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[发明专利]含卤素及脂肪族的有机锡光致抗蚀剂及其方法-CN202280016742.6在审
发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼;埃里克·卡尔文·汉森;吴呈昊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开涉及由包含有C1‑4卤代脂肪族或C1‑4脂肪族基团或乙烯基(‑CH＝CH2)及其他不饱和取代基的前体所形成的组合物，以及形成且采用此类组合物的方法。在特定实施方案中，卤代脂肪族基团为C1‑2卤代烷基，其进而提供具有增强辐射吸收率和/或最小膜收缩(例如，在辐射暴露和/或暴露后烘烤时)的抗蚀剂膜。在其他实施方案中，脂肪族基团为C1‑2烷基或乙烯基及其他不饱和取代基，其可被干式沉积。在非限定实施方案中，辐射可包括极紫外光(EUV)或深紫外光(DUV)辐射。
卤素脂肪有机锡光致抗蚀剂及其方法

[发明专利]用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺-CN202310318757.4在审
发明人：游正义;萨曼塔·S·H·坦;穆罕默德·哈隆·阿尔维;理查德·怀斯;潘阳;理查德·A·戈奇奥;阿德里安·拉沃伊;希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂;蒂莫西·威廉·威德曼;林庆煌;杰罗姆·胡巴塞克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
用于图案辐射光致抗蚀剂集成干燥工艺

[发明专利]利用有机共反应物的干式沉积光致抗蚀剂-CN202180060446.1在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;蒂莫西·威廉·威德曼;吴呈昊;林庆煌;基莱·乔丹·布莱克内 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开内容涉及利用前体与有机共反应物所形成的膜、以及用于形成和利用这种膜的方法。可将所述膜用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定实施方案中，可通过在沉积期间使辐射敏感金属元素与辐射敏感有机基团的来源解耦，调整在所述膜中的碳含量。在非限制性实施方案中，辐射可包括极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
利用有机反应物沉积光致抗蚀剂

[发明专利]来自Sn(II)前体的光致抗蚀剂-CN202180060488.5在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;吴呈昊;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开内容涉及利用有机锡(II)化合物所形成的膜、以和用于形成和利用该膜的方法。该膜可使用作为可光图案化膜或辐射敏感膜。在非限制性的实施方案中，辐射可包括极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
来自 sn ii 光致抗蚀剂

[发明专利]光敏混合膜的形成方法-CN202180060331.2在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;蒂莫西·威廉·威德曼;吴呈昊;林庆煌;基莱·乔丹·布莱克内;阿德里安·拉沃伊;希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂;萨曼塔·S·H·坦;理查德·怀斯;潘阳;李英熙;卡蒂·林恩·纳尔迪;凯文·利·顾;鲍里斯·沃洛斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。
光敏混合形成方法

[发明专利]含钽光致抗蚀剂-CN202180061016.1在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;吴呈昊;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开内容涉及用基于钽的前体形成的膜以及形成与使用此类膜的方法。膜可以用作光可图案化的膜或对辐射敏感的膜。在非限制性的实施方案中，辐射可包含极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
含钽光致抗蚀剂

[发明专利]用于含金属光致抗蚀剂的显影的金属螯合剂-CN202180060341.6在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;蒂莫西·威廉·威德曼;吴呈昊;凯文·利·顾;德赖斯·狄克特斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开内容涉及使用金属螯合剂来处理暴露光致抗蚀剂膜。在特定实施方案中，金属螯合剂用于移除界面区域，从而提高图案化质量，该界面区域配置在暴露与未暴露区域之间或配置在暴露区域之内。
用于金属光致抗蚀剂显影螯合剂

[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具-CN202211142175.7在审
发明人：德赖斯·狄克特斯;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
用于去除光致抗蚀剂处理工具

