[发明专利]超浅结深低能量电子探测器在审

申请号：	202210411524.4	申请日：	2022-04-19
公开（公告）号：	CN116960209A	公开（公告）日：	2023-10-27
发明（设计）人：	胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭	申请（专利权）人：	上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
主分类号：	H01L31/105	分类号：	H01L31/105
代理公司：	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219	代理人：	罗泳文
地址：	201800 上***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。
搜索关键词：	超浅结深低能量电子探测器
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浅结深低能量电子探测器-202210412765.0
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摘要：本发明提供一种浅结深低能量电子探测器，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，分别形成于硅衬底的第一面和第二面，以钝化硅衬底的第一面和第二面；P型非晶硅层和N型非晶硅层，分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上；保护环结构，自P型非晶硅层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型非晶硅层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复，钝化不饱和化学键，从而提高表面载流子寿命，可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，提高对低能量电子的探测效率。

超浅结深低能量电子探测器-202210411524.4
发明人：胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
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摘要：本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。

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申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，碲镉汞半导体器件包括：衬底层、器件下层、过渡层和器件上层，器件下层生长于衬底层，过渡层生长于器件下层，器件上层生长于过渡层；其中，器件下层和器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值相同，过渡层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值大于器件下层、器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值。本发明可以在相邻的n层和过渡层i层、过渡层i层和p层间形成两个空间电荷区，增加了原来空间电荷区宽度，在光照条件下可以产生更多的电子‑空穴对，并在内建电场的作用下被电极有效的收集。同时，过渡层i层形成的势垒区可以有效减小暗电流，从而提高了器件性能。

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摘要：本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。解决了通过降低电阻进而降低RC寄生效应，用以提升探测器带宽时，寄生电容和寄生电阻相互制约的技术问题。

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摘要：本发明公布了一种背入射日盲紫外探测器及其制备方法，采用背入射结构，本发明的装置包括：衬底、缓冲层、应力释放层、n型欧姆接触层、n型过渡层、i型光吸收层、p型掺杂层、p型过渡层、p型欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，本发明的目的是解决AlGaN基p‑i‑n结紫外探测器p型掺杂效率低、薄膜裂纹、外延结构有待优化、晶体质量不高等问题，本发明通过设置缓冲层、应力释放层、过渡层和优化制备方法来实现本发明目的，提高器件性能，提供一种暗电流低、量子效率更高、抑制比更好、探测率更高、性能更好的背入射日盲紫外探测器及其制备方法。

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申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。

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申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种全通信波段覆盖的高速光电探测器，高速光电探测器是半导体光电探测器件；半导体光电探测器件为台面结构，包括自下向上依次设置的衬底层、本征吸收层、等离激元纳米金属颗粒层和透明电极层；衬底层通过刻蚀暴露在台面结构的下台面，本征吸收层位于台面结构的上台面；衬底层上设有第一金属电极，透明电极层上设有第二金属电极；本征吸收层的表面纵向制作周期性锥形空气孔洞形成光子晶体；周期性锥形空气孔洞内填充有禁带宽度不同于本征吸收层材料的其他半导体材料以形成锥形孔洞材料填充区。本发明适用探测波长范围为紫外、可见光、近红外波段，同时具有高吸收效率、高集成度等优点。

一种p-GeS2-202320402149.7
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申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本实用新型涉及紫外光探测器的技术领域，具体公开了一种p‑GeS2/AlGaN/n‑AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器，由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、n‑AlGaN层，n‑AlGaN层的掺杂元素为Si；n‑AlGaN层上有SiO2窗口层、AlGaN本征层和第一金属电极；AlGaN本征层上有GeS2层，GeS2层上有第二金属电极。通过在AlGaN本征层上引入GeS2层，利用GeS2层、AlGaN本征层与n‑AlGaN层构成pin型异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大光电流，提高紫外探测器响应度。

一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法-202310769779.2
发明人：王俊;许伊曼;刘瀚宇;李文浩;李翰林 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计，从而避免光电探测器响应度下降及降低光电探测器设计和工艺加工难度。

