[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211263287.8 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115528109A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈帅;房育涛;夏德洋;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/41;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 刁益帆 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：依次叠置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；若干层过渡层，其设置在势垒层上，其中，每一过渡层包括设置在势垒层上的第一P型掺杂GaN层和设置在第一P型掺杂GaN层上的第一P型掺杂层；盖帽层，其设置在过渡层上；栅极，其设置在盖帽层上；源极，其设置在势垒层上；漏极，其设置在势垒层上，与源极分别设置在栅极的两侧；其中，第一P型掺杂GaN层的掺杂浓度被配置为随靠近第一P型掺杂层所在一侧向靠近衬底所在一侧降低。本披露公开的技术方案能够改善了非栅区域迁移率下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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