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[发明专利]微环调制器-CN202111544976.1有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;胡晓;陈代高 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明实施例提供的微环调制器，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微环谐振结构，所述微环谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反；以及与所述微环谐振结构电连接的电极。
调制器

[发明专利]一种旋涡拓扑可编程的光蓄水池结构及使用方法-CN202310663190.4在审
发明人：常思垚;朱盈 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋涡拓扑可编程的光蓄水池结构及使用方法，涉及光蓄水池神经网络技术领域，旋涡拓扑可编程的光蓄水池结构包括：可形成旋涡拓扑的多个节点；每个所述节点均包括：第一耦合器，其包括两个接收光信号的输入端以及发送光信号的输出端；第二耦合器，其包括两个接收光信号的输入端以及发送光信号的输出端；两个移相器，每个移相器均耦接在所述第一耦合器的输出端和第二耦合器的输入端之间，且所述移相器用于调整第一耦合器输出的两路光信号的相位差，以改变本节点光信号的传输方式。本发明可实现光蓄水池节点关联关系，以处理不同波特率下的信号，进而适用不同波特率的系统。
一种旋涡拓扑可编程蓄水池结构使用方法

[发明专利]一种调制方式的确定方法、装置、设备、存储介质-CN202111624475.4有效
发明人：张红广;肖希;王磊 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04B10/516 文献下载
摘要：本申请公开了一种调制方式的确定方法、装置、设备、存储介质，其中，所述方法包括：接收N个子载波信号和N+1个噪声测试点的噪声信号；其中，每一子载波的频率介于与所述每一子载波相邻的两个噪声测试点的频率之间；N为大于1的整数；确定所述每一子载波的信号强度和所述与每一子载波相邻的两个噪声测试点的噪声强度；基于所述与所述每一子载波相邻的两个噪声测试点的噪声强度，确定所述每一子载波的噪声强度；基于所述每一子载波的信号强度和噪声强度，确定所述每一子载波的信噪比；基于所述每一子载波的信噪比和预设的调制方式的切换门限，确定所述每一子载波对应的调制方式；其中，所述切换门限为预设的信噪比阈值。
一种调制方式确定方法装置设备存储介质

[发明专利]一种超宽带分合束器-CN202011248785.6有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;陈代高;李淼峰;胡晓;冯朋 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
一种宽带分合

[发明专利]光学神经网络装置、芯片及神经网络计算的光学实现方法-CN202011074844.2有效
发明人：王磊;肖希;李维忠;胡晓;李淼峰;陈代高 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光学神经网络装置、芯片及神经网络计算的光学实现方法。其中，装置包括：光产生子装置，用于产生N路不同波长的光信号；N为＞1的整数；第一调制子装置，用于根据N个第一电压，分别对N路光信号的强度进行调制，得到N路第一光信号；第一转换子装置，用于将N路第一光信号进行并串转换，得到第二光信号；分光器，用于将第二光信号分成N路第三光信号；第二调制子装置，用于根据N个第一电压集，分别对N路第三光信号的强度进行调制，得到N路第四光信号；第二转换子装置，用于将N路第四光信号中每一路分别进行串并转换，得到N路第五光信号；处理子装置，用于基于N路第五光信号，调整N个第一电压及N个第一电压集的值。
光学神经网络装置芯片计算实现方法

[发明专利]光耦合结构及其制备方法、包括光耦合结构的硅基芯片-CN202111531175.1有效
发明人：胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供了光耦合结构及其制备方法，包括光耦合结构的硅基芯片，所述光耦合结构用于传输连续光，所述光耦合结构包括：衬底以及位于所述衬底上方的多个光耦合层；多个所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向间隔设置，远离所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度大于靠近所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度；且任意相邻两个所述光耦合层在所述衬底上的投影部分重叠；其中，所述连续光由远离所述衬底的所述光耦合层向靠近所述衬底的所述光耦合层传输。
耦合结构及其制备方法包括芯片

[发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法-CN202111633446.4有效
发明人：胡晓;陈代高;张宇光;王磊;肖希 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：提供了雪崩光电探测器及其制备方法。探测器包括：衬底，其表面包括第一半导体层；位于衬底上的第二半导体层；和光波导。第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一P型、第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区、第二本征区、第二N型和第一N型掺杂区，第一至第三P型掺杂区、第一至第三N型掺杂区浓度均依次递减；第二P型紧邻第一P型掺杂区的部分区域的第一高度低于其他区域的第二高度以形成槽，光波导位于该槽中且布置成大体沿第二方向延伸且与第二方向成预设夹角，第二半导体层依次覆盖部分第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区和第三P型掺杂区；第一N型、第三P型、第一N型掺杂区均连接有电极。
雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]干涉装置-CN202111672595.1有效
发明人：刘佳;肖希;王磊;张宇光 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种干涉装置；所述装置包括：并行的第一干涉臂和第二干涉臂；第一干涉臂包括第一波导，用于基于输入光信号输出第一光信号；第二干涉臂包括第二波导，用于基于所述输入光信号输出第二光信号；第一波导的第一宽度与第一长度相关且第二波导的第二宽度与第二长度相关，第一波导当前位置的第一折射率的变化速率与所述第一波导的光信号输入端到当前位置的长度存在第一线性关系且所述第二波导当前位置的第二折射率的变化速率与第二波导的光信号输入端到当前位置的长度存在第二线性关系，第一光信号和第二光信号干涉输出的谐振波长保持不变。
干涉装置

