[发明专利]一种芯片散热结构、工艺及半导体器件有效
| 申请号： | 202210586279.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114678335B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 谭小春 | 申请（专利权）人： | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片散热结构、工艺及半导体器件，涉及半导体封装技术领域，包括至少一芯片及封装层，所述封装层包封芯片，所述芯片的一侧电性连接有焊盘和输出管脚，所述输出管脚穿过所述封装层与所述芯片电性连接；所述封装层远离芯片焊盘的一侧整个表面设置有底部散热片，所述封装层的内部设置有用以对封装层内部结构产生的变温应力进行缓冲且传导内部热量的中部结构，本发明芯片硅产生的热量通过中部导热层传递给每个导热凸起，后散热片散热，散热片配合焊盘构成双面散热，散热效果好，散热片应力形变不直接挤压芯片，避免损坏，芯片两面结构较为对称，平衡高低温形成的应力作用，器件可靠性强，本发明制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 散热 结构 工艺 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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