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[发明专利]基于E面Y形分支波导的矩TEn0-CN202210966439.4在审
发明人： 舒国响;许福兴;廖家财;林广新;何敬聪;任浚辰;林举建;李琪;何文龙 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01P1/16 文献下载
摘要：本申请适用于太赫兹真空电子器件技术领域，提供了基于E面Y形分支波导的矩TEn0模式激励器，包括：输入矩形波导、E面Y形分支结、n个分支波导以及过模输出波导；其中，n为不小于2的整数；所述输入矩形波导的第一端接入TE10基模信号，第二端与所述E面Y形分支结连接；所述分支波导的第一端与所述E面Y形分支结连接，第二端与所述过模输出波导连接；所述分支波导有且仅有一条电磁波传播路径，且相邻的所述分支波导的所述电磁波传播路径长度之差为所述TE10基模信号半波导波长的奇数倍。本申请通过合理设置n的数量和传播路径长度，可以得到任意n取值的TEn0信号，具有更为广泛的适用性。
基于分支波导 te base sub n0

[发明专利]一种基于H-T接头功分网络的TE10-CN201910447076.1有效
发明人： 舒国响;何文龙;熊浩;刘国 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01P1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于H‑T接头功分网络的TE10‑TEn0的模式变换器，包括输入端口、输入波导、(n‑1)个H‑T接头、3*(n‑1)个匹配台阶、n个分支、输出端口，所述n个分支波导汇合而成过模输出波导，基模TE10从输入端口输入，通过模式转换在输出端口输出TEn0模。本发明的有益效果为：(1)通过优化获得相邻分支等幅反相的电磁波特性，有利于提高模式变换效率；(2)通过引入匹配台阶，有利于降低端口反射系数；(3)通过改变分支个数n可以获得工作在TEn0模的模式变换器；(4)能够为高阶过模平面慢波结构的冷腔测试提供模式变换装置。
一种基于接头网络 te base sub 10

[发明专利]一种基于多分支波导的高阶过模功率耦合器-CN201910725244.9有效
发明人： 舒国响;何文龙 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多分支波导的高阶过模功率耦合器，包括端口一，输入矩形波导，匹配台阶，第一、第二过渡矩形波导，第一反射谐振腔，(n‑1)个分支波导，过模输出波导，电子注通道，第二反射谐振腔，端口二，端口三；匹配台阶位于输入矩形波导和第一过渡矩形波导之间，第一过渡矩形波导末端设有第二过渡矩形波导，在第二过渡矩形波导下方设有第一反射谐振腔，第一过渡矩形波导的E面下方并排放置(n‑1)个分支波导，且多个分支波导连接一个过模输出波导，(n‑1)个分支波导下方与过模输出波导一侧连接有一个电子注通道。本发明结构不仅具有模式变换的特性，而且还能够实现注波分离/汇合，能够为高阶过平面慢波结构提供功率耦合装置。
一种基于分支波导功率耦合器

[发明专利]一种基于H-T接头功分网络的矩形TE10-CN201910724861.7有效
发明人： 舒国响;何文龙;张耿涛;邓浚哲 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01P1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于H‑T接头功分网络的矩形TE10模‑圆波导TE21模的模式变换器，模式变换过程为矩形TE10模‑矩形TE20模‑圆波导TE21模，其结构包括输入端口、主分支矩形波导、H‑T接头、3个匹配台阶、2个次分支矩形波导、过模矩形波导、矩圆波导模式变换器、输出圆波导、输出端口。本发明所提出的TE20‑TE21模式变换器具有优良的电性能，在很宽的频率范围内具有高模式转换效率(95％)。由于H‑T功分网络的采用，本发明的输入端口与输出端口的中心共轴，利于采用二维平面加工及其应用系统的集成化。本发明所提出的TE20‑TE21模式变换器兼具优良的的电性能和结构性能，能够用于回旋行波管高频结构的冷腔测试。
一种基于接头网络矩形 te base sub 10

