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[发明专利]常压混砂准干法压裂方法、所用压裂液、制备方法及应用-CN201811596231.8有效
发明人：郑焰;白小丹;罗于建 -专利权人：北京爱普聚合科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C09K8/68 文献下载
摘要：一种常压混砂准干法压裂方法、所用压裂液、制备方法及应用，该常压混砂准干法压裂方法，是指利用水基压裂液增稠剂体系材料增稠后的水基压裂液，同时携带二氧化碳干法压裂液增稠剂体系材料，再进行常压混砂，然后按设计比例与二氧化碳干法压裂液中的液体二氧化碳结合，液体CO2增稠后两相协同作用，形成具有足够粘度和结构的混合液相，成为常压混砂准干法压裂液，进行减阻携砂一体化压裂施工。本发明的常压混砂准干法压裂方法和常压混砂准干法压裂液，无需专用密闭混砂设备，常压混砂，配制方便；减阻携砂一体化应用，同时配制减阻液和携砂液；低伤害甚至无伤害，有利于储层保护；增产效果优异，性价比高。
常压混砂准干法压裂方法所用压裂液制备应用

[发明专利]一种CuO和准东煤灰共同修饰铁矿石的载氧体及其制备方法-CN201710133283.0在审
发明人：李娇;沈来宏;葛晖骏;蒋守席;王璐璐 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C10L10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种CuO和准东煤灰共同修饰铁矿石的载氧体及其制备方法。该载氧体由铁矿石、CuO和准东煤灰组成，按最终载氧体的重量计，该载氧体中铁矿石的质量分数为70％～90％，CuO的质量分数为5％～15％，准东煤灰的质量分数为5％～15％，所述载氧体依次通过湿法浸渍和干法煅烧制得利用廉价易得的铁矿石作为基础，依次采用湿法浸渍和干法煅烧制得的载氧体，既可以提高载氧体反应活性，还能降低载氧体制备成本，并实现准东煤灰的资源化利用。
一种 cuo 煤灰共同修饰铁矿石载氧体及其制备方法

[发明专利]准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法-CN201510292699.8有效
发明人：康劲;卜伟海;王文博;吴汉明;张兴;黄如 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，采用两次干法刻蚀，第一干法刻蚀，同时在用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的有源区第一区域，与用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管体区电极的有源区第二区域形成某一深度的凹槽，第二区域的凹槽深度满足体区电极的需求；接着保护第二区域的凹槽，对第一区域的凹槽进一步进行第二干法刻蚀以加大该凹槽深度，满足场效应晶体管源漏重掺杂区所需的掺杂多晶硅填入量。
绝缘体场效应晶体管器件制作方法

[发明专利]酸自耦平衡准干法制备聚合硫酸铝铁的方法-CN201510133663.5有效
发明人：徐颖惠;林维晟;胡家朋 -专利权人：徐颖惠
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸自耦平衡准干法制备聚合硫酸铝铁的方法，以Al2(SO4)3·18H2O、FeSO4·7H2O及NaClO3为原料，采用酸自耦平衡准干法制备得到聚合硫酸铝铁，制备条件为：n(Al3+)/
聚合硫酸铝铁干法制备自耦平衡国家标准要求氧化剂标准要求存储效果制备条件质量符合沉淀量配比为盐基度亚铁过量存储

[发明专利]一种准单晶电池的制备方法-CN201710891347.3有效
发明人：王海涛;包健;廖晖;李林东;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种准单晶电池的制备方法，包括如下步骤：将准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中第一混合液包括氢氟酸与双氧水；向第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将准单晶硅片在中性混合液中清洗第二预设时间，其中第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；将预清洗后的准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间；将经酸洗后的准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；将干法黑硅处理后的准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到准单晶电池。本发明制备得到的准单晶电池，绒面陷光效果较好，电池转换效率较高，提高了电池质量。
一种准单晶电池制备方法

[发明专利]一种准干法二氧化碳压裂方法和二氧化碳压裂装置-CN202310952200.6在审
发明人：王昊;赵仁保;梁冰;吴亚红;张劲 -专利权人：中国石油大学（北京）;邃智（北京）能源技术研究院有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种准干法二氧化碳压裂方法和二氧化碳压裂装置。该二氧化碳压裂装置采用准干法二氧化碳压裂技术，将表活剂、支撑剂和液态二氧化碳混合和压裂，利用表活剂降低支撑剂的流动阻力，提高混合液的携砂性能，解决干法二氧化碳压裂携砂能力差、施工规模小、施工摩阻高等问题
一种准干法二氧化碳方法装置

[发明专利]一种增强外延后光刻套准精度的方法-CN200910057423.6有效
发明人：王雷;吴鹏;阚欢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强外延后光刻套准精度的方法，包括如下步骤：(1)在外延层生长前进行光刻产生特定的测试图形，该测试图形由一矩形及该矩形的外框图形组成；(2)对外延层的衬底进行干法刻蚀；(3)外延层生长；基于此种方法可以得到更精确和准确的模型补偿值，大大提高外延后的光刻套准精度。
一种增强外延光刻精度方法

