“许隽”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果56个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种瓦尼桑黄与粗毛纤孔菌共发酵提高胞外多糖产量的方法及制备的多糖和应用-CN202310470272.7在审
发明人：唐少军;马文华;许隽;杨祎;马永春;邵晨霞;吴胜莲;靳磊;任锐;葛小鹏 -专利权人：常德市永春堂生物科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C12P39/00 文献下载
摘要：本发明属于微生物技术领域，公开了一种瓦尼桑黄与粗毛纤孔菌共发酵提高胞外多糖产量的方法及制备的多糖和应用，通过该方法二者发挥协同作用，提高菌类胞外多糖的产量及抗肿瘤活性。本发明首次利用了瓦尼桑黄和粗毛纤孔菌进行共同发酵，在优化了发酵培养基的基础上，利用二者丰富的酶系充分转化了发酵底物，从而提升了胞外多糖产量，并且提高了胞外多糖的抗肿瘤活性，为瓦尼桑黄和粗毛纤孔菌多糖产品的开发提供了物质基础。
一种瓦尼桑黄粗毛纤孔菌共发酵提高多糖产量方法制备应用

[发明专利]一株光核纤孔菌CM01及其应用-CN202111387301.0有效
发明人：唐少军;许隽;邵晨霞;吴胜莲;雷平;贺月林;杨祎;靳磊 -专利权人：湖南省微生物研究院
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一株光核纤孔菌CM01及其应用。该菌株具有较好的抗肿瘤、抑菌、抗氧化活性，具有重要的应用潜在价值。因此，本发明不仅能丰富菌种资源，也是发现新颖活性物质的重要途经。
一株光核纤孔菌 cm01 及其应用

[实用新型]一种集成式无油螺杆压缩机-CN202222322314.6有效
发明人：丁辉;许隽;原旭军;王玉 -专利权人：杭州久益机械股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： F04C18/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成式无油螺杆压缩机，属于压缩机技术领域。本实用新型包括主机、进气系统和排气系统，其中，主机的壳体沿轴向方向开设有进气端口，壳体的顶部开设有排气端口，壳体上设有若干个安装孔，且若干个安装孔沿进气端口的周向平均分布；进气系统包括进气管，进气管通过法兰连接安装在壳体的安装孔处；排气系统包括消音器、安全阀和止回阀，消音器通过法兰螺栓安装在壳体顶部的排气端口处，消音器的顶部设有螺孔，安全阀通过底部设置的与螺孔相适配的螺纹安装在消音器上，止回阀采用两个法兰对夹的方式安装在消音器的一侧。本实用新型的集成式无油螺杆压缩机体积小，重量轻，易于安装，适用性强。
一种集成式无油螺杆压缩机

[外观设计]电驱车载无油压缩机-CN202230577929.6有效
发明人：丁辉;许隽;原旭军;张钦晨 -专利权人：杭州久益机械股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 15-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电驱车载无油压缩机。2.本外观设计产品的用途：车载或者地面气力输送（水泥、面粉、饲料等）。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
驱车油压

[发明专利]STI空穴结构设计缺点的检测方法-CN202211249416.8在审
发明人：白杰;米琳;宁威;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种STI空穴结构设计缺点的检测方法，包括提供衬底，在衬底上形成垫氧层以及形成与垫氧上的硬掩膜层，通过光刻、刻蚀形成贯通硬掩膜层、垫氧层、衬底的凹槽；在凹槽上形成线形氧化层；将衬底划分为第一、二区域，利用第一光源照射第一区域中的线形氧化层，使得线形氧化层表面的氢键减少；利用第二光源照射第二区域中的线形氧化层表面，使得第二区域中线形氧化层层表面的氢键多于第一区域中的线性氧化层表面的氢键；通过淀积、研磨在每个凹槽中形成STI，之后去除硬掩膜层；获取第一、二区域中的空穴结构的数据并分析设计缺点。本发明的检测方法无需额外的湿洗过程，且可在单片晶圆内做多组测试组，能够节约成本和时间。
sti 空穴结构设计缺点检测方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN202211203122.1在审
发明人：范思苓;倪立华;蔡毅;许隽;吴坚;周军 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：在第一介质层上形成第二介质层，第一介质层中形成有第一金属连线；在第二介质层中形成通孔，通孔底部的第一金属连线暴露；形成粘附层，粘附层包括钛层；在粘附层表面形成氮化钛层；在氮化钛层表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成第一金属层，第一金属层与第一金属连线的构成材料不同；进行平坦化，去除通孔外的粘附层、氮化钛层、阻挡层和第一金属层，通孔内的粘附层、粘附层表面的氮化钛层、阻挡层和第一金属层形成接触孔。本申请通过在接触孔最外侧的粘附层形成后，在粘附层表面形成氮化钛层，因此能够阻挡后续工艺中的氯元素穿透粘附层与其下方的第一金属连线发生反应。
金属互连结构形成方法