一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器-201810349427.0
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申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器。与传统的PIN器件结构相比，带间级联结构通过电子隧穿区和多量子阱弛豫区实现光生载流子的单方向输运，抑制了器件的产生复合电流、隧穿电流和侧壁漏电，从而大大提高该红外探测器的信噪比。特别是在结构中采用了多组同周期的量子阱来实现窄禁带宽度下电子弛豫区的设计，实现了长波带间级联的载流子输运，可获得30％左右的量子效率。因此本发明公开的结构利用InAs/GaSb/AlSb三种二元化合物形成不同周期厚度的超晶格和多量子阱材料，构成一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器，降低器件的暗电流，获得高灵敏度和高探测率的长波器件。

一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法-202010363571.7
发明人：周勋;詹雯慧;王鹏 -专利权人：成都英飞睿技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本申请提供一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法，采用背入式p‑i‑i‑n或n‑i‑i‑p的延伸波长探测器结构，也即，所述探测器结构包括双本征吸收层结构，所述双本征吸收层结构包括晶格匹配本征吸收层和晶格微失配本征吸收层，将两种本征吸收层相结合；其中，晶格匹配本征吸收层用以提升整体量子效率，晶格微失配本征吸收层的厚度控制在晶格弛豫临界厚度范围内，以达到完全应变，显著降低失配位错缺陷，实现在扩展响应截止波长的同时也可有效抑制探测器暗电流。

一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法-202310558366.X
发明人：冯婷婷;郭辉;钱驰文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明涉及一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法，探测器包括：第一掺杂类型衬底层、若干第一掺杂类型外延区、若干第二掺杂类型外延区、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和中子转换材料单元，若干第一掺杂类型外延区和若干第二掺杂类型外延区均位于第一掺杂类型衬底层的一侧，且交替排列；第二掺杂类型外延层位于第一掺杂类型外延区和第二掺杂类型外延区形成的平面上；第一欧姆接触电极位于第二掺杂类型外延层的一侧；第二欧姆接触电极位于第一掺杂类型衬底的另一侧；中子转换材料单元位于第一欧姆接触电极的一侧表面。该探测器实现了降低全耗尽电压、优化内部电场分布、提高器件可靠性的目的。

一种光电探测器及其制备方法-202310447173.7
发明人：蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容，高吸收效率以及高响应速度。

一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法-202210027276.3
发明人：朱鹏;孙泰;史浩飞;肖磊;魏兴战;熊稳 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明涉及一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。将该红外探测器中II类超晶格层制成具有特定周期及占空比的光栅结构，并在其上蒸镀金属膜层，构建金属微结构，利用该结构异常的增透特性，使最终制备的红外探测器在5.5μm左后和10μm左右为中心波长的中波和长波波段实现了对入射光的选择性增强吸收，可以用于特定需求的红外成像探测器，提升了器件的性能。另外，红外探测器中构建该结构后，不仅可以减少本征吸收层的厚度，显著降低探测器的暗电流，提高了红外探测器的灵敏度，还可以避免因制备较厚本征吸收层导致的制作周期长、成本高的缺陷。

一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法-202011494811.3
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申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法，其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线，并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触，p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中，沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积，增加了空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，能够有效抑制光生载流子的复合，提高紫外探测器响应度，和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓，大大提高了材料的晶体质量，降低了缺陷密度，保障了紫外光电探测器的性能。

一种光敏探测器及其制备方法、设备及介质-202310418830.5
发明人：娄博杰;周永旺;刘奇浩 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种光敏探测器及其制备方法、设备及介质。其中，光敏探测器包括：光敏感元，所述光敏感元配置用于基于外部光线产生光电流；电荷吸附结构，所述电荷吸附结构紧贴所述光敏感元的刻蚀面配置用于吸收所述刻蚀面产生的电子。通过本发明提出的一种光敏探测器，在光敏探测器的刻蚀面的侧壁上依次沉积电荷吸附结构以及金属栅极。通过对金属栅极或者在探测器外部施加正偏压，将侧壁表面的电子隧穿至电荷吸附结构中，从而实现降低暗电流的效果。不同于传统的栅控结构采用电子排斥原理，本发明将电子彻底驱离探测器内部(吸附到电荷吸附结构中)，在不增加体暗电流的前提下降低表面漏电流。