[发明专利]应用于高阶过模带状多注器件的输入/输出功率耦合装置-CN202010357203.1在审
发明人： 舒国响;何文龙;林举健 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本申请属于真空电子技术领域，提供了一种高阶过模输入/输出功率耦合装置，包括：第一端口；矩形波导TE10‑TEn0模式变换器，用于进行矩形波导TE10‑TEn0的模式变换；过模过渡波导，与矩形波导TE10‑TEn0模式变换器连接，用于传输高阶模TEn0；其中，n＝2m,m为正整数；倾斜分支波导，用于传输高阶模TEn0；第三端口，用于注入或者收集带状多注；带状注通道，用于传输带状多注；过模输出波导，分别与倾斜分支波导和带状注通道连接，用于汇合或者分离高阶模TEn0和带状多注；以及第二端口，用于输出汇合后的注波或者输入完成互作用后的注波，从而兼具了功率耦合和模式变换特性，解决了现有技术中的高阶过模耦合器存在的结构复杂、加工困难的问题。
应用于带状器件输入输出功率耦合装置

[发明专利]用于带状注器件的耦合器-CN202010216029.9在审
发明人： 舒国响;邓浚哲;何文龙;黄智捷;林举建;陈立坚 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本申请适用于真空电子技术领域，提供了一种用于带状注器件的耦合器，包括主波导、副波导、连接所述主波导和所述副波导的单耦合分支波导、金属挡板、倾斜短路面以及Bragg反射腔；所述主波导的第一端为所述耦合器的输入端口，所述主波导的第二端为所述耦合器的隔离端口；所述副波导的第一端为所述耦合器的输出端口，所述副波导的第二端与所述倾斜短路面连接；所述Bragg反射腔加载在所述主波导下方；所述金属挡板加载在所述副波导的第二端，并靠近所述倾斜短路面。能够解决带状注器件耦合器结构复杂、加工难度大、工作频带窄等问题。
用于带状器件耦合器

[发明专利]一种用于高阶过模平面慢波结构冷腔测试的TE₁₀-TE_n0模式变换器-CN201910447962.4在审
发明人： 舒国响;何文龙;曹利红;刘国 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01P1/163 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于高阶过模平面慢波结构冷腔测试的TE₁₀‑TE_n0模式变换器，包括输入端口一、输入矩形波导、匹配台阶、过渡矩形波导、反射谐振腔、(n‑1)个分支波导、过模输出矩形波导和输出端口二，基模TE₁₀从输入端口一输入，在输出端口二输出TE_n0模，过渡矩形波导通过多分支波导和过模输出矩形波导相连，过渡矩形波导和每个分支波导构成了1个E‑T接头，每个分支波导和过模矩形波导也构成了1个E‑T接头的结构。本发明通过引入匹配台阶降低端口一的反射系数；通过引入反射谐振腔有利于提高电磁波的传输；有利于提高模式变换效率；通过改变分支个数(n‑1)可以获得工作在TEn0模的模式变换器；能够为高阶模平面慢波结构的冷腔测试提供模式变换装置。
波导模式变换器分支波导过渡矩形慢波结构冷腔输出矩形波导矩形波导匹配台阶输出端口输入端口谐振腔测试高阶反射模式变换装置反射系数模式变换电磁波多分支高阶模引入基模传输输出

[发明专利]一种具有正弦函数轮廓的交错栅慢波结构-CN201810989412.0在审
发明人： 舒国响;钱正芳;熊浩;王建勋;刘国;何文龙;张良;孙一翎 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种正弦函数轮廓的交错栅慢波结构，它由一个长方体壳体、上/下栅齿、上/下腔体以及带状注通道构成。带状电子注通道的宽边轮廓由传统的直线型变成了呈正弦函数分布的轮廓。该慢波结构的纵向电场沿着宽边的分布和带状注通道的形状轮廓相吻合，均呈正弦函数分布。这种慢波结构既能提高工作频率又能增大耦合阻抗，能够弥补耦合阻抗在宽边方向的不均匀性，从而能够增加注波互作用的强度，进而有利于提高基于该慢波结构的行波管/返波管的电子效率和输出功率。当应用于带状注行波管时，还能够提高整管增益。基于这种慢波结构的毫米波太赫兹行波管/返波管在通信、雷达、电子对抗和成像等诸多军民应用领域有着广泛的应用前景。
慢波结构正弦函数行波管宽边耦合阻抗波管交错电子对抗长方体壳体带状电子注不均匀性电子效率工作频率输出功率形状轮廓纵向电场毫米波传统的下腔体直线型下栅整管成像应用吻合雷达通信