[发明专利]一株硬毛粗盖孔菌及其栽培方法与应用-CN202210208943.8在审
发明人：唐少军;许隽;杨祎;邵晨霞;靳磊;吴胜莲;葛小鹏;贺月林 -专利权人：湖南省微生物研究院
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一株硬毛粗盖孔菌及其栽培方法与应用。本发明通过对硬毛粗盖孔菌野生子实体的组织分离、鉴定和活性分析，发现了一株具有抗肿瘤活性的硬毛粗盖孔菌新菌株YM11(Coriolopsistrogii)，丰富了硬毛粗盖孔菌菌种资源。还首次发现了硬毛粗盖孔菌多糖能抑制多种肿瘤细胞，具有广谱高效的抗肿瘤活性，在抗肿瘤药物开发方面具有重要的潜在应用价值。
一株硬毛粗盖孔菌及其栽培方法应用

[发明专利]介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法-CN202210851428.1在审
发明人：程刘锁;许隽;张继亮 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供一种介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法，其中介质层的物理性能的监测方法包括：建立椭圆偏振法以测试介质层相关物理参数的光学量程式；获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率及其研磨率；根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立数据模型；测试当前生产批次中的介质层的折射率；利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。本申请通过根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立有效的数据模型来合理预测当前批次及之后所有批次的介质层的研磨率，并且根据不断生产的批次还可以动态修正所述数据模型，实现了介质层的物理性能的动态监测和精确监控。
介质物理性能半导体芯片性能监测方法

[发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210494077.3在审
发明人：金立培;李宗旭;许隽;张严 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介质层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成的结构具有沟槽；通过预设的参数，通过HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，该预设的参数包括补偿参数，该补偿参数是根据晶圆在清洁循环中的排序所设置的工艺参数，清洁循环是进行HDP CVD工艺的沉积设备在两次清洁工艺之间运行晶圆的作业过程；依次在第一介质层上形成第二介质层和第三介质层。本申请通过包含补偿参数的预设参数，采用HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，补偿参数是基于作业中的晶圆在清洁循环中的排序确定的，因此能够补偿设备由于连续作业引起作业环境变化从而导致第一介质层填充后的形貌不利于第二介质层与第三介质层填充，产生空洞或空隙的缺陷。
介质形成方法

[发明专利]HDP-CVD设备的控制方法、设备和存储介质-CN202111541480.9在审
发明人：陈翔;刘善鹏;许隽;金立培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种HDP‑CVD设备的控制方法、设备和存储介质，该方法包括：检测是否满足触发条件，该触发条件包括以下条件中的至少一种：HDP‑CVD设备中最近一次运行的任务和即将运行的任务不属于同一任务组；HDP‑CVD设备距离最近一次任务运行完成的时间超过预设时间；距离HDP‑CVD设备最近一次腔室清洁工艺之后运行的晶圆数量大于预设数量；当满足触发条件时，控制HDP‑CVD设备进行腔室清洁工艺；控制HDP‑CVD设备运行第一数量的废片晶圆；控制HDP‑CVD设备运行第二数量的目标晶圆，目标晶圆是用于集成目标产品的晶圆；其中，HDP‑CVD设备中需要运行的晶圆包括目标晶圆、废片晶圆和其它晶圆，其它晶圆是用于集成其它产品的晶圆，目标产品对金属元素污染的要求大于其它产品。
hdp cvd 设备控制方法存储介质

