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[实用新型]集成电路-CN201520946630.8有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。
集成电路

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310967508.8在审
发明人：窦华土;宋贵波;黄泽军;蔡亚桥;吴杭 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置由于不需要打孔或者冲压切口，因此可以相较于现有技术快速视觉检测的金属夹片结构具有更小的电阻。该半导体装置提供的新的适用于快速视觉检测的金属夹片结构，取消了孔或切口等检视窗口，保证在测试阶段和实际封装阶段挤压锡膏的面积是一样的，因此，在测试阶段测得的锡膏厚度、贴装速度、压力等参数与封装时一致。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]基座及半导体加工设备-CN202020018923.0有效
发明人：夏振军;李晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基座及半导体加工设备，基座用于半导体加工设备，基座表面设置有用于放置衬底的放片槽，放片槽包括侧面、底面以及连接侧面与底面的环形承载面，环形承载面用于以线接触方式承载衬底；且在工艺过程中本实用新型提供的基座及半导体加工设备，能够提高工艺后衬底的电阻率均匀性，改善工艺结果。
基座半导体加工设备

[发明专利]一种多功能杯-CN201811169809.1在审
发明人：聂小涵;朱月朗;钱春雷;谢威;许魁;钱子宇;吴梦瑶 -专利权人：聂小涵
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：一种多功能杯，其包括设置在内筒与外筒之间形成的空腔中的半导体温制冷片和控制系统的电路板，控制系统包括用于探测电内筒温度的温度探测器、比较器和电开关，其中，温度探测器中，第一电阻和热敏电阻相串联并连接于电源和地之间，其中间节点连接于比较器的反相端；第二电阻和第三电阻相串联并连接于电源和地之间，其中间节点连接于比较器的同相端；比较器的输出端连接于电开关的控制端；电开关的第一端和第二端分别连接于半导体制冷片的第一端和地之间，同时连接于供电电路的第一供电端，半导体制冷片的第二端连接于供电电路的第二供电端。
比较器多功能杯电开关电阻半导体制冷片温度探测器供电电路控制系统中间节点第一端供电端串联电源电路板输出端连接热敏电阻反相端控制端同相端制冷片热源空腔内筒外筒制冷半导体保鲜探测

[实用新型]一种多功能杯-CN201821628326.9有效
发明人：聂小涵;朱月朗;钱春雷;谢威;钱子宇;吴梦瑶;刘杰 -专利权人：聂小涵
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：一种多功能杯，其包括设置在内筒与外筒之间形成的空腔中的半导体温制冷片和控制系统的电路板，控制系统包括用于探测电内筒温度的温度探测器、比较器和电开关，其中，温度探测器中，第一电阻和热敏电阻相串联并连接于电源和地之间，其中间节点连接于比较器的反相端；第二电阻和第三电阻相串联并连接于电源和地之间，其中间节点连接于比较器的同相端；比较器的输出端连接于电开关的控制端；电开关的第一端和第二端分别连接于半导体制冷片的第一端和地之间，同时连接于供电电路的第一供电端，半导体制冷片的第二端连接于供电电路的第二供电端。
比较器多功能杯电开关电阻半导体制冷片温度探测器供电电路控制系统中间节点第一端供电端串联电源电路板本实用新型输出端连接热敏电阻反相端控制端同相端制冷片热源空腔内筒外筒制冷半导体保鲜探测

[发明专利]半导体机台的气密性检测方法-CN202110928850.8在审
发明人：钱龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01M3/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体机台的气密性检测方法。所述半导体机台的气密性检测方法包括如下步骤：形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层具有化学反应活性；获取所述测试芯片的第一电阻；放置所述测试芯片至半导体机台内部；于所述半导体机台内部建立真空环境；获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试芯片的第二电阻；判断所述第二电阻是否大于所述第一电阻，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。本申请缩短了半导体机台气密性检测的时间，降低了半导体机台气密性检测的成本，并提高了半导体机台气密性检测的准确度。
半导体机台气密性检测方法

[发明专利]半导体器件-CN200580034072.7有效
发明人：皮特·费洛斯;阿尔弗雷德·格拉赫;皮特·乌尔巴赫;沃尔夫冈·法伊勒;曲宁;克劳斯·埃耶斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有这样的电阻特性，即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到，其中一层这样地构造，即例如在n掺杂的区域中有多个p掺杂的区域，它们在一个侧面上借助金属化层被短路。该半导体器件可以例如被用于减小电流峰值，其中该器件随后被集成到导体中。在冷的状态中，该半导体器件具有高的电阻，该电阻在半导体器件由于流过的电流被加热之后显著地变小。
半导体器件

