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[发明专利]与执行复位操作相关的半导体封装和半导体系统-CN201810935212.7有效
发明人：宋根洙;宋泓周;郑海康 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：与执行复位操作相关的半导体封装和半导体系统。一种用于执行复位操作的半导体封装包括：第一半导体器件，该第一半导体器件包括与复位引脚联接的第一电阻器元件，所述第一半导体器件被配置成通过所述复位引脚被施加复位信号，使得执行所述复位操作。所述半导体封装包括：第二半导体器件，该第二半导体器件包括与所述复位引脚联接的第二电阻器元件，所述第二半导体器件被配置成通过所述复位引脚被施加所述复位信号，使得执行所述复位操作。当执行所述复位操作时，所述第一电阻器元件和所述第二电阻器元件可以选择性地联接到所述复位引脚。
执行复位操作相关半导体封装系统

[实用新型]一种光发射机-CN201820064062.2有效
发明人：张涛;张景良;王君 -专利权人：西安雷华测控技术有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光发射机，包括：外壳和设置在所述外壳内的激光器，所述激光器用于接收光传输电信号，所述激光器包括激光二极管，所述外壳包括壳体和壳盖，所述壳体的一侧壁上设有散热窗，所述散热窗上设有半导体制冷片，且所述半导体制冷片的冷端靠近所述激光器；所述散热窗上平行设有若干个等间距的斜面板，且所述散热窗的两侧设有用于插接防尘网格的插槽，所述防尘网格上设有防尘过滤器；还包括温度控制电路，温度控制电路包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、可调电阻、放大器和三极管，热敏电阻设置在靠近激光器的位置处。本实用新型能够控制半导体制冷芯片自动实现制冷，节约电能，且实现了防尘。
激光器半导体制冷片温度控制电路本实用新型防尘网格光发射机热敏电阻散热窗散热电阻壳体半导体制冷芯片放大器传输电信号防尘过滤器激光二极管可调电阻自动实现防尘接收光三极管位置处斜面板插槽插接壳盖冷端制冷平行节约

[发明专利]一种固体激光块材料的模块化热管理装置及其控制方法-CN202010904387.9在审
发明人：朱江峰;王阁阳;吕仁冲;田文龙;张大成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体激光块材料的模块化热管理装置及其控制方法，包括上部水冷模块、下部水冷模块、上部半导体制冷芯片，下部半导体制冷芯片、上部制冷单元、下部制冷单元、热敏电阻和双通道温度控制系统，上部水冷模块安装在上部制冷单元顶端，上部半导体制冷芯片封装在上部制冷单元内；下部水冷模块安装在下部制冷单元底端，下部半导体制冷芯片封装在下部制冷单元内；激光块材料由左右两侧限位片夹持，固定于上部制冷单元与下部制冷单元中间；热敏电阻、上部半导体制冷芯片和下部半导体制冷芯片与双通道温度控制系统电性连接
一种固体激光材料模块化管理装置及其控制方法

[发明专利]基于SoC FPGA的半导体激光器功率控制系统-CN202010094098.7有效
发明人：张丽;卢新硕;刘欣;邓霄;崔丽琴;韩国华;林洪太 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-02-15 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明基于SoC FPGA的半导体激光器功率控制系统，在半导体激光器驱动电路的输出端通过达林顿管与半导体激光器相连；达林顿管的发射极通过采样电阻接地，在达林顿管与采样电阻之间设置监测端口，当监测端口处的采样电压与理想驱动电压的差值大于设定值时，片上协同处理器将采样电压与当前半导体激光器的驱动电压的差值作为偏移量通过位置式PID计算，得到的运算结果返回FPGA，FPGA控制DA转换器产生修正电压，加法器对驱动电压和修正电压求和，得到新的驱动电压并输入半导体激光器驱动电路，使得半导体激光器实际驱动电流达到输出所需功率的精准值。
基于 soc fpga 半导体激光器功率控制系统

