专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置-CN202222280045.1有效
  • 黄海林;钱卫宁;刘杰;梁瑞;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-12-23 - C30B25/12
  • 本实用新型公开一种碳化硅外延炉用的碳化硅衬底转移装置,包括托举支架、衬底承载盘和盖体,托举支架上设置有两个左右相对设置的支撑臂,衬底承载盘可抽离地活动嵌置于两支撑臂之间,盖体连接于托举支架上并与衬底承载盘上下对应设置,盖体上设置有朝衬底承载盘方向吹气的吹气结构。本实用新型中通过盖体上的吹气结构对衬底承载盘中的待处理碳化硅衬底表面进行吹气,进而在碳化硅衬底表面形成一层保护气层,通过该保护气层可以有效保护待处理的碳化硅衬底免受腔体内部飘落的细小颗粒物的影响,使得腔体内部漂浮的细小颗粒物将难以飘落至碳化硅衬底表面上,进而保证碳化硅衬底在碳化硅外延炉内能够正常进行外延生长。
  • 一种碳化硅外延衬底转移装置
  • [发明专利]一种碳化硅外延生长源管路系统-CN202211206396.6在审
  • 黄海林;钱卫宁;刘杰;梁瑞;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2022-09-30 - 2022-12-06 - C30B25/14
  • 本发明公开一种碳化硅外延生长源管路系统,包括主载气管路、预混管路、碳源单元、硅源单元和掺杂源单元,主载气管路用于连通外延生长反应腔,预混管路连通主载气管路,碳源单元、硅源单元和掺杂源单元分别通过对应的碳源传输管路、硅源传输管路和掺杂源连通管路与预混管路连通,以使碳源、硅源、掺杂源先在预混管路中按预设比例进行预混形成预混生长源气体,而后再通入主载气管路中与主载气一同进入到外延生长反应腔中。本发明可以保证碳源、硅源和掺杂源可同时混入主载气中并一同进入到外延生长反应腔中去,并保证在混入瞬间的C/Si与此后外延生长过程中的C/Si是一致的。如此,有利于提高碳化硅外延薄膜的质量。
  • 一种碳化硅外延生长管路系统
  • [发明专利]一种碳化硅外延生长的控制方法-CN202110813657.X有效
  • 刘杰;钱卫宁;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2021-07-19 - 2022-08-23 - C30B29/36
  • 本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法,包括将衬底置于封闭腔室,通入碳源和硅源,在所述衬底表面生长外延层,定义所述碳源的流量初始值为asccm,结束值为b sccm;所述硅源的流量初始值为a'sccm,结束值为b'sccm,当所述碳源的流量为b sccm,并且所述硅源的流量为b'sccm时开始所述外延层的生长;则在T s内分k段,将所述碳源的流量由a sccm变化至b sccm,同时在T s内分k'段将所述硅源的流量由a'sccm变化至b'sccm,所述碳源和所述硅源的流量变化使用分段式控制法,与常规线性缓变变化相比,该方法有利于提高外延表面质量,同时可以生长出更薄厚度的过渡层,提高外延长层的厚度精度。
  • 一种碳化硅外延生长控制方法
  • [实用新型]一种定位缺陷的载物台及检测装置-CN202120819712.1有效
  • 阙金镇;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2021-04-21 - 2022-06-03 - G01N21/88
  • 本实用新型涉及一种定位缺陷的载物台及检测装置,定位缺陷的载物台包括基座,所述基座上固定平板,定义所述平板远离所述基座的一侧表面为上表面,所述上表面设置凹槽,所述凹槽的形状与待检测对象的形状相同,从而容置所述待检测对象;所述平板的表面设置若干相互垂直的横轴和纵轴,组成坐标网格,通过所述坐标网格对所述待检测的对象的缺陷进行定位。包含所述定位缺陷的载物台的检测装置,可以快速实现对碳化硅晶片中缺陷的识别和定位,还可以根据机器检测的结果,进行目标坐标区域的快速缺陷定位,极大提高了检测的效率。
  • 一种定位缺陷载物台检测装置
  • [实用新型]一种半导体外延生长用承载盘-CN202121113657.0有效
  • 梁瑞;黄海林;冯淦;赵建辉 - 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2021-05-24 - 2022-02-18 - C30B23/02
  • 本实用新型涉及一种半导体外延生长用承载盘,包括承载圆盘、限位环、及承载肋,限位环套接于承载圆盘外侧;承载肋设置于承载圆盘的上表面;承载圆盘、限位环及承载肋都由石墨材料制成,承载肋的外表面设有碳化钽层。这种半导体外延生长用承载盘,在原有的圆盘上添加了限位环,同时在承载圆盘上添加了外表面涂有碳化钽层承载肋,通过承载肋来将外延晶片的中间部分托起,避免了晶片背面与石墨的直接接触,可降低了石墨沾污外延晶片的风险。同时,承载肋还可稳定支撑外延晶片,有效避免现有的环型支撑结构中,只有边缘支撑,晶片中间部位无支撑造成的晶片翘曲变化。
  • 一种半导体外延生长承载

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