[发明专利]一种环网柜用半导体制冷除湿装置及方法-CN202010485888.8在审
发明人：宰冯山;肖文武 -专利权人：扬州森源电气有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：一种环网柜用半导体制冷除湿装置及方法。涉及电力设备配套技术领域，尤其涉及一种环网柜用半导体制冷除湿方法及装置。提供了一种通过微控制器除湿装置和控制方法实现的智能化、不结霜、柜内取电方便、体积小、便于安装、实时性强的半导体制冷除湿方法及装置。所述热端散热片贯穿所述人字形屋顶的背阳面伸出所述人字形屋顶，所述热端散热片上设有散热风扇，所述半导体制冷器还设有冷端散热片，所述冷端散热片上设有冷凝风扇。本发明利用了制冷器控制器反馈得到的信息，输出信号给半导体制冷器制冷以及冷端散热片上的电阻丝加热器加热除霜，智能化，不结霜，且设有的光伏发电装置方便了柜内的取电。
一种环网柜用半导体制冷除湿装置方法

[发明专利]一种功率半导体器件选型方法-CN202110120736.2在审
发明人：夏雨昕;沈捷;林昆鹏 -专利权人：臻驱科技（上海）有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例中提供了一种功率半导体器件选型方法，属于功率半导体器件评估技术领域，包括：步骤一，得到功率半导体器件的开关速度和驱动电阻的离散点；步骤二，得到开关速度和驱动电阻的相关曲线；步骤三，基于实际工况的要求获得工作开关速度值，获得功率半导体在工作开关速度值对应的匹配驱动电阻值；步骤四，基于配置匹配驱动电阻值下的功率半导体器件，获得功率半导体器件关断和/或开通时的电流变化和电压变化，判断功率半导体器件的性能。通过本申请的处理方案，解决了现有技术中对于特定工况不能准确评判功率半导体器件性能的问题。
一种功率半导体器件选型方法

[发明专利]电器件装置-CN200980128583.3无效
发明人： G.恩格尔;T.费克廷格;A.佩西纳 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：描述有一种电器件装置，该电器件装置具有半导体器件（1）和压敏电阻本体（2），所述压敏电阻本体（2）为了保护所述半导体器件免受静电放电损害而与所述半导体器件接触。所述半导体器件和所述压敏电阻本体布置在共同的载体（3）上，该载体（3）包含良好导热的陶瓷。
器件装置

[实用新型]测试精确的电流电阻测试仪-CN202120743176.1有效
发明人：黄美红;陈润芝;王娇 -专利权人：天津环通检测技术有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种测试精确的电流电阻测试仪，属于电阻测试仪技术领域。该测试精确的电流电阻测试仪包括电阻测试仪本体和降温组件，所述降温组件包括降温壳、风扇、制冷板和半导体制冷片，在上述实现过程中，先通过半导体制冷片对若干块制冷板进行冷却，风扇吸取的被冷却的气体会进入电阻测试仪本体的内部，进而对电阻测试仪本体内部进行降温冷却，可向电阻测试仪本体内部的通入冷气，可较为有效的对电阻测试仪本体内部进行降温，可使得电阻测试仪本体内部的电器元件的温度较低，进而可减小温度对电阻测试仪本体检测精确度的影响，可提高电阻测试仪本体检测的精确度。
测试精确电流电阻测试仪

[发明专利]低电阻电极和包括低电阻电极的化合物半导体发光器件-CN200410098366.3无效
发明人：郭准燮;成泰连;赵济熙;宋俊午;林东皙;金显秀 -专利权人：三星电子株式会社;光州科学技术院
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚
电阻电极包括化合物半导体发光器件

[发明专利]横向半导体器件-CN201280023653.0无效
发明人：铃木隆司;户仓规仁;白木聪;高桥茂树;芦田洋一;山田明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。
横向半导体器件

[发明专利]波长可调谐光源-CN200810032940.3无效
发明人：韩悦;陈嘉琳;朱小龙;孙安;李国扬;常丽萍;王利;陈柏;林尊琪 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：一种用于光纤光栅传感的波长可调谐光源，它由宽带荧光源、耦合光纤、高精度FP干涉仪、扫描电路、功率放大电路、半导体制冷片、温控电路、热敏电阻和输出光纤组成，其连接关系如下：宽带荧光源经过耦合光纤接高精度FP干涉仪，扫描电路连接功率放大电路，功率放大电路将扫描驱动电压施加在所述的高精度FP干涉仪上，所述的热敏电阻紧贴该高精度FP干涉仪，该热敏电阻连接温控电路输入端，该温控电路的输出端连接半导体制冷片，该半导体制冷片紧贴在所述的高精度
波长调谐光源

[实用新型]一种高速电子锅炉使用的陶瓷半导体加热片-CN201621183688.2有效
发明人：吕传玉;王炎金;于文星;张所志 -专利权人：北京嘉能高科科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： F24H1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高速电子锅炉使用的陶瓷半导体加热片，其中所述的多个加热晶片环形紧贴在被加热水管上，另一面通过加热井片支撑块附着在板状陶瓷体上，电阻发热体安装于板状陶瓷体的另一面；电阻发热体通过吸附电极及供电端子连接供电，铝制金属壳体上开有多个加热晶片升降销贯穿孔，另一端与电阻加热体接触，冷空气喷嘴固定于铝制金属壳体上，开口对向板状陶瓷体；优点为利用陶瓷半导体材料作发热元件、利用半导体空穴原理，实现电子氧空位，使电能以面状形式于工质的分子键结合转化热能该加热片外形体积小、安装方便。
一种高速电子锅炉使用陶瓷半导体加热