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201810825958.2有效
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型半导体层包括多个未掺杂的氮化钪铝层和多个N型掺杂的氮化镓层本发明通过将未掺杂的氮化钪铝层和N型掺杂的氮化镓层交替层叠形成N型半导体层，氮化钪铝层和氮化镓层的交界面存在较强的二维电子气，可以有效提升电子的横向扩展能力，不需要再设置电流扩展层实现电子在N型半导体层中分布的均匀性和一致性，减少外延片的串联电阻，降低芯片的正向电压。
一种氮化发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710778299.7有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，其包括：半导体衬底、在半导体衬底上的半导体鳍片和在半导体鳍片上的栅极结构；对半导体鳍片执行第一刻蚀以在栅极结构两侧分别形成第一凹陷和第二凹陷；执行离子注入以在第一凹陷中注入锗离子和本发明可以尽量减小串联电阻或者尽量抑制短沟道效应。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711317558.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底、在该衬底上的具有第一导电类型的半导体鳍片和覆盖在该半导体鳍片的一部分上的栅极结构，该半导体鳍片包括分别在该栅极结构两侧的第一部分和第二部分；对该第一部分和该第二部分执行第一掺杂本公开可以降低半导体鳍片中的沟道区与源极和漏极的串联电阻，从而提高器件性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体记忆装置-CN201711292036.1在审
发明人：胡振国;潘正圣;廖建舜;曾冠豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;胡振国
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体记忆装置包括具有栅极、源极及漏极的晶体管及金属绝缘体半导体(MIS)结构。晶体管及MIS结构设置在共用基材上。MIS结构包括设置在半导体区域上的介电层、及电性设置在介电层上并耦接至晶体管的漏极的电极。电极包括块部分及高电阻部分，两者设置在介电层上。高电阻部分具有在自1.0×10^‑4Ωcm至1.0×10⁴Ωcm的范围中的阻抗值或在自1.0×10²Ω/□至1.0×10¹⁰Ω/□的范围中的片电阻值。
介电层晶体管半导体记忆装置电极高电阻漏极金属绝缘体半导体半导体区域片电阻电性基材源极阻抗耦接

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202180004419.2在审
发明人：周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、单个III‑V族半导体层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上方。所述单个III‑V族半导体层安置在所述第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到所述第一导电类型。所述单个III‑V族半导体层具有高电阻率区以及由所述高电阻率区包围的电流孔，其中所述高电阻率区包括比所述电流孔更多的金属氧化物，以便实现比所述电流孔的电阻率高的电阻率。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一源极电极、所述第二电极和所述栅极电极安置在所述第三氮化物基半导体层上方。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210001669.7在审
发明人：菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供能够提高耐压的半导体装置。该半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域和第3半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、构造体、栅极电极及高电阻部。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。构造体的绝缘部与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域并排。构造体的导电部设置于绝缘部中，具有与第1半导体区域对置的部分。栅极电极与第2半导体区域对置。高电阻部的电阻比第1半导体区域高。构造体沿第2、第3方向设置多个。多个构造体具有第1～第3构造体。高电阻部在第1方向上与假想圆的圆心重叠，该假想圆穿过第1、第2及第3构造体各自的第2方向及第3方向上的中心。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201610565433.0在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述半导体器件包括鳍片；栅极结构，位于所述鳍片的上方并环绕所述鳍片设置；虚拟鳍片，位于所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧并且与所述鳍片间隔设置；源漏外延层，位于所述源漏区域上且沿所述栅极结构的方向延伸，所述源漏外延层同时覆盖所述鳍片和所述虚拟鳍片本发明所述半导体器件中所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧设置若干虚拟鳍片，所述虚拟鳍片位于沟道位置的部分切割去除，仅保留源漏区外侧的部分，从而增加了源漏的外延区域，通过所述源漏外延层的设置可以增加接触结构的面积，从而显著的减小了接触电阻，使所述半导体器件的性能和良率均得到极大的提高。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体装置的熔丝修整方法-CN200810096679.3有效
发明人：塚本明子;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于包括电阻校正步骤，在所述半导体晶片的特定区域，基于所述电阻元件的电阻值与目标值的偏差进行校正。
半导体装置修整方法

[发明专利]半导体器件-CN201210265578.0有效
发明人：石黑哲郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括：形成在衬底上的高电阻层，该高电阻层利用掺杂有杂质元素的半导体材料形成，该杂质元素使半导体材料变为高电阻的；形成在高电阻层上的多层中间层；在多层中间层上利用半导体材料形成的电子传输层；以及在电子传输层上利用半导体材料形成的电子供给层，其中所述多层中间层利用多层膜形成，在该多层膜中GaN层和AlN层交替地层叠。
半导体器件

[发明专利]具有电阻尖端的半导体探针及其制作方法、和具有该半导体探针的信息记录装置、信息复制装置和信息测量装置-CN03810407.5无效
发明人：朴弘植;辛铉正;丁柱焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-05-01 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。
具有电阻尖端半导体探针及其制作方法信息记录装置复制测量

[发明专利]物联网芯片恒温装置-CN202010654400.X在审
发明人：徐斌 -专利权人：南京铁道职业技术学院
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：物联网芯片恒温装置，包括主板、加热片、加热电丝、第一热敏电阻、第一微安表、芯片、温度传感器、控制器、半导体制冷片、第二热敏电阻、第二微安表、热管、散热片、风扇和散热电机，所述主板上安装有加热片，加热片内嵌有加热电丝，加热电丝上串联有第一热敏电阻，第一热敏电阻上并联有第一微安表，加热电丝上安装有芯片，散热片内安装有风扇，风扇末端安装有散热电机。本发明的优点是：结合物联网芯片的特点，根据芯片温度，从而实现温度高时，半导体制冷片工作降低芯片环境温度，温度低时，加热电丝工作加热，使芯片环境温度升高，简单有效，使芯片一直保持区间范围内恒温；通过温度传感器实时监测芯片温度
联网芯片恒温装置