[实用新型]一种用于玻璃HF腐蚀的多层金属掩膜种子层-CN201821051080.3有效
发明人：陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于玻璃HF腐蚀的多层金属掩膜种子层。该多层金属掩膜种子层自玻璃衬底向上依次形成Cr/Cu/Cr/Cu的复掩膜层结构。所述第一、三层的Cr层的厚度为10‑100nm，第二、四层的Cu层的厚度为100‑300nm。该多层金属掩膜种子层的结构能在玻璃HF腐蚀过程中起到很好的掩膜作用，最大程度上减少玻璃腐蚀过程中的针孔现象出现，避免了钻蚀现象的发生，达到良好的腐蚀效果。
掩膜多层金属种子层腐蚀玻璃本实用新型玻璃腐蚀针孔现象掩膜层衬底三层钻蚀

[发明专利]一种具有曲线轮廓的单栅慢波结构-CN201810615288.1在审
发明人： 舒国响;钱正芳;熊浩;孙一翎;范姝婷;陈乐;戴翔宇;周灿钦;梁豪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲线轮廓的单栅慢波结构，由一个长方体壳体、沿着纵向周期分布的各栅齿以及曲线轮廓的电子注通道构成。这种慢波结构可以在不改变其色散特性的情况下，能够提高平均耦合阻抗，改善耦合阻抗在宽边方向的均匀性，增加注波互作用的强度，从而有利于提高基于该慢波结构的行波管/返波管的电子互作用效率以及输出功率。对于行波管，还有利于提高其整管增益。基于这种慢波结构的毫米波太赫兹行波管/返波管具有结构紧凑、电子效率高、输出功率大等优点，在高数据率通信系统、高精度成像系统、电子对抗系统和雷达整机系统等方面有着广泛的应用前景。
慢波结构曲线轮廓行波管输出功率耦合阻抗波管单栅高数据率通信系统电子对抗系统长方体壳体电子注通道高精度成像互作用效率毫米波电子效率雷达整机色散特性纵向周期均匀性宽边栅齿整管应用

[发明专利]一种矩形金属柱加载的交错栅慢波结构-CN201810614351.X在审
发明人： 舒国响;钱正芳;周灿钦;孙一翎;范姝婷;陈乐;戴翔宇;熊浩;梁豪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01J23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种矩形金属柱加载的交错栅慢波结构，采用一个长方体外壳、位于壳体上顶面和下底面沿着纵向周期分布的矩形栅齿、加载在栅齿中间的一根/多根矩形金属柱和两个带状注通道组成的结构。利用矩形金属柱，可以实现慢波结构的高阶模工作。这种交错栅慢波结构能够有效抑制低阶模和且在相同结构尺寸的情况下工作在高频段。基于这种慢波结构的毫米波太赫兹行波管/返波管具有结构紧凑、电子效率高、输出功率大等优点，在高数据率通信系统、高精度成像系统、雷达整机系统等方面有着广泛的应用前景。
慢波结构矩形金属加载交错高数据率通信系统长方体外壳高精度成像壳体上顶面毫米波电子效率雷达整机输出功率通道组成有效抑制纵向周期低阶模高阶模高频段矩形栅下底面行波管波管栅齿应用

