芯片上的D级焊球相连；第二导线的一端通过第二焊球焊接在第二引线脚上，且第二导线从第二焊球中向上方拉出，其另一端与芯片上的S级焊球相连；本实用新型的这种结构封装后的成品结型场效应管超薄
场效应

[发明专利]量子五极场效应管-CN201210537204.X在审
发明人：陈志波;陈霖 -专利权人：陈志波;陈霖
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：量子五极场效应管就是在结型场效应管的基础上加上绝缘栅极，以此构造成同时兼具结型场效应管功能和绝缘栅场效应管功能的双关联场效应管；例如，把N结型P沟道场效应管的源极S移至P沟道中央，作为场效应管的源极S，然后在原来的源极位置密封上一层氧化膜SiO2作绝缘层，在氧化膜SiO2的外缘植入金属栅极G，这样，以场效应管的源极S为分界线，靠近场效应管漏极D那一端相当于N结型P沟道场效应管，靠近场效应管绝缘栅极G那一端相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管，原来N结型P沟道场效应管的N结门极也是P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s和漏极d，经过如此改造的场效应管有一个绝缘栅极G、一个漏极D、一个源极S、一个N结基片门极O(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s)和N结门极T(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的漏极d)，共五个电极，而且在同一只场效应管上实现了“通”和“断”、“真”和“假”、“1”和“0”的有机统一，所以我们称之为量子五极场效应管
量子场效应

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311107760.8在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，同一半导体器件上集成有并联设置且共用源极沟槽结构的结型场效应管和金属氧化物场效应管，能对结型场效应管和金属氧化物场效应管进行同步开关控制，利用结型场效应管的沟道关闭能力比金属氧化物场效应管的沟道关闭能力弱的原理，在同步关闭结型场效应管和金属氧化物场效应管时，使得浪涌电流优先通过结型场效应管的导电沟道，解决了金属氧化物场效应管在反向浪涌状态下的电流泄放问题，能避免反向浪涌电流引起的金属氧化物场效应管的雪崩发热现象和雪崩位错现象，改善了抗浪涌能力，提升了可靠性；同时，对应制作方法与沟槽型金属氧化物场效应管的制作工艺兼容，工艺流程简单，成本低。
半导体器件及其制作方法

[其他]直接耦合的半导体逻辑电路-CN101985000008261在审
发明人：五之井克明 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-09 - 公布日： 1989-07-26 - 主分类号：文献下载
摘要：一个半导体逻辑电路由多个门电路构成，各个门电路都含有一个结型场效应管。前级门电路中的结型场效应管与后级门电路中的结型场效应管直接耦合。一个箝位元件把前级门电路中结型场效应管的输出电压一即后级门电路中结型场效应管的输入电压限制在大约低于后一级门电路中ＰＮ结的正向电压。
直接耦合半导体逻辑电路

[发明专利]直接耦合的半导体逻辑电路-CN85108261.0无效
发明人：五之井克明 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-09 - 公布日： 1989-07-26 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：一个半导体逻辑电路由多个门电路构成，各个门电路都含有一个结型场效应管。前级门电路中的结型场效应管与后级门电路中的结型场效应管直接耦合。一个箝位元件把前级门电路中结型场效应管的输出电压一即后级门电路中结型场效应管的输入电压限制在大约低于后一级门电路中PN结的正向电压。
直接耦合半导体逻辑电路

[发明专利]带超大电阻和大容量电容的结型场效应管及制备方法-CN200910029367.5无效
发明人：朱伟民;马晓辉;聂卫东 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：带超大电阻和大容量电容的结型场效应管及制备方法是一种在普通结型场效应管的基础上增加超大阻值的多晶硅电阻和大容量电容的改进型结型场效应管，该结型场效应管的结构是在栅极与源极之间增加超大阻值多晶硅电阻，在栅极与漏极极之间增加大容量电容本发明的普通结型场效应管与超大阻值多晶硅电阻和ONO电容结构的改进型场结型效应管采用的是P<111>，电阻率为8~13Ω·cm；本发明的结型场效应管既具有输入电阻高的特点，同时又有着比普通结型场效应管低很多的噪声系数
超大电阻容量电容场效应制备方法

[实用新型]一种电池串接防反接保护电路-CN202121199065.5有效
发明人：罗彪;彭晓姣 -专利权人：陕西三恒电子科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种电池串接防反接保护电路，包括结型场效应管，结型场效应管的漏极连接至电池负极，结型场效应管的源极连接至电池正极，在结型场效应管的源极与电池正极之间串接有两个驱动电阻，结型场效应管的栅极还连接至两个驱动电阻之间，靠近结型场效应管源极的驱动电阻两端并联有延时电容。本实用新型一种电池串接防反接保护电路，利用结型场效应管实现了锂离子电池的串联使用中的反接保护以及软导通、快速关断、低电压保护等问题，具有耗电低、电路简单等优点；同时该电路还具有延时开通、加速关断功能，以及防止电池过放电的功能
一种电池接防反接保护电路