高温低暗电流PIN光电探测器的外延结构及PIN光电探测器-202310395615.8
发明人：何婷婷;黄寓洋 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种高温低暗电流PIN光电探测器的外延结构及PIN光电探测器。所述外延结构包括沿选定方向依次层叠设置的n型区、本征区、吸收区和p型区，其中，所述吸收区包括沿所述选定方向层叠设置在所述本征区和p型区之间的至少一n型吸收层。本发明提供的一种高温低暗电流PIN光电探测器的外延结构，实现了在高温、有源区大于90μm的情况下，PIN光电探测器的暗电流小于2nA，从而提高了弱光探测；并且，本发明提高了探测器芯片在人体静电模式下的耐压值，从而保证器件使用过程中的高可靠性。

红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片-202310024514.X
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申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片，该红外光电器件包括p型衬底；单晶窄带隙材料台面，设置在P型衬底上；介质层，设置在单晶窄带隙材料台面表面且介质层顶部开设有生长窗口，其中，生长窗口用于沉积n型材料；n型材料层，设置在介质层背离p型衬底一侧的表面并填充生长窗口；第一金属电极，设置在p型衬底上，且设置在介质层外侧；第二金属电极，设置在n型材料层上，且设置在n型材料层外侧；其中单晶窄带隙材料台面，介质层，n型材料层和第二金属电极组成的结构宽度小于p型衬底宽度，且组成的结构与第一金属电极之间存在间隙。

具有光敏本征区的二极管-202180069940.4
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申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明涉及一种二极管(300)，该二极管包括p型掺杂区(312)、n型掺杂区(314)和光敏本征区(310)，该光敏本征区(310)在与二极管(300)中的光传播方向横切的方向上横向夹在所述p型掺杂区(312)与所述n型掺杂区(314)之间。所述p型掺杂区(312)由掺杂有第一类型的掺杂剂的第一材料制成，所述n型掺杂区(314)由掺杂有第二类型的掺杂剂的第三材料制成。所述第一材料包括硅或硅锗。所述第三材料包括硅或硅锗。所述本征区(310)由与第一材料和第二材料中的至少一种不同的第二材料制成。所述第二材料包括锗、锗锡或硅锗。所述本征区(310)在其两个横向端(318、320)之间的最大横向延伸量等于或小于400纳米。所述p型掺杂区(312)和所述n型掺杂区(314)是原位掺杂的，从而在制造二极管(300)时所述本征区(310)不被掺杂。

一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法-202310205135.0
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申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/105
摘要：一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构，两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，避免光生载流子复合问题，提高收集光生载流子效率，获得更高器件响应度。

一种光电位置传感器-202320186118.2
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申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本申请公开了一种光电位置传感器，包括：衬底；AIN层，设置在衬底的上方；n‑GaN层，设置在AIN层的上方；本征GaN层，设置在n‑GaN层的上方；p‑InGaN层，设置在本征GaN层的上方；两个第一电极；设置在AIN层的上方且分别位于n‑GaN层的两侧；两个第二电极；设置在AIN层的上方且分别位于n‑GaN层的两侧，两个第一电极和两个第二电极形成矩形结构。本申请在衬底表面设置一层AIN层能够作为缓冲层避免材料的氧化，从而保证材料的稳定性。

光电探测器-202111530137.4
发明人：陈代高;肖希;王磊;刘敏;周佩奇;胡晓;张宇光;余少华 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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摘要：本发明实施例提供的光电探测器，包括：平板结构、波导结构、限光结构、吸收结构、第一电极结构及第二电极结构；其中，所述波导结构延伸至所述限光结构中，且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的外侧壁中第二侧壁所在的第二边相切；所述波导结构用于将入射光以与所述第二边相切的方向导入所述限光结构中；通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输，并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中；所述第一电极结构位于所述限光结构内；所述第一电极结构、第二电极结构用于收集沿所述吸收结构及所述限光结构传输的电子或空穴；所述第一电极结构与第二电极结构收集的载流子的类型不同。