[发明专利]HDPCVD工艺设备的处理方法-CN202111538760.4在审
发明人：朱朕;金立培;李宗旭;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种HDPCVD工艺设备的处理方法，包括：提供反应腔，所述反应腔内具有用于加载射频的陶瓷圆盘；对所述反应腔和陶瓷圆盘进行清洗处理；在所述清洗处理后，在所述反应腔的内壁面表面和所述陶瓷圆盘的表面形成第一介电膜；在所述第一介电膜表面形成第二介电膜，所述第二介电膜的密度大于所述第一介电膜的密度；在形成所述第二介电膜后，在所述反应腔内处理晶圆。从而，减少了HDPCVD工艺中的颗粒污染。
hdpcvd 工艺设备处理方法

[发明专利]层间介电层的形成方法-CN202111231177.9在审
发明人：李凯楠;金立培;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介电层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件和高深宽比沟槽，高深宽比沟槽是高度和深度的比值大于2的沟槽；采用HDP CVD工艺沉积低k介质形成第一介电层，第一介电层覆盖衬底、半导体器件和高深宽比沟槽的表面；采用SA CVD工艺在第一介电层上沉积低k介质形成第二介电层，第一介电层和第二介电层形成层间介电层。本申请通过在半导体器件的后道工艺中，依次采用HDP CVD工艺和SA CVD工艺形成层间介电层，使得形成的层间介电层的形貌易于后续的填充，提高了器件的可靠性。
层间介电层形成方法

[发明专利]一株恶臭假单胞菌X14及其应用方法-CN202010461696.3有效
发明人：许隽;雷平;邵晨霞;杨祎;葛小鹏;贺月林;唐少军;靳磊;吴胜莲 -专利权人：湖南省微生物研究院
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明属于微生物技术领域，涉及一株促进羊肚菌菌丝生长的恶臭假单胞菌X14及其应用方法。恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)X14，保藏编号为：CGMCC No.19720。添加本发明菌株X14能够提高羊肚菌试管种和原种的菌丝生长速率，缩短羊肚菌制种周期，本菌株的发酵条件简单，应用方便，适合羊肚菌菌种的规模化生产。
恶臭假单胞菌 x14 及其应用方法

[实用新型]一种无油螺杆压缩机的密封结构-CN202023347403.3有效
发明人：丁辉;丁小川;许隽;徐晓明;周高明 -专利权人：杭州久益机械股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： F04C27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无油螺杆压缩机的密封结构，油封组件套设在所述螺杆主轴上并靠近齿轮箱侧而设置，气封组件套设在所述螺杆主轴上并靠近压缩腔体侧而设置，在所述油封组件和气封组件之间设置有透气压环，透气压环的一侧抵靠油封组件，透气压环的另一侧抵靠气封组件，在与所述透气压环所对应的齿轮箱箱体壁处开设一圈透气槽，所述透气槽与外界大气连通。在油封和气封之间设置透气压环，并在与透气压环所对应的箱体壁处设置一圈透气槽，透气槽是与外界大气相通的，可以起到泄压的的作用，防止此处空气压力过大。
一种螺杆压缩机密封结构

[实用新型]一种干式无油螺杆压缩机的壳体结构-CN202023347489.X有效
发明人：丁辉;丁小川;许隽;徐晓明;周高明 -专利权人：杭州久益机械股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： F04C18/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种干式无油螺杆压缩机的壳体结构，壳体包括齿轮箱壳体和压缩机本体壳体，压缩机本体壳体上开设有轴向进气端口和顶部排气端口；齿轮箱壳体的内腔下部空间和压缩机本体壳体的内腔下部空间连通组成润滑油盛放腔；所述轴向进气端口位于压缩腔的侧下方位置，轴向进气端口通过弧形通道与压缩腔连通，弧形通道的部分底面能与润滑油盛放腔内的润滑油接触。本申请壳体结构设计合理，紧凑，体积小，占用安装空间小，更适合车载，使其非常适合安装在大多数车辆的底盘；弧形通道的部分底面能与润滑油盛放腔内的润滑油接触，外界气体通过弧形通道时能对润滑油盛放腔内的润滑油起到一定的降温冷却作用。
一种干式无油螺杆压缩机壳体结构

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 56 条