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- [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210115728.3在审
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蔡佳宏
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力晶积成电子制造股份有限公司
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2022-02-07
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2023-07-28
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H01L21/311
- 利用光掩模进行第一光刻制作工艺而形成第一图案化光致抗蚀剂层。利用第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，对金属材料层进行图案化制作工艺，而形成包括多个金属图案的金属层。移除第一图案化光致抗蚀剂层。利用在第一光刻制作工艺中所使用的相同光掩模进行第二光刻制作工艺而形成第二图案化光致抗蚀剂层。第二图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料为第一图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料的反型光致抗蚀剂材料。利用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对第一介电层进行蚀刻制作工艺。移除第二图案化光致抗蚀剂层。对第一介电层进行平坦化制作工艺。
- 半导体结构制造方法
- [发明专利]通过UV-LIGA技术制造多层级金属部件的方法-CN200980132070.X有效
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J-C·法卡布里诺;G·雷-梅尔梅特
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尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
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2009-07-23
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2011-07-13
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G03F7/00
- 一种用于制造多层级金属微结构的方法包括以下步骤：a)提供具有导电表面(2)的基板(1)；b)用第一光致抗蚀剂层(3)覆盖导电表面(2)；c)通过与所希望的凹腔对应的掩模(4)照射第一光致抗蚀剂层(3)；d)显影第一光致抗蚀剂层(3)，以便在其中挖出孔口并由此获得光致抗蚀剂模具的第一层级，在第一光致抗蚀剂层中的孔口显露出基板的导电表面(2)；e)在被显影的光致抗蚀剂层(3)上沉积新的光致抗蚀剂层(6)，以便覆盖被显影的光致抗蚀剂层并且填充其中的孔口；f)通过与所希望的凹腔对应的掩模(7)照射该新的光致抗蚀剂层(6)；g)显影该新的光致抗蚀剂层(6)，以便在其中挖出孔口并获得多层级光致抗蚀剂模具，该多层级模具中的孔口显露出基板的导电表面(2)；h)在该多层级光致抗蚀剂模具的孔口中电沉积金属或合金；i)分离基板(1)，然后去除光致抗蚀剂层，以便显露包括孔口中沉积的所述金属或合金的多层级金属结构(8)。
- 通过uvliga技术制造多层金属部件方法
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