[发明专利]一种光子纠缠源及其制备方法-CN202210122496.4有效
发明人：华昕;钱懿;胡晓;王磊;肖希 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光子纠缠源及其制备方法，该光子纠缠源包括：边缘耦合器、线偏光偏振分离装置、微环谐振器以及同时连接边缘耦合器、偏振分离装置和微环谐振器的第一波导；偏振分离装置，用于从第一波导接收所述连续线偏光，将连续线偏光转化为垂直偏振光；微环谐振器，用于基于从第一波导获取的垂直偏振光，产生垂直偏振态的光子对，并将垂直偏振态的光子对通过第一波导输出给偏振分离装置；偏振分离装置，还用于从第一波导接收垂直偏振态的光子对；对垂直偏振态的光子对的偏振态进行旋转，得到正交偏振态的光子对；对正交偏振态的光子对进行相干叠加，得到纠缠光子对；边缘耦合器，还用于输出所述纠缠光子对。
一种光子纠缠及其制备方法

[发明专利]微波光子滤波器-CN202111454828.0有效
发明人：徐路;王磊;肖希 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种微波光子滤波器，包括：基底；微环滤波模块，位于所述基底上，包括悬臂梁波导；其中，所述微环滤波模块为环形；所述悬臂梁波导为脊形多模波导，用于对微波信号进行滤波。
微波光子滤波器

[发明专利]一种过渡波导结构、光波导结构以及光耦合结构-CN202111181872.9有效
发明人：王桂晨;傅焰峰;王栋;严杰 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种过渡波导结构、光波导结构以及光耦合结构，所述过渡波导结构包括：相互平行的第一端面和第二端面，以及与所述第一端面和所述第二端面相互垂直的第一底面；所述第一端面的面积小于所述第二端面的面积；所述第一端面用于接收/输出光信号，对应的所述第二端面用于输出/接收光信号；呈阵列分布的第一通孔，每个所述第一通孔的轴向垂直于所述第一底面；沿所述第一端面到所述第二端面的方向，所述第一通孔的孔径增大。本申请实施例提供的过渡波导结构，通过设置呈阵列分布的第一通孔，且沿所述第一端面到所述第二端面的方向，所述第一通孔的孔径增大，以实现过渡波导结构的有效折射率的渐变，降低了光信号传输过程中的损耗。
一种过渡波导结构以及耦合

[发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法-CN202111643459.X有效
发明人：胡晓;陈代高;张宇光;王磊;肖希 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：提供了雪崩光电探测器及制备方法。探测器包括：衬底，其表面包括第一半导体层；衬底上的第二半导体层，第一半导体层包括第一方向上依次排列的第一、第二P型、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区、第二本征区、第二N型和第一N型掺杂区，第一至第三P型以及第一至第三N型掺杂区的浓度均依次递减，第一本征区、第三N型掺杂区、紧邻第三N型的第二P型掺杂区的部分、紧邻第一本征区的第三P型掺杂区的部分在垂直方向上具有的第一高度H1不等于该层其他区域具有的第二高度H2；第二半导体层沿第一方向依次覆盖第二P型掺杂区的H2的部分、第二P型掺杂区的H1、第三N型掺杂区、第一本征区、第三P型掺杂区的H1和第三P型掺杂区的H2的部分。
雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种光耦合结构以及包括光耦合结构的硅基芯片-CN202111531015.7有效
发明人：胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光耦合结构以及包括光耦合结构的硅基芯片，所述光耦合结构用于传输连续光，所述光耦合结构包括：衬底以及位于所述衬底上方的光耦合层；所述光耦合层包括连接的第一光耦合区和第二光耦合区，所述连续光沿所述第一光耦合区传输至所述第二光耦合区；所述第一光耦合区平行于所述衬底；所述第二光耦合区和所述衬底的夹角小于90度。
一种耦合结构以及包括芯片

[发明专利]耦合器-CN202111623682.8有效
发明人：刘敏;陈代高;肖希;王磊 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：公开了一种耦合器，包括第一波导、模式转换结构和覆盖层。其中，模式转换结构沿波导方向依次包括1至m阶耦合区，第i阶耦合区包括中间功能层和对称地位于中间功能层两侧的i对功能层；中间功能层中包括i+1个等间距的基本耦合单元，i对功能层中的任一个功能层中的基本耦合单元的数量沿远离中间功能层的方向依次递减1，第m阶耦合区包括中间功能层和位于中间功能层两侧的m对或m‑1对功能层，m对或m‑1对功能层中的任一个功能层中的基本耦合单元的数量沿远离中间功能层的方向依次递减1，第i阶中的基本耦合单元以穿插的方式与下一阶中的基本耦合单元进行耦合，基本耦合单元为纳米级至微米级尺寸。i和m均为正整数，且1≤i≤m‑1，m大于或等于3。
耦合器

[发明专利]一种光电子芯片版图布线方法、装置、设备及存储介质-CN202310301068.2在审
发明人：常思垚;朱盈 -专利权人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子芯片版图布线方法、装置、设备及存储介质，涉及光电子芯片版图自动化设计布线技术领域，该方法包括以下步骤：将光电子芯片版图映射到二维坐标系，将参数化单元PCell端口映射成点坐标，将需要布线的波导映射为链路线段；初始化光电子芯片版图和链路，在每组PCell端口之间生成最短链路路径；通过在链路中增加交叉波导器件符号、和/或添加控制点以增设弯曲数量和/或链路线段，使所有链路的交叉波导器件数量、弯曲数量和长度一致；将完成的链路路径规划映射为波导走线，将交叉波导器件符号映射为交叉波导器件。本发明可使生成的多条波导交叉波导器件数量相等、长度相等、弯曲数量相等，并保证波导占用面积较小，波导总长度最短。
一种光电子芯片版图布线方法装置设备存储介质

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