一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法-202211468520.6
发明人：陈冬琼;杨文运;龚晓霞;邓功荣;袁俊;岳彪;白兰艳;施静梅;杨玲;太云见;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所述方法为分子术外延法，在真空度10‑10Torr量级以上的分子束外延设备中进行。本发明通过采用pBiBn结构并对其中的材料进行设计，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料结构，具有3～4.2μm波长，操作性强，还以借鉴成熟InSb和InGaAs等器件工艺，为后续制备出高性能近室温3～4.2μm响应波长InAsSb器件创造很好的条件。

光电探测器及集成电路-202111190683.8
发明人：蒋光浩 -专利权人：鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本申请实施例提供一种光电探测器及集成电路。光电探测器，包括N型半导体层、P型半导体层、以及位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间光吸收层。其中，所述光吸收层包括由异质结构成的应变层，以增大所述光吸收层中的载流子的迁移率。

与CMOS兼容的短波长光电检测器-202180046058.8
发明人： B·佩泽什基;R·卡尔曼;C·丹尼斯 -专利权人：艾维森纳科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/105
摘要：可以使用CMOS兼容工艺制造横向p‑i‑n光电检测器。CMOS电路系统可包含在包含所述横向p‑i‑n光电检测器的裸片上。所述横向p‑i‑n光电检测器可以形成在所述裸片的装置层中，其中在所述装置层之下具有内埋氧化物。p型注入物可以界定由横向p‑i‑n光电检测器限定的区。

一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法-202211246453.3
发明人：张洪良;陈文澄;徐翔宇;李明杭;程其进 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。

一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用-202310066633.1
发明人：李明阳;李超;窦天佑;张小宾 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用。该阵列红外探测器芯片，包括以下结构：衬底；N型接触层，N型接触层设于衬底的上表面；像元，像元设于N型接触层的上表面；像元的数量为m，像元之间相互分离；像元包括以下结构：P型接触层和数量为n的复合分布式布拉格反射镜；复合分布式布拉格反射镜包括分布式布拉格反射镜和i型吸收层；其中，i型吸收层的厚度为10‑500nm；其中，m和n独立选自正整数。本发明的阵列红外探测器芯片，为侧面入光结构的阵列红外探测器芯片，也即光入射方向与吸收层材料外延生长方向垂直，从而解决提升信噪比与响应度时，导致探测器响应时间变慢，不满足高频应用的现象。

一种硅基背照PIN器件结构-202011024275.0
发明人：丁继洪;陈计学;刘中梦雪;张伟;丁艳丽 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。

一种全无机钙钛矿窄带光电探测器装置-202221617720.9
发明人：杨世和;王健;郭福敏 -专利权人：北京大学深圳研究生院;深圳湾实验室
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本实用新型涉及一种窄带探测器装置，具体涉及一种全无机钙钛矿窄带光电探测器装置。本实用新型全无机钙钛矿窄带光电探测器装置所用的空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和电极层均为无机材料，具有非常高的热稳定性。其中钙钛矿活性层薄膜的密性好、质量高、结晶度高、稳定性好，有利于电荷传输。同时空穴传输层的设置能够进一步增强空穴传输以及防止钙钛矿活性层与电极直接接触而发生猝灭，显著提高探测器稳定性能。本实用新型全无机钙钛矿窄带光电探测器装置探测波长从420nm到620nm可调，探测半峰宽小，噪声低，响应速度快，可用于颜色识别、医学成像、人工智能识别等。

锗硅光电探测器-202211535654.5
发明人：娄雪勤;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/105
摘要：本发明公开了一种锗硅光电探测器，涉及光电探测器领域，其技术方案要点是：包括自下而上依次堆叠的硅衬底层，二氧化硅埋氧层，波导层，锗吸收层，其特征在于，波导层包括依次连接的第一波导区、第二波导区和第三波导区，第三波导区包括P型轻掺杂区和P型重掺杂区，锗吸收层的上方设置有第一条形电极，使第一条形电极位于锗吸收层在宽度方向上的中间并远离第一波导区；P型重掺杂区的上方设置有第二条形电极，使第二条形电极位于P型重掺杂区在宽度方向上的的中间并远离第一波导区。其特点是减小与吸收层接触的金属电极的长度，通过合理设置与吸收层接触的金属电极的位置，使耦合到锗吸收层的光场分布更均匀。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]超浅结深低能量电子探测器在审

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