[发明专利]一种多孔波导和反射腔加载的Y形分支波导耦合器-CN201810990250.2在审
发明人： 舒国响;钱正芳;熊浩;王建勋;刘国;何文龙;张良;孙一翎 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种反射腔和多孔波导加载的Y形分支波导耦合器，由L形弯头波导、Y形分支波导、多孔波导、反射腔和隔离波导构成。这种耦合器在很宽的频带内具有低端口反射、高隔离度和高传输特性。该耦合器可以用以作为带状注行波管/返波管的输入/输出耦合装置，实现注波汇合/分离。从而有利于保障带状注行波管的宽频带工作状态和发挥带状电子注的优势。对于带状注行波管，其作为一种高频放大管，通过输入耦合装置将输入信号传输到高频互作用电路，以实现信号的放大。基于这种耦合器结构的毫米波太赫兹行波管/返波管具有高电子效率、大输出功率和宽工作频带等优点，在高数据率通信系统、高精度成像系统和雷达整机系统中有着广泛的应用前景。
波导行波管反射腔波导耦合器耦合器波管加载高数据率通信系统输入耦合装置大输出功率带状电子注高精度成像耦合器结构毫米波输入/输出传输特性电子效率端口反射高隔离度高频放大工作频带雷达整机信号传输作用电路耦合装置宽频带汇合放大隔离应用

[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法-CN201810721512.5在审
发明人：陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法，所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构，周期尺寸在1～100微米之间，所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。所述陷光阵列结构的陷光界面约50％的区域满足光的全反射条件。表面陷光阵列结构的制备方法是：选用平板玻璃作为衬底，采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。以该陷光结构玻璃基片为衬底材料沉积薄膜电池，可以有效地提高电池的光能俘获能力，同时具有宽谱段的光子调控能力和准全向特征，提升电池全天光子俘获，从而显著增加薄膜太阳电池的光电转换效率，因此在薄膜太阳电池领域有着良好的应用前景。
陷光阵列结构薄膜太阳电池制备玻璃基片衬底材料电池各向同性腐蚀光电转换效率全反射条件平板玻璃凹坑结构半椭球状沉积薄膜调控能力干法刻蚀工艺加工光子俘获陷光结构周期排列宽谱段有效地俘获光能光子衬底全向湿法应用

[发明专利]一种用于玻璃HF腐蚀的多层金属掩膜种子层及其制造方法-CN201810728203.0在审
发明人：陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于玻璃HF腐蚀的多层金属掩膜种子层及其制造方法，本发明的多层金属掩膜种子层是利用磁控溅射方法，在洁净玻璃表面溅射多层金属膜，自玻璃衬底向上依次形成Cr/Cu/Cr/Cu的复掩膜层结构。所述第一、三层的Cr层的厚度为10‑100nm，第二、四层的Cu层的厚度为100‑300nm。该多层金属掩膜种子层的结构能在玻璃HF腐蚀过程中起到很好的掩膜作用，最大程度上减少玻璃腐蚀过程中的针孔现象出现，避免了钻蚀现象的发生，达到良好的腐蚀效果。
掩膜多层金属种子层腐蚀玻璃洁净玻璃表面玻璃腐蚀磁控溅射针孔现象金属膜掩膜层衬底多层溅射三层钻蚀制造

[实用新型]一种基于石墨烯和二维半导体的阻抗动态连续可调的同轴馈电结构-CN201820141439.X有效
发明人：钱正芳;张文静;张秀文;桂成群;舒国响 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本申请涉及动态连续可调的同轴馈电结构技术领域，具体公开了一种基于石墨烯和二维半导体的阻抗动态连续可调的同轴馈电结构。本实用新型提供的这种同轴馈电结构由石墨烯、二硫化钼等二维导体和二维半导体的单层、双层、或多层组成，包括中间介电结构层。所述同轴馈电结构进一步形成了二极管和场效应晶体管，其特性在于通过外加电场对同轴结构的射频阻抗实现动态连续可调、阻抗匹配、和阻抗重构的功能。
同轴馈电结构连续可调二维半导体石墨烯阻抗场效应晶体管本实用新型二极管二硫化钼二维导体射频阻抗同轴结构外加电场中间介电阻抗匹配结构层重构的单层多层申请

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