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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法-CN200510072951.0有效
发明人：翁正明;林苗均;黄俊仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除晶片表面蚀刻残留物的方法，包含有：于该晶片上沉积一低介电常数层；于该低介电常数层上形成一金属层；于该金属层上形成一光致抗蚀剂层，包含一图案；将该光致抗蚀剂层的该图案转移至该金属层中，形成一金属图案；去除该光致抗蚀剂层；利用该金属图案作为蚀刻屏蔽，等离子体干蚀刻该低介电常数层，以形成一开孔，其中该等离子体干蚀刻导致该开孔沉积有残留物；进行一第一湿式处理，以软化该残留物；进行一干式等离子体处理，以裂解该残留物；以及进行一第二湿式处理，以完全去除该残留物。
一种去除晶片表面上蚀刻残留物方法

[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺-CN03143604.8有效
发明人：颜裕林;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。
半导体图案化光致抗蚀剂层工艺

[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和掩模图案形成方法-CN201680013518.6有效
发明人：入江重夫;吉井崇;增永惠一;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
光掩模坯光掩模制造方法图案形成

[发明专利]光致抗蚀剂聚合物与含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂化合物-CN200410061832.0无效
发明人：郑载昌 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂聚合物及含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。小于50纳米的光致抗蚀剂图案是使用EUV(极远紫外线)作为曝光光源，由包含下列成分的光致抗蚀剂组合物来获得的：(i)包含式2聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物或(ii)包含式3聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物与聚乙烯基苯酚结果，虽然该光致抗蚀剂图案具有极小的厚度，但仍可取得优越的抗蚀刻性。（见式2和式3）。
光致抗蚀剂聚合物含有化合物

[发明专利]用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用所述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂的方法-CN201010000401.9有效
发明人：闵盛晙;权赫俊;朴珉春 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。更具体而言，通过含有一种式1表示的化合物，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物具有优良的光致抗蚀剂剥离能力，并且在光致抗蚀剂的下层膜包含钼(Mo)的情形下，具有对所述光致抗蚀剂的下层膜的优良的防腐蚀效果。
用于光致抗蚀剂剥离组合使用方法

[发明专利]将单一液体光致抗蚀剂材料施加到半导体晶片的半导体器件和方法-CN202211661367.9在审
发明人：南基雄;张政焕;黄仁熙 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：分配器将光致抗蚀剂材料分配到半导体晶片的表面上。控制器控制分配器以在以第一速度旋转时，在单个施加中将光致抗蚀剂材料施加到半导体晶片的表面，从而形成高达12.0微米或者在3.0至12.0微米的范围中的光致抗蚀剂材料的厚度。控制器控制分配器以在以第一速度旋转半导体晶片时，终止光致抗蚀剂材料的施加。在旋转半导体晶片时，光致抗蚀剂材料变干。控制器控制分配器以在施加光致抗蚀剂材料之前将涂层施加到半导体晶片。
单一液体光致抗蚀剂材料施加半导体晶片半导体器件方法

[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物-CN201210060721.2无效
发明人：竹井敏;新城彻也;日高基彦 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
用于形成交联固化抗蚀剂下层组合

[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物-CN200680013280.3有效
发明人：竹井敏;新城彻也;日高基彦 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
用于形成交联固化抗蚀剂下层组合

[发明专利]洗涤用组合物、半导体元件的制造方法-CN200880008229.2有效
发明人：松永裕嗣;大户秀;柏木秀王;吉田宽史 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。
洗涤组合半导体元件制造方法

[发明专利]抗蚀剂的干式显影-CN201980085227.1在审
发明人：鲍里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;萨曼莎·西亚姆华·坦;吴呈昊;凯文·顾 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现，该方法包括：在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上；以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影：通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。
抗蚀剂显影

[发明专利]具有对称外部介电层的无核基板封装-CN200910173349.4无效
发明人： J·索托冈萨雷斯;T·吴;P·奥勒;M·罗伊;S·李;R·欧默多 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：描述了一种可使用现有化学剂生产的薄管芯封装基板。在一个示例中，封装基板被构建在支承材料上。干膜光致抗蚀剂层形成在封装基板上。从封装基板上移除支承材料。从基板移除干膜光致抗蚀剂层并且修整该基板以用于封装。
具有对称外部介电层无核封装

[发明专利]显示元件的形成方法及其结构-CN200610108007.0无效
发明人：李刘中;潘信桦;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种形成显示元件的方法，包括：于基板上形成第一金属、绝缘层、第二金属、保护层，并且形成有机光致抗蚀剂层于保护层上。接着，对有机光致抗蚀剂层进行光刻步骤，以形成图案化有机光致抗蚀剂层。接着，以图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行干蚀刻步骤，使得在第一金属上形成第一接触孔和在第二金属上形成第二接触孔，并分别曝露出第一金属和第二金属。接下来，采用热处理的方式，处理图案化有机光致抗蚀剂层，使得图案化有机光致抗蚀剂层产生相变，并朝向第一接触孔的侧壁和第二接触孔的侧壁流动，且覆盖在第一接触孔和第二接触孔的侧壁上。通过图案化有机光致抗蚀剂层覆盖接触孔的侧壁，以控制接触孔侧壁的倾斜角度。
显示元件形成方法及其结构

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]相机模块及其制造方法-CN201110274849.4有效
发明人：郑杰元;林宏烨 -专利权人：采钰科技股份有限公司;美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G03B17/12 文献下载
摘要：相机模块包含透镜结构以及图像感测元件芯片设置于透镜结构下方，透镜结构包含透明基底，具有第一表面以及相对的第二表面，透镜设置于透明基底的第一表面上，间隙物设置于透明基底的第一表面上且围绕透镜，其中间隙物包含基础图案和干膜光致抗蚀剂此方法包含在载体上形成基础图案，将干膜光致抗蚀剂贴附至载体和基础图案上，进行压膜工艺将干膜光致抗蚀剂平坦化，然后将干膜光致抗蚀剂图案化形成间隙物，提供具有多个透镜的透明基底，将间隙物从载体剥离，贴附至透明基底上
相机模块及其制造方法

[发明专利]一种具有高解析度和优异附着力的光致抗蚀剂-CN202111109386.6在审
发明人：刘罡 -专利权人：深圳惠美亚科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗试剂，该光致抗蚀剂作为感光干膜的核心层，包含：50‑70重量份的碱溶性树脂、15‑40重量份光聚合化合物、0.2‑8.0重量份的光引发剂、0.1‑2.0重量份其他助剂。上述光致抗蚀剂制成感光干膜后，显影后具有高解析度、优异的附着力及柔韧性、退膜快等优点，有利于提升下游电子产品的良品率。
一种具有解析度优异附着力光致抗蚀剂

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