[发明专利]半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底有效
申请号: | 99105611.6 | 申请日: | 1999-03-05 |
公开(公告)号: | CN1231533A | 公开(公告)日: | 1999-10-13 |
发明(设计)人: | 小林俊雅;东条刚 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01S3/19 | 分类号: | H01S3/19;H01L33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 用于 衬底 | ||
【主权项】:
1.具有可解理半导体层的半导体器件,该半导体层堆叠于衬底上并具有由可解理表面构成的边缘,该半导体器件包括:半导体层的所述边缘通过首先在所述衬底上堆叠所述半导体层,然后在除用于所述边缘的主部分的部分以外,沿用于制造所述边缘的部分至少在半导体层中部分地制造解理辅助槽,并从所述解理辅助槽对半导体层和衬底进行解理而制造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99105611.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据处理方法、记录介质及数据处理设备
- 下一篇:治疗皮肤的外用组合物
- 同类专利
- 激光二极管及其制作方法-96122851.2
- 金昴序;金敦洙;李相龙;申英根 - 现代电子产业株式会社
- 1996-10-16 - 2003-10-15 -
- 一种脊波导激光二极管,具有倒置台面结构,耐热并增加了接触金属对接触层的附着力,可由使聚酰亚胺仅保留在倒置台面结构的下部而形成聚酰亚胺间隔。在这种二极管中,接触金属难以在台面结构的对面断开。
- 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底-99105611.6
- 小林俊雅;东条刚 - 索尼株式会社
- 1999-03-05 - 1999-10-13 -
- 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。
- 埋入式异质结构-97194140.8
- U·乌兰德;M·拉斯克;B·斯托尔茨 - 艾利森电话股份有限公司
- 1997-02-25 - 1999-07-14 -
- 一个外延生长半导体异质结构有一个基本上被限制区域(9)侧面限制的内部区域,还有被增强的横向限制层(3,7)增强地横向限制。后一类层通过在下部增强的横向限制层(3)的上面停止产生侧面限制的蚀刻,并在制造侧面限制区域(9)之后生长这样一个上部层(7)而不在处理过程中暴露在生长腔的外部。该结构计划来使内部区域作为有源激光区域,比如用于Inp基的1.3μm波长激光器。然后,同时发生的侧面限制、增强的横向限制和暴露保护,同时使得能有低门限电流、小的温度敏感性和可靠的、长时间的操作。增强的横向限制层(3,7)可能包括在处理过程中铝的氧化保护。这样的激光器将防止可靠性下降。
- 含有铍的II-VI型蓝-绿激光二极管-97195749.5
- 托马斯·J·米勒;迈克·A·哈斯;保罗·F·博德;迈克·D·帕施雷 - 明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司
- 1997-01-16 - 1999-07-14 -
- 一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管(10)包括若干Ⅱ-Ⅵ族半导体叠层,它们构成一个由镓砷半导体基片(12)所支持的PN结。在该PN结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层(20),第二传导型的第二包覆层(22),以及至少一个在上述第一和第二包覆层(20,22)之间的第一导引层(14)。一个离子井活性叠层(18)设在该PN结内。电能通过第一和第二电极(40,41)连接至上述激光二极管(10)。在该激光二极管中形成各类叠层(14、16、20、22、36、38)时均使用了铍。
- 半导体激光器、光拾取器件及光记录和/或复制装置-97113267.4
- 佐原健志 - 索尼株式会社
- 1997-06-13 - 1998-01-07 -
- 半导体激光器包括衬底,在衬底上的第一包层,在第一包层上的有源层,在有源层上的第二包层;第二包层具有平行于p-n结方向并且垂直于谐振腔纵向方向上的多个等效复折射率台阶。使用半导体激光器作为光源的光拾取器件,以及使用该半导体激光器作为光源的光记录/复制装置。
- 钨丝做掩膜二次质子轰击垂直腔面发射激光器-93118240.9
- 杜国同 - 吉林大学
- 1993-09-28 - 1997-12-24 -