[发明专利]锌锰准固态液流电池的氧化锰基正极及其半干法电极制造方法-CN202210355256.9在审
发明人：周海涛;高宏权;伍建春;葛静怡;徐腾;侯栋 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明提供了锌锰准固态液流电池的氧化锰基正极及其半干法电极制造方法，将锰氧化物、导电剂、阳离子缓释剂、聚四氟乙烯粉体，在混料机中混合均匀；使用干燥的超音速射流气体喷射拉丝，使得聚四氟乙烯的分子链延展打开与该氧化锰基正极的半干法电极具有孔隙率大；具备阳离子缓释作用；优良的三维导电网络，溶出/沉积活性位点多；PTFE缠结网络结构稳定的优势，可以确保锌锰准固态液流电池的长寿命和大容量。
锌锰准固态流电氧化锰正极及其半干法电极制造方法

[发明专利]电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法-CN200510056279.6有效
发明人：刘明;徐秋霞;陈宝钦;龙世兵;牛洁斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上该方法实现了电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们在缺乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳米尺寸的图形，而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大尺寸的图形
电子束光学混合匹配曝光标记制备方法

[发明专利]准干法液态超临界CO2-CN202011550025.0有效
发明人：张仲春;白建林;江晨硕;张瑞;李建芳 -专利权人：克拉玛依科美利化工有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： E21B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及酸化压裂技术领域，是一种准干法液态超临界CO2酸压方法，按照下述方法进行：第一步，使用活性水正顶替，直到套管井口见液为止；第二步，待油套内充满液体后，
准干法液态临界 co base sub

[发明专利]一种绿豆脱皮前处理方法及脱皮机-CN202210586644.8有效
发明人：王建楠;刘敏基;谢焕雄;吴惠昌;颜建春;魏海;游兆延;高学梅;张会娟;于向涛 -专利权人：农业农村部南京农业机械化研究所
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A23N15/10 文献下载
摘要：本发明不仅创新了不同于传统湿法和干法的准干法绿豆脱皮前处理步骤，而且通过反复试验不断摸索，确定了各步骤理想的控制参数，从而既避免了湿法加工时间长、耗水量大、易污染的缺点，又克服了干法脱皮合格率、出米率低的缺点
一种绿豆脱皮处理方法

[发明专利]准分布式法珀干涉光纤传感器及其信号解调方法-CN202310375495.5有效
发明人：吴伟娜;王文华;师文庆;熊正烨;秦少平;谢玉萍;费贤翔;张泽锋 -专利权人：广东海洋大学;张家港烯光光电科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：本发明提出了准分布式法珀干涉光纤传感器及其信号解调方法，包括：依次连接的控制中心、驱动电路、可调谐激光器、第一光纤耦合器、光环形器和若干法珀干涉腔，其中，相邻的两个法珀干涉腔之间设置有光纤延迟线；所述光纤延迟线用于实现法珀干涉信号的时分复用本发明所提出的准分布式法珀干涉光纤传感器能实现环境参数变化的简单、快速和准确解调。
分布式干涉光纤传感器及其信号解调方法

[发明专利]一种有划片槽的台面或准台面半导体器件及其制备方法-CN201110170921.9无效
发明人：蔡道民;李献杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种有划片槽的台面或准台面半导体器件及其制备方法，划片槽同器件的本征区同高。制备方法为：在半绝缘衬底上利用MOCVD或MBE方法外延器件的材料层，可以在材料层上部添加保护介质；在材料层上部或保护介质上部涂光刻胶；利用光刻工艺，通过湿法腐蚀技术或等离子干法刻蚀技术制作出器件的台面本发明避免了划片时本征区器件的挤压导致的破损和崩边，进而提高了芯片解理的成品率、完整性和美观性，可广泛应用于台面或准台面器件。
一种划片台面半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法-CN201810721512.5在审
发明人：陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法，所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构，周期尺寸在1～100微米之间，所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。表面陷光阵列结构的制备方法是：选用平板玻璃作为衬底，采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。以该陷光结构玻璃基片为衬底材料沉积薄膜电池，可以有效地提高电池的光能俘获能力，同时具有宽谱段的光子调控能力和准全向特征，提升电池全天光子俘获，从而显著增加薄膜太阳电池的光电转换效率，因此在薄膜太阳电池领域有着良好的应用前景
陷光阵列结构薄膜太阳电池制备玻璃基片衬底材料电池各向同性腐蚀光电转换效率全反射条件平板玻璃凹坑结构半椭球状沉积薄膜调控能力干法刻蚀工艺加工光子俘获陷光结构周期排列宽谱段有效地俘获光能光子衬底全向湿法应用

[发明专利]一种湿法废气回收的处理方法及处理装置-CN202010274676.5在审
发明人：王利恒;俞抗 -专利权人：武汉航禹智通科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：部分气体溶于工作液中，剩余不溶的气体进入到碱洗喷淋罐中，通过10％的NaOH溶液喷淋洗涤，去除气体中所含的H2S，最终进入到加热炉中燃烧，或者应急状态下达到排放变准排放至大气中本发明有效的提高了除焦废气的脱硫率，在原来的干法脱硫的基础上，变为湿法脱硫，有效的除去了废气中的有害气体，也避免了干法脱硫上使用吸附剂而形成的固废，降低了环境的污染率。
一种湿法废气回收处理方法装置

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