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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]缩短光致抗蚀剂涂布流程的方法-CN200710136679.7无效
发明人：陈俊秀;钟兆营;陈儒德;吴昭宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种缩短多个晶片的光致抗蚀剂涂布流程的方法。以第一光致抗蚀剂对第一晶片进行第一涂布工艺，以第二光致抗蚀剂对第二晶片进行第二涂布工艺，此方法包括于第一涂布工艺后段未使用喷嘴的期间，同时执行第二光致抗蚀剂的预喷操作。
缩短光致抗蚀剂涂布流程方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法-CN200410069634.9无效
发明人：郑载昌 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于远紫外区的光致抗蚀剂的组合物以及用于形成光致抗蚀剂图案的方法。更具体地，小于50nm而不塌陷的精细光致抗蚀剂图案以EUV(远紫外线)作为曝光光源，使用包含三聚氰胺衍生物及聚乙烯基苯酚的负型光致抗蚀剂组合物来形成。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]聚合物组合物、包含该聚合物组合物的光致抗蚀剂以及包含该光致抗蚀剂的涂覆制品-CN201310264410.2有效
发明人： M·D·克里斯蒂安森;M·M·梅耶;O·昂格伊 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C08F234/02 文献下载
摘要：本发明涉及聚合物组合物、包含该聚合物组合物的光致抗蚀剂以及包含该光致抗蚀剂的涂覆制品，提供了一种共聚物，其包含如下化学式（I）的溶出速率控制单体、化学式（II）的非环乙烯基醚单体以及化学式（III）的环乙烯基醚单体的聚合产物其中还揭示了包含所述共聚物的光致抗蚀剂和涂覆制品。
聚合物组合包含光致抗蚀剂以及制品

[发明专利]光敏组合物-CN200610146456.4有效
发明人： M·R·温克尔;J·E·斯蒂珀;刘向前;J·奥卡达－科克利;S·A·伊比特森 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/028 文献下载
摘要：本发明提供适合在单步涂敷应用中沉积厚的光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂组合物和方法。该光致抗蚀剂层特别适合用在芯片级封装中，例如，用于形成金属突起。
光敏组合

[发明专利]包含碱反应活性组分的组合物和用于光刻法的方法-CN201080063288.7有效
发明人： D·王;刘进荣;刘骢;D·康;A·赞皮尼;C·徐 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于浸没光刻的新的光致抗蚀剂组合物。本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种具有碱反应活性基团的材料。本发明具体优选的光致抗蚀剂组合物可以在浸没光刻工艺过程中降低抗蚀剂材料向与所述抗蚀剂层接触的浸没流体的浸出。
包含反应活性组分组合用于光刻方法

[发明专利]一种金属网格触控传感器和盖板玻璃集成方法-CN202110569443.2有效
发明人：谢才兴;罗伯特·佩科维奇;麦克·默里恩 -专利权人：江苏软讯科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触摸屏，包括：显示装置以及通过光学清澈粘合剂粘附到所述显示装置的触摸传感器；其中所述触摸传感器包括：透明基底；催化剂光致抗蚀剂组合物的催化剂光致抗蚀剂图案层，所述催化剂光致抗蚀剂组合物包含光致抗蚀剂和催化剂纳米粒子；在所述催化剂光致抗蚀剂图案层上方具有导电图案的金属导电层；位于所述金属层上方的金属钝化层；以及所述金属钝化层上方的具有交联结构的透明保护层。
一种金属网格传感器盖板玻璃集成方法

[发明专利]光致抗蚀剂材料和用由其构成抗蚀图形的半导体装置制法-CN99100817.0无效
发明人：山名慎治 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-02-23 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明为提供一种在化学放大负型光致抗蚀剂中兼具有抑制稀疏与致密尺寸差和侧壁凹凸少的光致抗蚀剂形状的光致抗蚀剂图形，使用将分子量为100-1000、产生扩散距离为30-60nm酸的光致酸产生剂，与分子量为100-1000、产生扩散距离为10-30nm酸的光致酸产生剂以摩尔比5-95％的比例混合，光致酸产生剂的总量为树脂量百分比1-15％的光致抗蚀剂材料。
光致抗蚀剂材料构成图形半导体装置制法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202111682535.8在审
发明人：羽贺满;李明琦 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本文公开一种图案形成方法，该方法包括：(a)在半导体基底上施加光致抗蚀剂组合物层，(b)以图案化的方式使该光致抗蚀剂组合物层曝光于i线辐射；以及(c)使该曝光的光致抗蚀剂组合物层显影以提供抗蚀剂浮雕图像；其中该光致抗蚀剂组合物包含非离子型光酸产生剂；溶剂；第一聚合物和第二聚合物；并且其中该第一聚合物包含聚合物染料。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]基板处理方法-CN200910007671.X无效
发明人：白石雅敏;寺田尚司;麻生丰;大西辰己;真锅英二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)，形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下步骤：将作为底膜的蚀刻掩模使用的上述光致抗蚀剂图案(206)在纯水(W)中暴露规定时间的步骤；向上述基板(G)上吹付空气，除去上述纯水(W)的步骤；和将上述光致抗蚀剂图案(206)暴露于溶剂气氛中进行溶解，对规定区域进行掩模的步骤。
处理方法

