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[实用新型]功率半导体组件-CN202020182422.6有效
发明人：涂高维 -专利权人：力士科技股份有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种功率半导体组件，包括导电片、金氧半导体芯片、封装层、至少一第一导电插塞与汲极接触垫。其中，导电片具有芯片放置区与周围区，周围区是连接芯片放置区。金氧半导体芯片是放置于芯片放置区。此金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区，闸极区与源极区是位于金氧半导体芯片的上表面，汲极区是位于金氧半导体芯片的下表面且连接芯片放置区。封装层是包覆金氧半导体芯片与导电片。第一导电插塞是贯穿封装层且连接周围区。汲极接触垫是设置于封装层的上表面且连接第一导电插塞。
功率半导体组件

[发明专利]一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件-CN202310098585.4在审
发明人：刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件，包括：于衬底上形成外延层；进行垫氧化层的生长和肖特基势垒区的注入，去除垫氧化层；刻蚀沟槽，沟槽包括至少一第一沟槽和第二沟槽，并于外延层中形成浮空注入区；生长厚栅氧层，淀积、回刻厚栅氧多晶硅电极；以有源区光罩为阻挡，对厚栅氧层进行预定高度的湿法腐蚀，形成薄栅氧预置区；于薄栅氧预置区的底部和侧壁生长薄栅氧层，淀积、回刻薄栅氧多晶硅电极。有益效果：通过设置肖特基势垒区，调节肖特基势垒和表面电场，通过薄栅氧层的设置增强横向电场，抑制反向漏电；浮空注入区能够延伸电场分布范围，形成另一个截止反向漏电保护锁，提高器件耐压能力。
一种阶梯沟槽肖特基势垒二极管器件制备方法

[发明专利]高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法-CN201510280630.3有效
发明人：邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频水平双扩散金属氧化物半导体LDMOS及制造方法，其中方法包括：通过在外延层上依次生长垫氧层和第一氮化硅层，对第一氮化硅层进行光刻刻蚀，形成下沉区窗口，在下沉区窗口内通过垫氧层向外延层进行离子注入和推结，形成下沉区，并形成场氧区、阱区、漂移区、N+源区、N+漏区和P型注入区，从而避免在外延层上形成凹槽，避免P型区断面的产生，降低了高频LDMOS器件的导通电阻，提高了高频LDMOS器件的导通电阻的稳定性
高频水平扩散金属氧化物半导体 ldmos 制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201410045867.9在审
发明人：张学海;李俊;代洪刚;王孝远 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述制备方法至少包括步骤：在半导体衬底的有源区表面依次沉积垫氧化层和垫氮化层，刻蚀形成用于隔离相邻有源区的沟槽；采用刻蚀工艺将靠近所述沟槽的部分垫氮化层和垫氧化层刻蚀掉预设的厚度，露出部分有源区表面；填充绝缘材料至所述沟槽中形成浅沟道隔离结构；去除所述浅沟道隔离结构两侧的垫氮化层和垫氧化层暴露出所述浅沟道隔离结构两侧的有源区表面，在暴露的所述有源区表面生长栅氧；在所述栅氧表面沉积形成浮栅本发明的制备方法中在进行绝缘材料填充之前对垫氮化层和垫氧化层的侧壁进行了一定厚度的刻蚀，使后续填充在沟槽中的绝缘材料可以覆盖于有源区的表面，保证有源区的拐角处有足够厚的绝缘材料覆盖，避免尖角效应发生。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]STI空穴结构设计缺点的检测方法-CN202211249416.8在审
发明人：白杰;米琳;宁威;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种STI空穴结构设计缺点的检测方法，包括提供衬底，在衬底上形成垫氧层以及形成与垫氧上的硬掩膜层，通过光刻、刻蚀形成贯通硬掩膜层、垫氧层、衬底的凹槽；在凹槽上形成线形氧化层；将衬底划分为第一、二区域，利用第一光源照射第一区域中的线形氧化层，使得线形氧化层表面的氢键减少；利用第二光源照射第二区域中的线形氧化层表面，使得第二区域中线形氧化层层表面的氢键多于第一区域中的线性氧化层表面的氢键；通过淀积、研磨在每个凹槽中形成STI，之后去除硬掩膜层；获取第一、二区域中的空穴结构的数据并分析设计缺点。
sti 空穴结构设计缺点检测方法

[发明专利]一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法-CN202011376406.1有效
发明人：王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。
一种粒子高压 mos 场效应晶体管辐射加固结构制备方法

[发明专利]改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法-CN201610510527.8有效
发明人：黄海辉;杨渝书;乔夫龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层；使用湿法刻蚀来清洗晶圆表面，其中湿法刻蚀降低了剩余的垫氧层的厚度。
改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程衬底完整性方法

[发明专利]减少零层对准光罩使用的方法-CN201610327912.9在审
发明人：黄海辉;杨渝书;乔夫龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种减少零层对准光罩使用的方法，包括：生长垫氧层和氮化硅层，在氮化硅层上布置第一光阻层，在第一光阻层上针对零层对准图形区和闪存阵列N阱区进行曝光显影；利用第一光阻层进行闪存阵列N阱离子注入以形成闪存阵列N阱；利用第一光阻层形成氮化硅硬掩模层的沟槽，并利用氮化硅硬掩模层进行闪存阵列离子注入；布置第二光阻层，以氮化硅硬掩模层沟槽作为对准标志在第二光阻层上针对深N阱离子注入图形区进行曝光显影，通过干法刻蚀以不同步骤调节刻蚀选择比，在第二光阻层上针对零层对准图形区形成切割道沟槽，在深N阱离子注入图形区去除氮化硅硬掩模层后使刻蚀终止在垫氧层；利用第二光阻层进行深N阱区离子注入以形成深N阱区。
减少对准使用方法