- 本发明为一种半导体激光器。本发明为一种垂直腔表面发射出光的半导体激光器,它是在GaAs单晶片上外延生长成有源区和多层异质外延薄膜以形成上、下反射镜,由两次钨丝做掩膜垂直交叉质子轰击、蒸金形成出光窗口和限制电流的高阻区。
- 生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法-93105939.9
- 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 - 明尼苏达州采矿制造公司
- 1993-05-21 - 1997-04-02 -
- 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层,其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述,其中m、n和p为整数。
- 无包层单量子阱II-VI族激光二极管-93105938.0
- 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 - 明尼苏达州采矿制造公司
- 1993-05-21 - 1997-04-02 -
- 一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管,它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。
- 短波长垂直腔表面发射激光器及其制造方法-96105880.3
- 贾玛·兰达尼;迈克尔斯·S·蕾比;彼椎·格罗津斯 - 摩托罗拉公司
- 1996-05-10 - 1997-01-29 -
- 提供了一种短波长垂直腔表面发射激光器(101)。衬底(102)具有一个表面(103),衬底(102)是由镓砷磷构成的。形成了一个覆盖在衬底(102)的第一表面(103)上的第一反射堆(106)。第一覆盖区(107)是通过覆盖在第一反射堆(106)上形成的。激发区(108)是覆盖在第一覆盖区(107)上形成的。第二覆盖区(109)是覆盖在激发区(108)上形成的。第二反射堆(110)是覆盖在第二覆盖区(109)上形成的。接触层(126)是覆盖在第二反射堆(110)上形成的。
- 半导体激光二极管及其制造方法-96102024.5
- 早藤纪生;川津善平 - 三菱电机株式会社
- 1996-02-15 - 1996-11-27 -
- 本发明的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板1上边形成n型GaN接触层5,然后在此n型GaN接触层5上边形成把n型AlGaN层7、非掺杂GaN活性层8、p型AlGaN包层9、p型GaN接触层10、p型半导体反射镜11迭层起来的外延层。这样一来,蓝宝石基板1的背面和n型接触层5的面连续地构成为几乎同一平面,并在此同一平面上形成与n型接触层5连接的电极。
- 蓝-绿激光二极管-95102031.5
- 迈克尔·A·海斯;郑骅;詹姆斯·M·迪鲁特;邱钧 - 明尼苏达州采矿制造公司
- 1992-05-15 - 1996-03-27 -
- 用于II-VI族半导体的P型欧姆接触,包括P型II-VI族半导体器件层;在器件层的第一侧的P型II-VI族晶体半导体接触层;在接触层上,由费米能级表征的导电电极层;以及接触层掺具有浅受主能量的浅受主,达到净受主浓度为1×1017cm-3,并且在浅受主能级和电极层费米能级之间包括一些足够的深能态,以能够发生电荷载流子串级隧穿。
- 用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法-89108327.8
- 胡礼中;刘式墉 - 吉林大学
- 1989-11-02 - 1994-06-22 -
- 本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。其优点在于方法简单、容易实现、重复性好,适用于制作光电集成器件。
- 具有腔内结构的纵腔式表面发射激光器-93106745.6
- J·L·纪威尔;G·R·奥尔布赖特 - 班德加普技术公司
- 1993-05-07 - 1994-02-02 -
- 所公开的纵腔式表面发射激光器(VCSELs)具有各种腔内结构,以实现低串联电阻、高功率效率和TEM00基模辐射。在本发明一个实施例中,VCSEL包括一个位于高位镜和低位镜之间的激光谐振腔。此激光谐振腔包括中间夹激活区的高位和低位隔层。分层电极包括多个交替排列的高掺杂层和低掺杂层。此VCSEL进一步包括在分层电极中形成的盘形区电流孔在另一实施例中,在VCSEL的高位镜中形成有具有光孔的金属层。
- 电流注入式激光器-89100123.9
- 彼得·查尔斯·肯门尼 - 澳大利亚长途电讯公司
- 1989-01-06 - 1992-06-17 -