[发明专利]用于增强EUV光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化-CN202180026985.3在审
发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼;凯文·利·顾;吴呈昊;卡蒂·林恩·纳尔迪;鲍里斯·沃洛斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本文公开了用于在光刻图案化操作之前将有机金属氧化物膜暴露于全面性UV处理的方法和装置。全面性UV处理可以用来推移膜的溶解度曲线，从而可以使用较低的EUV剂量来对膜进行图案化。此外，全面性UV处理可以在显影之后使用，以进一步固化膜。
用于增强 euv 光刻性能暴露前光致抗蚀剂固化

[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具-CN202180015520.8在审
发明人：德赖斯·狄克特斯;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
用于去除光致抗蚀剂处理工具

[发明专利]用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺-CN202180009838.5在审
发明人：游正义;萨曼塔·S·H·坦;穆罕默德·哈隆·阿尔维;理查德·怀斯;潘阳;理查德·A·戈奇奥;阿德里安·拉沃伊;希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂;蒂莫西·威廉·威德曼;林庆煌;杰罗姆·胡巴塞克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
用于图案辐射光致抗蚀剂集成干燥工艺

[发明专利]利用用于高性能EUV光致抗蚀剂的高EUV吸收剂的衬底表面改性-CN202080081121.7在审
发明人：卡蒂·林恩·纳尔迪;蒂莫西·威廉·威德曼;吴呈昊;凯文·利·顾;鲍里斯·沃洛斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有辐射吸收层和成像层的图案化结构及其方法和设备。在特定的实施方案中，辐射吸收层提高了成像层的辐射吸收率和/或图案化性能。
利用用于性能 euv 光致抗蚀剂吸收剂衬底表面改性

[发明专利]光致抗蚀剂膜的干式室清洁-CN202080058274.X在审
发明人：丹尼尔·彼得;李达;蒂莫西·威廉·威德曼;鲍里斯·沃洛斯基;吴呈昊;卡蒂·林恩·纳尔迪;凯文·利·顾;利昂·塔莱;萨曼莎·西亚姆华·坦;游正义;薛萌 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。
光致抗蚀剂膜干式室清洁

[发明专利]用于光致抗蚀剂干式沉积的设备-CN202080060616.1在审
发明人：布奇·伯尼;艾伦·M·舍普;蒂莫西·威廉·威德曼;凯文·利·顾;吴呈昊;卡蒂·林恩·纳尔迪;鲍里斯·沃洛斯基;克林特·爱德华·托马斯;撒德·尼科尔森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：讨论了用于极紫外线敏感(EUV敏感)光致抗蚀剂层的干式沉积的系统和技术。在一些这样的系统中，可以提供特征在于多充气部喷头的处理室，所述多充气部喷头被配置成在一个充气部中接收汽化有机金属前体以及在另一充气部中接收其汽化逆反应物。这两种汽化反应物可以被输送至在处理室内且在支撑该衬底的晶片支撑件上的反应空间。
用于光致抗蚀剂干式沉积设备

[发明专利]具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂-CN202080059412.6在审
发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼;凯文·利·顾;卡蒂·林恩·纳尔迪;吴呈昊;鲍里斯·沃洛斯基;埃里克·卡尔文·汉森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本文的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积光致抗蚀剂材料的技术。例如，这些技术可涉及在反应室中提供该衬底；将第一及第二反应物提供至该反应室，其中所述第一反应物为具有化学式M1aR1bL1c的有机金属前体，其中：M1为具有高图案化辐射吸收截面的金属，R1为有机基团，其在所述第一反应物与所述第二反应物之间的所述反应后保留，且能在暴露于图案化辐射下从Ml裂解，L1为与所述第二反应物反应的配体、离子、或其他部分，a≥1，b≥1，且c≥1，且其中满足以下条件中的至少一者：光致抗蚀剂材料包含两或更多高图案化辐射吸收元素、和/或所述光致抗蚀剂材料包含沿着所述光致抗蚀剂材料的厚度的组成梯度。
具有图案辐射吸收元素竖直组成梯度光致抗蚀剂

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