[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201210116969.6有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制造方法包括：对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区；在第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层；对第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿第一掺杂体区，露出外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层；在多晶硅层顶部形成第二氧化层；去除氮化硅层、垫氧层及介质层后，形成第一金属层，并进行光刻
垂直扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201410693479.1在审
发明人：周建华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供衬底，在衬底上依次沉积垫氧层和SiN层；对衬底进行浅沟槽隔离工艺以形成浅隔离沟槽；在所述衬底上浅隔离沟槽以外的区域依次沉积垫氧层和氮化硅层；进行SiN回拉工艺；对浅隔离沟槽表面进行垫氧层沉积；对浅隔离沟槽进行氧化硅填充；在衬底的有源区制造CMOS器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种ETOX NOR型闪存的STI结构的制作方法-CN202310024656.6在审
发明人：姚春;王壮壮;杜怡行;王虎;杨耀华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种ETOX NOR型闪存的STI结构的制作方法，包括提供衬底，在衬底表面形成有垫氧层和硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层、垫氧层和衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽表面生长第一线形氧化层；利用氢氟酸刻蚀除去第一线形氧化层；在浅沟槽表面生长第二线形氧化层；采用HDP工艺对浅沟槽进行填充，并快速退火RTA；将浅沟槽进行平坦化处理，形成STI结构。本发明在浅沟槽表面进行两次线形氧化层的生长，同时采用高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)工艺对浅沟槽进行填充，在保证有源区边角圆化基础上降低HDP DEP等离子体对有源区的影响，同时规避HARP DEP造成的浮栅FG多晶硅残留风险以及水汽退火带来的有源区消耗，提升了ETOX NOR型闪存器件的性能。
一种 etox nor 闪存 sti 结构制作方法

[发明专利]金氧半导体芯片及其制作方法-CN200910171447.4有效
发明人：郑国樟;涂高维 -专利权人：尼克森微电子股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种金氧半导体芯片，包括一重掺杂的半导体基板、一外延层、至少一元件与一金属图案层；重掺杂的半导体基板构成一漏极掺杂区；外延层于半导体基板上；外延层的上表面定义有一主动区、一终端区与一切割道保留区，在切割道保留区具有一蚀刻壁，延伸至半导体基板的一上表面；此半导体基板的上表面的边缘区域暴露于外；元件位于主动区，并具有一栅极与一源极；金属图案层位于外延层与半导体基板上，包括一栅极接触垫、一源极接触垫与一漏极金属图案，其中，栅极接触垫电连接栅极，源极接触垫电连接源极，至少部分的漏极金属图案位于半导体基板的上表面。
半导体芯片及其制作方法

[实用新型]一种初期雨水净化系统-CN202221068989.6有效
发明人：谢照华;王兰刚;莫伟;孙全坤 -专利权人：上海太和水科技发展股份有限公司;中铁工程设计咨询集团有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种初期雨水净化系统，属于水质净化技术领域，包括围隔装置、格栅初滤区、生态过滤区、厌氧削减区、好氧削减区，所述格栅初滤区、生态过滤区、厌氧削减区、好氧削减区环绕雨水排口依次包围设置，所述围隔装置分别包围前述四个区域，所述格栅初滤区包括碎石层I，所述生态过滤区包括从上到下依次设置的水生植物层Ⅰ、碎石层Ⅱ，所述厌氧削减区和所述好氧削减区均包括从上到下依次设置的水生植物层Ⅱ、填料层，所述好氧削减区的填料层下方还设有增氧层本实用新型采用原位处理技术，通过设置格栅初滤区、生态过滤区、厌氧削减区、好氧削减区，使初期雨水经过四级过滤处理，水质得到有效改善。
一种初期雨水净化系统

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202211131028.X在审
发明人：金锋;朱宇彤;蔡莹;潘山山 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底内的深阱区，深阱区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；位于深阱区表面的场氧结构，场氧结构顶部表面高于衬底顶部表面，场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，第一场氧层、第二场氧层和若干第三场氧层均相互分立；位于深阱区内的体区，体区与第一场氧层相邻，且体区为第一导电类型；位于部分第一场氧层表面和部分体区表面的第一栅场板；位于部分第二场氧层表面的第二栅场板；位于场氧结构两侧的源区和漏区，源区位于体区内，漏区位于深阱区内，源区和漏区为第二导电类型，提高了器件的耐压能力。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202211131048.7在审
发明人：金锋;蔡莹;朱宇彤;潘山山 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底内的深阱区，深阱区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；位于深阱区内的场氧结构，场氧结构顶部表面与衬底顶部表面齐平，场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，第一场氧层、第二场氧层和若干第三场氧层均相互分立；位于深阱区内的体区，体区与第一场氧层相邻，且体区为第一导电类型；位于部分第一场氧层表面和部分体区表面的第一栅场板；位于部分第二场氧层表面的第二栅场板；位于场氧结构两侧的源区和漏区，源区位于体区内，漏区位于深阱区内，源区和漏区为第二导电类型，有利于提高器件的击穿电压性能。
ldmos 器件及其形成方法

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