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[发明专利]半导体装置-CN202110305771.1在审
发明人：挽地友生;深井健太郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：提供能够降低具有霍尔元件的磁电转换特性的应力依赖性的半导体装置。半导体装置是形成在P型的半导体衬底上的半导体装置，具备：垂直电阻电路，包含N型的电阻，电阻形成对于半导体衬底的表面垂直方向的电流路径；霍尔元件，设置在半导体衬底上，输出与对于半导体衬底的表面垂直方向的磁通密度成比例的电压；放大器，对于从霍尔元件输出的电压进行放大并输出；电流电压转换电路，将包含流过垂直电阻电路的基准电流和垂直电阻电路的电阻值之积的电压作为比较基准电压加以输出；以及比较器，具有被输入从放大器输出的电压的信号输入端子和被输入比较基准电压的基准电压输入端子
半导体装置

[发明专利]一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件-CN201711445407.5有效
发明人：李泽宏;彭鑫;吴玉舟;殷鹏飞;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体P+集电区、金属集电极、第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体N‑漂移区、第一导电类型半导体P型基区、重掺杂第一导电类型半导体P+掺杂区、第二导电类型半导体内置镇流电阻区和重掺杂第二导电类型半导体N+发射区，第二导电类型半导体内置镇流电阻区取代第二导电类型半导体N+发射区向栅极结构下方横向扩展的部分，从而使第二导电类型半导体内置镇流电阻区处于栅极电压控制区域；本发明利用镇流电阻值高温下的正温度特性，提升器件短路能力；同时提升器件正向阻断状态下的热稳定性。
一种具有内置流电高压 igbt 器件

[发明专利]包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构-CN202111133077.2在审
发明人： Y·T·尼古;S·P·阿杜苏米利;S·M·尚克;M·J·齐拉克;M·H·余 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构。一种结构包括：半导体衬底；以及位于半导体衬底之上的多晶电阻器区。多晶电阻器区包括多晶形态的半导体材料。含掺杂剂的多晶区位于多晶电阻器区和半导体衬底之间。
包括下方具有掺杂多晶电阻器结构

[发明专利]液体阳极辉光放电等离子体激发源及原子发射光谱系统-CN202310407467.7在审
发明人：郑培超;吴美妮;王金梅 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了液体阳极辉光放电等离子体激发源及原子发射光谱系统，涉及水质金属离子检测技术领域，解决了传统金属阴极冷却装置体积较大的问题，其技术方案要点是：包括散热模块、半导体制冷片、冷板、金属电极、进样管、辅助电极、聚四氟乙烯池、镇流电阻、高压电源和开关电源；散热模块、半导体制冷片、冷板和金属电极依次连接，半导体制冷片连接开关电源；聚四氟乙烯池一端嵌设辅助电极，辅助电极通过镇流电阻和高压电源与金属电极连接采用半导体制冷片对金属电极进行冷却，无需引入惰性气体或外加水箱进行制冷，在保证制冷效果的同时缩小体积，整体结构紧凑。
液体阳极辉光放电等离子体激发原子发射光谱系统

[实用新型]一种用于绝缘油电阻率测试仪的快速温变结构-CN202220841934.8有效
发明人：安留保;蔡斌 -专利权人：保定市建通电器制造有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于绝缘油电阻率测试仪的快速温变结构，自上而下包括依次固定连接的面板、油杯组件、第一连接板、紫铜导热板，所述油杯组件外缠绕加热线圈，所述紫铜导热板的一侧向外延伸出水平连接片，所述水平连接片的下方设置有底位半导体制冷片，所述底位半导体制冷片与底位风冷散热器相连接；所述紫铜导热板的另一侧设置有垂直连接片，所述垂直连接片的外侧与侧位半导体制冷片紧贴，所述侧位半导体制冷片与侧位风冷散热器相连接。本实用新型采用上述结构的一种用于绝缘油电阻率测试仪的快速温变结构，通过一体化结构对绝缘油快速制冷和制热，满足绝缘油的测试需求。
一种用于绝缘油电阻率测试仪快速结构

[发明专利]超高压电阻器、半导体器件及其制造方法-CN201510970864.0有效
发明人：金光佚;金宁培 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种超高压电阻器、半导体器件及其制造方法。一个示例提供包括在半导体基底的阱区与多晶硅的电阻器之间具有预定厚度的绝缘体的半导体器件。所述绝缘体具有能够忍受超高电压的结构，因此允许在未增加半导体基底以及包括这样的电阻器的半导体器件的尺寸的情况下，制造能够承受超高电压的半导体器件。其他示例提供用于制造这样的半导体器件的方法。
超高压电阻器半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体模块-CN202110719721.8在审
发明人：岩本进 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种能减小半导体开关元件的开关损耗的半导体模块。半导体模块其包括：半导体芯片，该半导体芯片中设有开关元件和连接至所述开关元件的控制电极的控制端子，在所述控制电极与所述控制端子之间的第一电阻具有正的温度系数；以及第二电阻，该第二电阻连接至所述控制端子，并具有负的温度系数，连接至所述控制端子的电阻的合成电阻的温度系数在0以下。
半导体模块