- 一种激光器,它具有一单晶基片(12),基片(12)上依次如此配置有一内反射器(12)、共振腔层(20)和一外反射器(24),使得m=0,1,2,……其中λm是一个可能的工作波长,Nr(It)是共振腔层在电流为It时的折射率,It为在产生激光的临界点下流经激光器的电流,d为共振腔层的厚度,φ1和φ2在本发明中有所规定(通常φ1加φ2等于2π或0),变量m的值在0至10的范围内。
- 带消反射层和相涂层的分布反馈激光器-89106280.7
- 彼得·库英德斯马;韦尔马·范埃斯-斯皮克曼;皮特勒斯·保罗勒斯·杰拉达斯·莫尔斯;英格里德·艾伯汀娜·弗郎斯·玛丽埃特·贝利 - 菲利浦光灯制造公司
- 1989-06-28 - 1992-06-03 -
- 本发明使用在消反射层上涂一层相位层。使激光器既以单模形式工作又有窄线宽。根据本发明,可以将反射涂层涂到相位层上。此时有效反射的模数和相位都可以基本上彼此不相关地得到调节。其结果是窄线宽和SLM能够更容易地获得。消反射涂层,相位层和反射涂层可以用不多于两种的、具有合适折射率的材料来进行涂层。两种尤为合适的材料是二氧化铪和二氧化硅,它们可以使用比较筒单的真空沉积技术涂层到反射镜面上。
- 阶梯衬底内条形激光器-87103851.X
- 杜国同 - 吉林大学
- 1987-05-24 - 1990-09-19 -
- 本发明为一种半导体激光器。本发明为一种内条形双异质结激光器,这种激光器是在衬底上预先腐蚀出倒梯形阶梯、窄台阶等适当的形状,利用非平面衬底液相外延的性质,使电流隔离层和双异质结构一次外延完成生长,电流通路在外延生长中自然形成。其优点是工艺简单、工序少、工艺周期短、低阀值、良好的线性输出和稳定大功率单基模式振荡,并可提高激光器的可靠性。
- 半导体激光器-85104521.9
- 穆利文;瓦尔斯达尔 - 菲利浦光灯制造公司
- 1985-06-13 - 1989-07-12 -
- 本发明是一个具有隐埋阻断层限流的双异质结型(DH)半导体激光器,根据本发明,一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区4A两边的外上方,从对着衬底的半导体本体这边,至少贯穿了阻挡层的厚度。因此,横向漏电流和寄生电容被减小,使该激光器能用于在显著高于1GHz的频率。高阻区(14)最好用质子轰击得到。本发明对用于光通讯的DCPBH激光器特别有益。
- 复合腔波导互补激光器-85102608.7
- 杜国同 - 吉林大学;电子工业部第四十四研究所
- 1985-04-01 - 1989-05-17 -
- 本发明为一种半导体激光器。复合腔波导互补激光器是一种双异质结半导体激光器。这种激光器是把有源区厚度有变化的折射率导引结构和有源区厚度无变化的增益导引结构分段做在一个谐振腔内,使其波导特性和其它优点互相补充。使之有良好线性的光功率曲线,较大功率单模输出,有一定的纵模——温度锁定效应,能改善器件的热阻,提高腔面最大损坏功率。
- 阶梯衬底内条形激光器-87103851
- 杜国同 - 吉林大学
- 1987-05-24 - 1988-12-14 -
- 本发明为一种半导体激光器。本发明为一种内条形双异质结激光器,这种激光器是在衬底上预先腐蚀出倒梯形阶梯、窄台阶等适当的形状,利用非平面衬底液相外延的性质,使电流隔离层和双异质结构一次外延完成生长,电流通路在外延生长中自然形成。其优点是工艺简单、工序少、工艺周期短、低阈值、良好的线性输出和稳定大功率单基模式振荡,并可提高激光器的可靠性。
- 复合外腔半导体激光器-87215998
- 霍玉晶;许知止;周炳琨 - 清华大学
- 1987-12-08 - 1988-10-05 -
- 一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域,本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔,其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜,全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的,粘结为一个整体并密封在壳内,充有保护气体。本实用新型线宽≤1MHz,在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制,单模运转稳定时间>24小时,同一单模运转时注入电流变化范围达15mA(0.5Ith)。边模抑制比>25db。
- 具有大体平面的波导的激光器-88100570
- 布鲁斯·阿瑟·沃扎克;沈相根 - 阿莫科公司
- 1988-02-04 - 1988-08-24 -
- 一种包含大体平面的波导的激光器,其中,所述波导由沿光传播方向的一些高增益和低增益区的不同组合构成,使得从光谐振腔的一端到另一端的累积增益作为沿所述波导内一条垂直于所述光传播方向的直线的位置的一种函数而变化。
- 专利分类