专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液和表面处理方法-CN202180040575.4在审
  • 黑泽伸也;松永裕嗣;玉井聪 - 三菱瓦斯化学株式会社
  • 2021-06-01 - 2023-03-21 - C23G1/10
  • 本发明涉及一种用于适当地去除存在于铜或铜合金的表面的自然氧化膜、有机物的处理液。本发明提供一种化学研磨液,其为用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液,其包含:(A)以前述化学研磨液的总量基准计为0.1~3.5质量%的过氧化氢;(B)以前述化学研磨液的总量基准计为1~20质量%的选自由硫酸和硝酸组成的组中的1种以上;(C)作为按照氟原子换算的含量以前述化学研磨液的总量基准计为0.05~0.8质量%的氟化物;(D)以前述化学研磨液的总量基准计为0.01~1质量%的选自由邻氨基苯甲酸、环己胺、环己醇和1,5‑戊二醇组成的组中的1种以上;(E)以前述化学研磨液的总量基准计为0.0005~0.005质量%的氟系表面活性剂;和(F)水。
  • 用于铜合金表面处理化学研磨方法
  • [发明专利]晶体管的制造方法-CN201180040397.1有效
  • 岛田宪司;松永裕嗣;安部幸次郎;山田健二 - 三菱瓦斯化学株式会社
  • 2011-07-26 - 2013-05-22 - H01L21/306
  • 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻,以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法,其特征在于,所述方法使用如下的结构体,具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序,且将虚拟栅极置换为铝金属栅极,所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。
  • 晶体管制造方法

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