[发明专利]一种仿真方法-CN201911236937.8有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿真方法，通过在原有的结型场效应管仿真模型基础上增加噪声生成电路，用于模拟所述结型场效应管的噪声。可以完善所述结型场效应管仿真模型在高压偏置条件下的噪声特性，为设计人员提供了可靠的仿真模型。通过屏蔽原有的结型场效应管仿真模型中的寄生电阻的参数，然后在结型场效应管的源端和漏端设置带电压修正系数的寄生电阻，然后分别在所述第六电阻和所述第七电阻上并联设置热噪声信号源，并且在结型场效应管的源端和漏端设置并联的闪烁噪声信号源，从而完善了结型场效应管在高压电压偏置条件下的噪声特性。
一种仿真方法

[发明专利]非接触式电压检测传感器-CN201910279530.7在审
发明人：刘家朋 -专利权人：上海汇像信息技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明涉及电路设备电压检测技术领域，公开了一种非接触式电压检测传感器，包括结型场效应管、电源单元和信号处理单元，所述结型场效应管的栅极感应空间电场，所述电源单元连接至结型场效应管的源极，所述结型场效应管的漏极连接至信号处理单元，所述电源单元提供给结型场效应管的源极电压小于3.5V，所述结型场效应管的漏极输出电流或电压与栅极感应的电场呈线性对应，所述信号处理单元接收漏极电流信号进行处理输出。
结型场效应管信号处理单元电源单元电压检测传感器非接触式栅极感应漏极输出电压波形信号进行处理电路设备电压检测空间电场漏极电流输出电流源极电压电场源极电网输出

[实用新型]非接触式电压检测传感器-CN201920468264.8有效
发明人：刘家朋 -专利权人：上海汇像信息技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路设备电压检测技术领域，公开了一种非接触式电压检测传感器，包括结型场效应管、电源单元和信号处理单元，所述结型场效应管的栅极感应空间电场，所述电源单元连接至结型场效应管的源极，所述结型场效应管的漏极连接至信号处理单元，所述电源单元提供给结型场效应管的源极电压小于3.5V，所述结型场效应管的漏极输出电流或电压与栅极感应的电场呈线性对应，所述信号处理单元接收漏极电流信号进行处理输出。
结型场效应管信号处理单元电源单元本实用新型栅极感应漏极电压检测传感器输出电压波形信号进行处理电路设备电压检测非接触式空间电场漏极电流输出电流源极电压电场源极电网输出

[发明专利]面结型场效应管-CN201210320108.X有效
发明人：苗彬彬;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种面结型场效应管，其是在面结型场效应管中集成了一个LDMOS。器件夹断电压可通过面结型场效应管的栅极单次或多次注入来调整，电流密度可通过控制沟道宽度来调整。同时，集成的LDMOS提高了面结型场效应管的耐压特性。
面结型场效应

[发明专利]耐高压的结型场效应管-CN201110021192.0有效
发明人：张帅;董科 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高压的结型场效应管，在现有结型场效应管的基础上做了改进，具体是在栅极靠近漏极的一端、以及漏极处增加了多晶硅场极板结构，这可以改善阱二和阱三体内的电荷分布和矢量电场分布，从而提高结型场效应管的关态击穿电压，可以制作出耐高压的结型场效应管。
高压场效应

[实用新型]一种超结场效应管组件结构-CN202022771272.5有效
发明人：杨宝林 -专利权人：深圳市飞捷士科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结场效应管组件结构，涉及半导体器件技术领域，该超结场效应管组件结构，包括场效应管本体，所述场效应管本体的侧面活动连接有导热板，所述导热板表面靠近场效应管本体的一侧镶嵌有导热硅胶垫，所述导热硅胶垫与场效应管本体的相对面活动连接，所述导热板表面靠近场效应管本体的一侧固定连接有壳体，所述壳体的内壁与场效应管本体的表面活动连接。本实用新型通过设置壳体、方块、圆杆和凸轮，以解决现有技术中，目前常见的超结场效应管在使用时，拆装超结场效应管时需借助螺丝刀才可在散热板上对超结场效应管进行拆装，无法徒手拆装，从而导致超结场效应管拆装较为不便的问题
一种场效应组件结构

[实用新型]一种用于隔离高电压及扩展负载的低功耗电源电路结构-CN202320049805.X有效
发明人：索武生;熊敬;王剑;孙双豪 -专利权人：上海芯旺微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路的技术领域，公开了一种用于隔离高电压的低功耗电源电路结构，包括高电压供电电源，所述高电压供电电源与耗尽型场效应管NMOS或者结型场效应管JFET的漏极相连，所述耗尽型场效应管NMOS或者结型场效应管JFET的源极与串联在一起的偏置电阻R1、R2的一端连接，串联在一起的偏置电阻R1、R2的另一端与耗尽型场效应管NMOS或者结型场效应管JFET的栅极连接，还与多个温度补偿电阻相连，这些所述温度补偿电阻串联在一起
一种用于隔离电压扩展负载功耗电源电路结构

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