[实用新型]半导体功率单元及半导体功率模块-CN202021962479.4有效
发明人：陆熙 -专利权人：忱芯科技（上海）有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子技术领域，公开了半导体功率单元及半导体功率模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件，半导体功率电子元件包括半导体功率芯片、电极探针及若干控制极电阻，电路铜层包括用于连接半导体功率芯片的半导体功率芯片导电区、用于连接电极探针的电极探针导电区及用于连接控制极电阻的控制极电阻导电区，控制极电阻一字排开设置于控制极电阻导电区上，控制极电阻导电区的连接端位于靠近中间位置的控制极电阻通过将控制极电阻导电区的连接端设置于位于靠近中间位置的控制极电阻的位置处，使驱动电流从连接端分别向两侧方向传输，从而降低了驱动电流的不均衡性。
半导体功率单元模块

[发明专利]半导体装置、电力转换装置及控制系统-CN202210637520.8在审
发明人：冲川满;奥井富士雄;樋口安史;雨堤耕史;柴田英高;加藤勇次;寺井睦 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。
半导体装置电力转换控制系统

[发明专利]半导体装置、电力转换装置及控制系统-CN202210638429.8在审
发明人：冲川满;奥井富士雄;樋口安史;雨堤耕史;柴田英高;加藤勇次;寺井睦 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。
半导体装置电力转换控制系统

[发明专利]调节器用半导体集成电路-CN201811325443.2在审
发明人：牧慎一朗;高野阳一;横山胜浩 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉提供一种调节器用半导体集成电路。在具备泄放电阻的调节器用半导体集成电路中，泄放电阻由形成于岛状半导体区域的表面的扩散层构成，该岛状半导体区域以通过分离区域包围了周围的状态设置于半导体基板上，在输出端子与恒电位点之间以与寄生于上述泄放电阻的体二极管串联的方式连接有电流限制用电阻，电流限制用电阻由以通过分离区域包围了周围的状态设置于上述半导体基板上的岛状半导体区域的表面上所形成的扩散层构成，并且以通常动作时的电流流过而在两端产生的电位差不超过寄生于该电流限制用电阻的体二极管的正向电压的方式设定电阻值
半导体集成电路岛状半导体区域电流限制泄放电阻半导体基板分离区域体二极管状态设置扩散层寄生电位差包围方式设定输出端子通常动作正向电压恒电位电阻串联

[实用新型]一种集成开关管的半导体芯片电路-CN202121786530.5有效
发明人：黄诚标;林志奇;周江勇;付杰;何德仁;廖顽强;林朝辉 -专利权人：珠海上富电技股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成开关管的半导体芯片电路，其包括电源输入端、限流电阻、退耦电容、半导体芯片，半导体芯片内设有恒流源回路，限流电阻与电源输入端电连接，半导体芯片具有两个引脚，半导体芯片的第一引脚连接于限流电阻以及恒流源回路的第一端，半导体芯片的第二引脚连接于退耦电容以及恒流源回路的第二端，恒流源回路包括开关管以及电阻结构，电阻结构环绕开关管中部设置，电阻结构的一端与开关管的集电极电连接，电阻结构的另一端与开关管的基极电连接。应用本实用新型可在半导体芯片内集成二极管功能，无需额外设置外部二极管，从而达到减少元件数量，降低成本等目的。
一种集成开关半导体芯片电路

[发明专利]半导体装置以及应变监视装置-CN201310394835.5无效
发明人：安本恭章;梁濑直子;尾原亮一;增子真吾;佐野贤也;垣内赖人;野田隆夫;饭田敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。
半导体装置以及应变监视

[发明专利]一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法-CN201310733672.9无效
发明人：刘洪刚;龚著靖;王盛凯;韩乐;杨旭;常虎东;孙兵;赵威;刘桂明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金；以及在氮气的氛围下进行退火合金化，形成NiSnGe合金，从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn，降低了接触的势垒高度，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，解决了采用锗作为沟道材料的器件的源漏接触问题，从而进一步提高半导体锗
一种制作金属半导体漏接方法

[发明专利]半导体硅片的电阻率测试方法及测试结构-CN201210414675.1在审
发明人：许丹 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅片的电阻率测试方法及测试结构，包括以下步骤：首先，在半导体硅片（10）的每一个裸芯片（20）上制作出电阻率测试结构（30）；其次，将电阻绘制仪器的电压直接加载到所述电阻率测试结构（30）上；然后，采用时域电荷测量方法测量半导体硅片（10）的电阻率。所述电阻率测试结构，包括硅层（31），在所述硅层（31）下面设置有氧化层（32），在所述硅层（31）上面设置有介质层（33），在所述介质层（33）上面设置有金属层（34）。本发明半导体硅片的电阻率测试结构，用于测量裸芯片的电阻率；本发明半导体硅片的电阻率测试方法，能够直接测量半导体硅片中裸芯片的电阻率。
半导体硅片电阻率测试方法结构