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[发明专利](100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法-CN201910890609.3有效
发明人：王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法，解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管，包括设有两个沟道的n型金刚石层，n型金刚石层的表面沿水平方向依次设置有源极、n‑p结和漏极，在n‑p结的上方设置有栅极，源极、漏极与n型金刚石层之间均设置有欧姆电极
100 金刚石沟道场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法-CN201010589395.5无效
发明人：毛建军;陈福元;冷思明;胡煜涛;朱志远;任亮 -专利权人：杭州杭鑫电子工业有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在N+型半导体重掺杂硅单晶抛光衬底片上生长N-型硅外延层；2）用电子化学清洗1#液清洗N+N-硅外延片，经过纯水冲洗；再用电子化学清洗2#液清洗硅片，将硅片甩干；3）在清洗后的N+N-硅外延片上进行P+型半导体杂质硼的预扩散；4）P+N+N-P+双二极管预扩散片进行P+杂质推结扩散；5）P+N+N-P+双二极管扩散片双表面喷砂打毛，双表面镀上镍层，锯切成双二极管芯片；6）通过隧道炉将双二极管芯片与封装底座焊接；7）用混合酸液对双二极管毛坯上的芯片外露部分进行化学腐蚀清洗、上保护胶、压模成型封装。本发明简化硅二极管的制造工艺流程，降低成本，提高产品性价比。
一种集成齐纳管整流管二极管及其制备方法

[发明专利]电力电子模块绝缘栅双极型晶体管保护方法和系统-CN200910177657.4无效
发明人：韦立祥;津吉政广;理查德·A·卢卡萨维斯基 -专利权人：洛克威尔自动控制技术股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H02M5/44 文献下载
摘要：本发明提供一种电力电子模块绝缘栅双极型晶体管保护方法和系统。本发明还提供一种用于将功率传递给负载的方法，包括：以指定的开关频率激活和去激活固态开关，以生成输出电流波形；确定所述固态开关的结温度变化；和基于所述结温度变化来减小所述开关频率。
电力电子模块绝缘栅双极型晶体管保护方法系统

[发明专利]栅极长度不取决于光刻法的纵向栅极CMOS-CN200580002918.9无效
发明人： B·洛耶克 -专利权人：爱特梅尔股份有限公司
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：揭示了一种纵向晶体管的元件的构造，具体的说，为一CMOS晶体管的栅极(1905)、源极(1901)和漏极(1903)的配置。纵向晶体管常常用于集成电路的领域。例如，利用本文所述的方法可制造一双极型晶体管的结(以及其其它类型的器件结)。
栅极长度取决于光刻纵向 cmos

[发明专利]带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器-CN201010274707.3在审
发明人：张宗楠;陈立强;张健;张海英 -专利权人：沈阳中科微电子有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：涉及一种带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器，它包括自适应线性化偏置电路部分(101)及与其相接的射频放大器单元电路(102)；所述自适应线性化偏置电路部分(101)包括线性化偏置电路及自适应电路部分(103)；所述线性化偏置电路中偏置异质结双极型晶体管(HBT2)的发射极与射频放大器单元电路(102)放大异质结双极型晶体管(HBT1)的基极相接；所述自适应电路部分(103)含有自适应电容(Cadaptive)；所述自适应电容(Cadaptive)与线性化偏置电路中的隔直电容
带有自适应线性化偏置电路射频功率放大器

[发明专利]带隙电压基准电路-CN202211274522.1在审
发明人：孙恬静;陈雷铖;卫梦昭 -专利权人：杭州深谙微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙电压基准电路包括带隙核心模块，用于采用双极结型晶体管产生具有正温度系数的第一电流和第二电流；电流偏置模块，用于向带隙核心模块提供偏置电流；以及基准电压输出模块，包括依次连接的第一电流支路和负温度系数电压产生模块基准电压输出端模块通过采用第二电流对负温度系数电压产生模块生成的负温度系数电压进行补偿，输出与温度无关的基准电压，其中，基准电压输出模块还包括与第一电流支路并联的第二电流支路，第二电流支路通过镜像第二电流向所述基准电压的输出节点提供第一补偿电流，以消除双极结型晶体管的共发射极放大倍数的影响
电压基准电路

[发明专利]一种具有低相位噪声的高频压控振荡器-CN201210387643.7有效
发明人：吕志强;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：并且电流源采用异质结双极型晶体管，由于异质结双极型晶体管具有较低的闪烁噪音，因此，可以提高整个压控振荡器的相位噪声。同时，谐振电路中采用反向二极管使压控振荡器具有较好的相位噪声性能。
一种具有相位噪声高频压控振荡器

[发明专利]倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202310028683.0在审
发明人：敖辉;韩甲俊;马正蓊;刘新科;庄文荣 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：n型衬底；n型GaN漂移区，n型GaN漂移区具有倾斜侧壁；p型掺杂区，排布于n型GaN漂移区中，其中，p型掺杂区的掺杂源包括Mg离子和O离子；倾斜式场板介质层，设置在倾斜侧壁；阳极，设置在n型GaN漂移区和p型掺杂区上；阴极，设置在n型衬底的底面。本发明可以有效缓解发生在阳极的电场集中和PN结耗尽区侧壁的电场分布，提高结势垒肖特基二极管的反向耐压并减少漏电流。本发明采用Mg和O双离子注入，采用施主和受主的共掺杂，将两种类型的杂质的溶解度提高到超过任一种杂质在主体半导体中的溶解度极限，从而大大增加P型掺杂区的激活率。
倾斜 gan 基结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]具有电流馈电的基于双极结型晶体管(BJT)的电子镇流器的改进效率和波峰因数的电路-CN200880114868.7无效
发明人： T·陈;N·库马;J·K·斯卡利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H05B41/282 文献下载
摘要：一种电流馈电的基于双极结型晶体管(BJT)的逆变器镇流器包括配置成驱动相应BJT开关的基极驱动电路和配置成连同相应的基极驱动电路来操作的高速驱动反峰值电流限制电路。
具有电流馈电基于双极结型晶体管 bjt 电子镇流器改进效率波峰因数电路