[发明专利]双重图案化的方法-CN201310198556.1有效
发明人：李镇玮;刘弘仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：然后，在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层，此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口，并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有一部分的厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的厚度。之后，在第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。本发明提供的双重图案化的方法仅利用一道光罩工艺即可在基底的第一区及第二区上形成具有不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层，此举使得第二光致抗蚀剂层在整个第一区上具有均匀的厚度，以得到良好的曝光显影环境。
双重图案方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210261610.8有效
发明人：张荣芳;张民杰 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]正型光致抗蚀剂剥离剂组合物-CN201210246206.3无效
发明人：张峰 -专利权人：张峰
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)1-20重量份的N，N-二乙基羟胺；b)1-70重量份的二甘醇单烷基醚；c)1-5重量份的[式1]所示的化合物；d)1-5重量份的[式2]所示的化合物；[式1]，其中R’为氢，或具有1至4个碳原子的烷基，[式2]。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物不腐蚀基板、且能有效地除去光致抗蚀剂膜，因此具有很强的实用性。
正型光致抗蚀剂剥离组合

[发明专利]半导体制造中的间隔物限定的直接图案化方法-CN201910110274.9在审
发明人：野泽俊久;石川大;久保田智广 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体制造中的间隔物限定的直接图案化方法包括：提供具有线的目标宽度的光致抗蚀剂结构；修整所述光致抗蚀剂结构，使得每个修整过的光致抗蚀剂结构的宽度小于所述目标宽度；在模板上沉积氧化物膜，从而用所述氧化物膜完全覆盖所述模板的暴露顶表面和所述修整过的光致抗蚀剂结构；蚀刻所述氧化膜覆盖的模板以去除所述氧化膜的不需要部分而不去除所述修整过的光致抗蚀剂结构，从而形成彼此隔离的竖直间隔物，每个间隔物基本上保持所述目标宽度并由所述修整过的光致抗蚀剂结构和覆盖所述修整过的光致抗蚀剂结构的侧壁的所述氧化膜的竖直部分构成
光致抗蚀剂结构间隔物修整氧化膜蚀刻半导体制造图案化去除竖直沉积氧化物图案转移氧化物膜顶表面侧壁覆盖隔离暴露

[发明专利]用于移动电话的键盘的金属标贴及其制造方法-CN200810144414.6无效
发明人：金荣准 -专利权人：金荣准
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：用于移动电话的键盘的金属标贴及其制造方法，金属标贴贴到移动电话的键盘，键盘透过分配给多个按钮的字母或数字发光，该方法包括：(a)制备导电衬底；(b)通过将光致抗蚀剂施用到导电衬底表面来形成光致抗蚀剂层；(c)通过将掩模放置在光致抗蚀剂层上表面并进行曝光和显影来形成光致抗蚀剂图案；(d)通过对导电衬底的其上形成有光致抗蚀剂图案的表面进行电镀来形成填充光致抗蚀剂图案之间的各部分的金属图案层，以形成对应于字母与数字的图案孔；(e)使金属图案层与导电衬底和光致抗蚀剂图案分离并在金属图案层上表面形成透光的有色或无色覆盖膜层；(f)将扩散片贴在金属图案层下表面；(g)在扩散片下表面形成粘合层，贴上剥离膜。
用于移动电话键盘金属标贴及其制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂的干式背侧和斜面边缘清洁-CN202180051077.X在审
发明人：丹尼尔·彼得;游正义;萨曼莎·西亚姆华·坦;薛萌;李达;基思·爱德华·道森;克林特·爱德华·托马斯;约翰·丹尼·贝特里娜·帕乔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：执行干式背侧和斜面边缘清洁而不暴露于等离子体，以从衬底移除不想要的光致抗蚀剂材料。衬底被支撑在衬底支撑件上并通过最小接触区域(MCA)支撑件抬高，使得蚀刻气体可以接触到衬底背侧。气体分配器是将帘式气体输送至衬底的正面，以保护正面上的光致抗蚀剂材料。蚀刻气体输送源是将第一蚀刻气流输送至该背侧，一或多个周围气体入口则将第二蚀刻气流输送至正面的周围以及斜面边缘附近。
光致抗蚀剂干式背侧斜面边缘清洁

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