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[发明专利]冷源肖特基晶体管及其制备工艺-CN202111673717.9在审
发明人：刘飞;谢晓鑫;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种冷源肖特基晶体管及其制备工艺，包括衬底、源区、源区、沟道区、源极、漏极和栅极；源区设在衬底上，源区包括第一源区和与第一源区相连接的金属区，第一源区为重掺杂区；漏区设在衬底上，漏区为重掺杂区，漏区与第一源区的掺杂类型相反；沟道区设在衬底上，沟道区位于金属区和漏区之间，沟道区的上侧和/或下侧设置有栅极介质；源极设在源区上；漏极设在漏区上；栅极设在栅极介质上。在有一定的源漏偏压的情况下，在增大栅压的过程中，沟道区和金属区之间的肖特基势垒被压低，使肖特基势垒变薄，直至低能区的肖特基势垒足够薄时，隧穿电流会迅速增加，源区的低能区的电子隧穿肖特基势垒，从而能够实现亚阈值摆幅低于
冷源肖特基晶体管及其制备工艺

[发明专利]肖特基晶体管、二极管、冷源半导体结构及其制备方法-CN202210547399.X在审
发明人：刘飞;谢晓鑫;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种肖特基晶体管、二极管、冷源半导体结构及其制备方法。冷源半导体结构包括：重掺杂P型区、金属区和轻掺杂N型区，所述金属区连接于所述重掺杂P型区与所述轻掺杂N型区之间；且所述金属区为硅化铂，所述轻掺杂N型区邻近所述金属区的一端掺杂有硫离子。本发明能够降低半导体结构接触的肖特基势垒，提升开态电流。
肖特基晶体管二极管半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710796202.5有效
发明人：邓光敏;裴轶;朱永生 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路-CN202210286284.X在审
发明人：侯朝昭;张强;李伟;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路，包括：半导体衬底、源极、漏极以及栅极；半导体衬底具有源区、漏区及位于源区与漏区之间的沟道区，源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上；沟道区包括第一掺杂区及沟道，第一掺杂区在源区一侧，沟道在漏区一侧；源区包括第二掺杂区及导体区，导体区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间；漏区包括第三掺杂区；第一与第三掺杂区属同一掺杂类型，第二与第三掺杂区属不同的掺杂类型。本申请的冷源晶体管其栅极设置在沟道区上，当冷载流子越过肖特基势垒，从第一掺杂区进入沟道时，使得冷载流子不再受到被外部重新热化，因此可以降低由热化的冷载流子造成的漏电，从而降低亚阈值摆幅。
一种晶体管制作方法集成电路

[发明专利]隧穿场效应晶体管-CN201811320069.7有效
发明人：施敏;柯亚威;张威;朱友华 -专利权人：南通大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
场效应晶体管

[发明专利]一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法-CN200910199045.5无效
发明人：吴东平;张世理;王鹏飞;仇志军;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。
一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法

[实用新型]具有肖特基二极管的半导体器件-CN202020208786.7有效
发明人：张永杰;陈伟钿;周永昌;李浩南;孙倩 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有肖特基二极管的半导体器件。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层与肖特基区接触形成肖特基二极管，与接触区接触形成欧姆接触，与源区接触形成欧姆接触，在与第一面朝向第二面的方向相垂直的第一平面内，肖特基区被阱区和接触区包围。
具有肖特基二极管半导体器件

[发明专利]一种肖特基电子源扩散锆源的制备方法及涂敷方法-CN202310892281.5在审
发明人：方琦;郑磊;梁中鼎;朱荣帅;程协;杨韬 -专利权人：安徽科昂新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基电子源扩散锆源的制备方法及涂敷方法，涉及电子源技术领域，相较于冷场发射电子源，具有锆氧涂层的肖特基电子源使用寿命更长、电子发射的能量势垒更低，且实现了电子发射时空间分辨率与稳定性之间的最佳组合然而，扩散锆源对于肖特基电子源的性能有着直接的影响。为了提升扩散锆源本身的结构强度、减少肖特基电子源发射电子所需要等待的时间，来实现更佳的电子发射效果，我们设计了一种由乙酸异戊酯、硝化纤维素和氢化锆组成的扩散锆源浆料配方。最终，实现了肖特基电子源扩散锆源的高质量、高效率制备。
一种肖特基电子扩散制备方法

[发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法-CN202110800171.2在审
发明人：刘溪;赵春荣 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法，对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置，低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置，对漏电极正向偏置，高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置，另一个施加反向偏置，对漏电极施加正向偏置，该数字芯片处于关断、高阻状态，对源电极输出逻辑0。
高低肖特基势垒无掺杂 xnor 逻辑数字芯片制造方法

[发明专利]一种MOSFET结构及其制作方法-CN202211248859.5在审
发明人：陈辉 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种MOSFET结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上自下而上依次形成漂移层、体区及源区；形成栅极沟槽、栅介质层及栅导电层；形成源极沟槽；形成肖特基金属层；形成源极金属层。本申请在漂移层的侧壁及体区的侧壁形成肖特基金属层，肖特基金属层与漂移层形成肖特基二极管，可以改善MOSFET结构的反向恢复特性，肖特基金属层还与体区形成肖特基接触，使得源区和体区存在势垒差异(体区电位降低此外，由于体区的侧壁全部被肖特基金属层所覆盖，本申请的MOSFET结构的制作方法无需分两步分别在体区的侧壁形成肖特基接触和欧姆接触，工艺步骤简单。
一种 mosfet 结构及其制作方法

[发明专利]测量肖特基势垒高度的装置和方法-CN201210209958.2有效
发明人：刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
测量肖特基势垒高度装置方法

[发明专利]器件与方法-CN201980027918.6在审
发明人：宋爱民;张嘉炜;约书亚·威尔逊 -专利权人：曼彻斯特大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体管制备方法。
器件方法

[发明专利]一种肖特基二极管的等效电路-CN201110421654.8有效
发明人：姜艳;胡林辉 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的等效电路，包括：二极管的阳极与电压控制电流源的正极连接，二极管的阴极与电压控制电流源的负极连接，二极管的阳极与电压控制电流源的正极的连接点作为肖特基二极管的等效电路的阳极，二极管的阴极与电压控制电流源的负极的连接点作为肖特基二极管的等效电路的阴极。本发明的肖特基二极管的等效电路能够在仿真中作为肖特基二极管的等效电路，提高包含肖特基二极管的电路的仿真精度。
一种肖特基二极管等效电路

[发明专利]一种肖特基接触有机光敏场效应管-CN201210128935.9无效
发明人：彭应全;吕文理;谢吉鹏;杨汀;姚博;陈德强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构及其制备方法。其制备方法是，对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成电子肖特基接触。源极和漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏极与源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此采用本发明制备的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。
一种肖特基接触有机光敏场效应

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法、终端设备-CN202210236078.8在审
发明人：张强;侯朝昭;李伟;王嘉乐;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：该场效应晶体管包括衬底结构、源极、漏极及栅极。其中，衬底结构具有源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区，源区包括能够提供冷载流子的三维材料。源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上。源区与沟道区的材质不同，且源区与沟道区之间具有肖特基势接触。该场效应晶体管能够降低源端掺杂扩散，通过不同的源区材料选择，更好地维持冷载流子在晶体管打开时进入沟道区。
场效应晶体管及其制备方法终端设备

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