[发明专利]使用二维材料提高性能的半导体开关器件在审
申请号: | 202310253031.7 | 申请日: | 2023-03-14 |
公开(公告)号: | CN116779652A | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 金基俊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/778 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张霞;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体器件,包括:沟道区,在衬底上;以及接触层,接触沟道区的第一侧。沟道区可以包括过渡金属二硫族化物(TMD)单层作为半导体层。接触层包括第一过渡金属和接合到第一过渡金属的第一硫族元素。在沟道区上设置栅极结构,并设置接触接触层的源/漏层。源/漏层包括与接触层内的第一过渡金属接合形成共价键的金属。 | ||
搜索关键词: | 使用 二维 材料 提高 性能 半导体 开关 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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