[发明专利]在可变电抗电路中使用BJT开关的阻抗匹配网络-CN201280014097.0有效
发明人： G·范齐尔;G·G·古罗夫 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H03H7/40 文献下载
摘要：开关能够包括具备偏置电路控制的双极结型晶体管（BJT）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。在导通状态中，对BJT基极-发射极结进行正向偏置，在集电极端子和基极端子之间传导AC。于是，AC主要从集电极向基极通过BJT，而不是从集电极向发射极通过。此外，可以修改用于真空可变电容器的经典匹配网络拓扑，使得电压不会在修改的拓扑中使BJT过载。
可变电抗电路使用 bjt 开关阻抗匹配网络

[发明专利]具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构-CN201310041931.1有效
发明人：霍克孝;郑志昌;苏如意;叶人豪;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是绝缘栅双极结型晶体管(IBGT)，以及其制造方法。该器件包括半导体衬底、形成在衬底上的栅极结构、形成在衬底内栅极结构的两侧的源极和漏极，形成在衬底内的第一掺杂阱以及形成在第一阱内的第二掺杂阱。栅极、源极、第二掺杂阱和第一阱的一部分以及漏极结构的一部分被在硅衬底中的深沟槽隔离部件和注氧层包围。本发明还公开了具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构。
具有衬底漏电绝缘栅双极型晶体管结构

[发明专利]用于增强模式和耗尽模式宽带隙半导体JFET的栅驱动器-CN201080020555.2有效
发明人： R·L·凯利;F·雷斯 -专利权人： SSSCIP有限公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：提供一种用于驱动结型场效应晶体管(JFET)的DC耦合的双极栅驱动器电路。JFET可以是诸如SiC JFET的宽带隙结型场效应晶体管(JFET)。驱动器包括第一导通电路、第二导通电路和下拉电路。
用于增强模式耗尽宽带半导体 jfet 驱动器

[发明专利]一种双极性二极管器件及其制备方法-CN202210989047.X在审
发明人：都薇;郭倩倩;王涛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极性二极管器件及其制备方法，包括利用热蒸发方法蒸镀得到一金属底电极，采用机械剥离方法获得结功能层，并采用干法转移方式将所述结功能层转移至金属底电极表面，最后将液态金属电极与所述结功能层接触，其中，所述金属底电极材料为功函数大于4.5eV的金属，所述结功能层的材料为双极性二维半导体材料，所述结功能层和所述液态金属电极的接触面积可以通过下压或提拉液态金属电极的方式调控；本发明所提供的双极性二极管器件将液态金属电极用于二维半导体二极管器件的构筑，利用液态金属的尺寸和形貌的可调控性实现了二极管器件的极性可调。
一种极性二极管器件及其制备方法

[发明专利]功率结型场效应管及其制造方法-CN201410075476.1有效
发明人：祁树坤 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率结型场效应管，包括P型衬底，位于衬底上方的埋层区，位于埋层区上方的阱区，以及N型的源极漏极、P型的栅极、结区；源极、漏极、栅极及结区位于阱区内，埋层区包括N型埋层和位于N型埋层外侧的P型埋层，阱区包括位于N型埋层上方的N阱，和位于P型埋层上方且位于N型埋层外侧上方的P阱，结区为多条间隔排列且被N阱分隔开的条形结构，漏极位于N阱内且位于最内侧的一条条形结构内侧，源极位于N阱内且位于最外侧的一条条形结构外侧，N阱位于P型埋层正上方的部分与P阱呈交错的叉指排列。本发明还涉及一种圆型功率结型场效应管和功率结型场效应管的制造方法。本发明确保低夹断电压的同时可获得大电流驱动能力及高耐压。
功率场效应及其制造方法

[发明专利]量子五极场效应管-CN201210537204.X在审
发明人：陈志波;陈霖 -专利权人：陈志波;陈霖
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：量子五极场效应管就是在结型场效应管的基础上加上绝缘栅极，以此构造成同时兼具结型场效应管功能和绝缘栅场效应管功能的双关联场效应管；例如，把N结型P沟道场效应管的源极S移至P沟道中央，作为场效应管的源极S，然后在原来的源极位置密封上一层氧化膜SiO2作绝缘层，在氧化膜SiO2的外缘植入金属栅极G，这样，以场效应管的源极S为分界线，靠近场效应管漏极D那一端相当于N结型P沟道场效应管，靠近场效应管绝缘栅极G那一端相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管，原来N结型P沟道场效应管的N结门极也是P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s和漏极d，经过如此改造的场效应管有一个绝缘栅极G、一个漏极D、一个源极S、一个N结基片门极O(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的源极s)和N结门极T(相当于P沟道增强型绝缘栅场效应管的漏极d)，共五个电极，而且在同一只场效应管上实现了“通”和“断”、“真”和“假”、“1”和“0”的有机统一，所以我们称之为量子五极场效应管
量子场效应