[发明专利]一种有源层制造方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202310494867.6 | 申请日： | 2023-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN116504642A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陆磊;孙杰;韩子娟;李继麟;张盛东;王新炜;李潇;庄昌辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/428;H01L21/477;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
