[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210416505.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116959988A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 徐振亚;刘轶群 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层包括交替层叠的牺牲层与沟道层；侧向刻蚀去除部分牺牲层并填充形成第一间隔物；侧向刻蚀去除部分第一间隔物形成第二凹槽；在沟道层上形成外延层；刻蚀去除剩余的第一间隔物形成第三凹槽，第三凹槽暴露出沟道层的部分顶部与底部；刻蚀部分暴露出的沟道层的顶部与底部形成第四凹槽，第四凹槽顶部的截面宽度小于所述第四凹槽底部的截面宽度；沉积第二隔离材料在第四凹槽形成带有空气间隙的第二间隔物。空气的介电常数为1，是良好的电介质，在第二间隔物中形成的空气间隙可有效降低第二间隔物带来的电容，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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