[发明专利]一种碳化硅外延生长源管路系统在审
| 申请号： | 202211206396.6 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115434009A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 黄海林;钱卫宁;刘杰;梁瑞;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C23C16/448;C23C16/455;C30B25/16;C30B29/36 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 林海峰 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市火炬高*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅外延生长源管路系统，包括主载气管路、预混管路、碳源单元、硅源单元和掺杂源单元，主载气管路用于连通外延生长反应腔，预混管路连通主载气管路，碳源单元、硅源单元和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路、硅源传输管路和掺杂源连通管路与预混管路连通，以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路中按预设比例进行预混形成预混生长源气体，而后再通入主载气管路中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。本发明可以保证碳源、硅源和掺杂源可同时混入主载气中并一同进入到外延生长反应腔中去，并保证在混入瞬间的C/Si与此后外延生长过程中的C/Si是一致的。如此，有利于提高碳化硅外延薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 管路 系统 | ||
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- 2023-03-31 - 2023-07-18 - C30B25/14
- 本发明公开了一种解决硅片背面多晶工艺，其解决的方法包括以下步骤：S1、首先需要进行实时准备好相应的硅片和相应的用来稀释的气体，并且用专业的器皿进行储存放置备用，通过优化外延菜单气流分布及功率分布，控制边缘的三氯氢硅气流，减少多余多晶生长，需要进行优化气流分布，通过加大整体的稀释气体载气流量，加快三氯氢硅在腔体中停留时间，通过加大进口通入的稀释气体，稀释边缘三氯氢硅气体。本发明减少硅片发生形变，使得优化前，晶圆边缘背面容易长多晶导致碎片，优化后实现无多晶效应，有效的避免了导致硅片受到热应力后粘片碎片或传片时粘片碎片，大大降低了良率损失，防止一旦碎片需进行设备维护，进一步降低了投入的成本。
- 一种用于外延设备的气体分配装置-202310429790.4
- 胡志坤;巩小亮;胡凡;巴赛;李苹 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2023-04-20 - 2023-07-14 - C30B25/14
- 本发明公开了一种用于外延设备的气体分配装置，包括：石墨生长室、气体流道、过渡腔、主法兰和匀气管，主法兰、匀气管、气体流道、过渡腔和石墨生长室依次密封连接；石墨生长室内设有用于承载晶圆的晶圆基座；主法兰上设有多个独立进气口，主法兰内设有多个独立混气腔室，气体流道内分为多个独立气体子流道，进气口、混气腔室和气体子流道一一对应，工艺气体由进气口进入混气腔室，依次经由气体流道和过渡腔后进入石墨生长室。本发明具有结构紧凑、操作简单且能够实现工艺气体均匀分布等优点，解决了因石墨生长室内的工艺气体分布不均匀而导致外延层的掺杂浓度和生长厚度不均匀的问题，提高了高晶体质量，极大地降低了外延层的掺杂浓度不均匀性。
- 一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法-202310689192.0
- 周芸福;黎微明;许允昕;郭云飞;许所昌 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 2023-06-12 - 2023-07-11 - C30B25/14
- 本申请涉及一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中反应设备包括反应室、第一盖板、进气组件和匀流板。其中反应室内形成反应腔，用于承载待反应物，反应室包括相对设置的第一端和第二端。第一盖板盖设于第一端。进气组件设置于第一盖板，进气组件与反应腔连通。匀流板设置于第一盖板和反应室之间。第一盖板与匀流板的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，匀流板朝向第一盖板一侧壁面呈隆起设置，第一盖板朝向匀流板一侧壁面呈凹陷设置。该结构的设置使得反应源在进入反应室的过程中扩散更加均匀，以使得待反应物上的反应源的分布更均匀，进而待反应物之间的膜厚均匀性更好。
- 一种均衡散热的分区型喷淋头装置-202111673940.3
- 蒲勇;赵鹏;卢勇;施建新 - 芯三代半导体科技（苏州）有限公司
- 2021-12-31 - 2023-07-11 - C30B25/14
- 本申请公开一种均衡散热的分区型喷淋头装置。该喷淋头装置包括：壳体，所述壳体内配置有上出气板，所述上出气板的一侧对着下出气板，所述上出气板的远离下出气板侧有上公共匀气板，所述上公共匀气板上设有复数匀气孔，所述上公共匀气板与壳体的部分内壁构成上公共气腔，所述上出气板与下出气板间构成下公共气腔，所述下出气板有等间隔设置的冷却流道，且相邻两冷却流道的高度不同，冷却流道从中间向两侧高度逐渐降低。通过这样的设计，在保证流向反应腔的气体均匀的同时，实现单位面积的散热量相等，设计出冷却非常均匀的冷却流道，提高喷淋头的可靠性。
- 垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法-202310140721.1
- 王新强;陈兆营;刘放;盛博文;李铎 - 北京大学
- 2023-02-14 - 2023-07-07 - C30B25/14
- 本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少了光场在MOCVD气场中的传播过程，提高了光场功率的利用效率；通过生长衬底随衬底托盘的自转和公转，使生长腔内的生长衬底之间和每片生长衬底内均匀地获得光场产生的活性反应剂，实现大尺寸IE高均匀性的光辅助MOCVD外延生长；本发明中光生反应剂的产生过程和光生反应剂的化学气相沉积过程空间上分离，简化了光辅助金属有机物化学气相沉积装置中的光场‑流场‑温场耦合设计。
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