“刘中梦雪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法-CN202011026600.7有效
发明人：赵建强;张伟;丁继洪;陈洁;刘中梦雪;刘庆飞;陈计学 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。
一种背照式 emccd 背面结构及其制作方法

[发明专利]一种低频低噪声运算放大器制备方法-CN202211515673.1在审
发明人：丁继洪;王博;刘中梦雪;白涛;张伟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，和利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域的步骤，以及N+源漏制备、N‑沟道制备、P+栅区制备、BPSG保护膜层制备、金属制备和钝化层制备下步骤。本发明通过网格线状的JFET栅结构，以增大器件栅结构面积，提高JFET跨导，同时JFET的并联结构，可以有效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；通过制造出N+接触区，可降低源端与金属间的欧姆接触电阻，有效的减少热电阻噪声，有效的降低器件噪声电压。
一种低频噪声运算放大器制备方法

[发明专利]一种硅基背照PIN器件结构的制备方法-CN202011024274.6有效
发明人：丁继洪;孙小进;刘中梦雪;赵建强;丁艳丽 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基背照PIN器件结构的制备方法，包括以下步骤：取基片、清洗基片、P+光刻、注入、P+主扩、外延层生长、初始氧化、P阱光刻、注入与推阱、N环光刻与注入、P隔离光刻、注入与推阱、N‑光敏区光刻、注入与氧化、孔光刻、正面金属化、背面减薄、沉积抗反射膜、背面金属化，得到硅基背照PIN器件结构；该方法通过背照PIN结构植球压焊方式将PIN光电探测器组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
一种硅基背照 pin 器件结构制备方法

[发明专利]一种低频低噪声运算放大器器件-CN202211515353.6在审
发明人：丁继洪;王博;刘中梦雪;孙涛;张海峰 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种低频低噪声运算放大器器件，包括表面设有氧化层的硅片，硅片中设有一定结深的P型阱区，氧化层覆盖P型阱区，在P型阱区内设有N沟道区域，其特征在于：所述N沟道区域和P型阱区内设有P型栅区，N沟道区域内设有一组源区和漏区，P型栅区整体呈网格线状，将每个源区或漏区分隔在P型栅区划分的网格内，该组源区和漏区分别通过第一金属引线柱欧姆连接并外露氧化层，经金属导带对应连接分别形成源极和漏极，P型栅区通过第二金属引线柱欧姆连接并外露氧化层经金属导带连接形成栅极。本发明可效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；同时可降低源漏端与金属间的欧姆接触电阻，降低热噪声电压。
一种低频噪声运算放大器器件

[发明专利]一种硅基背照PIN器件结构-CN202011024275.0有效
发明人：丁继洪;陈计学;刘中梦雪;张伟;丁艳丽 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
一种硅基背照 pin 器件结构

[发明专利]一种半导体固态自恢复保险丝-CN202111358866.6在审
发明人：于洪洲;赵建强;陈洁;刘中梦雪;张海峰;朱小燕 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域的一种半导体固态自恢复保险丝，包括电流监测单元和至少一个常通开关，所述电流监测单元和常通开关串联于被保护的线路中；当被保护的线路中的电流达到设定值时，电流监测单元控制常通开关关闭；当被保护的线路中的电流小于设定值时，电流监测单元控制常通开关打开。本发明通过采用N型大功率耗尽型的VDMOS管作为常通开关，采用结型场效应管PJFET及其辅助电路作为电流监测单元，电流监测单元和常通开关串联于被保护的线路中，实现了自恢复保险丝的所有功能，且同时具有响应速度快、使用寿命长等特点。
一种半导体固态恢复保险丝

[发明专利]基于无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共晶结构的光学薄膜-CN201810049420.7有效
发明人：王向华;张春雨;黄玲玲;刘中梦雪 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共晶结构的光学薄膜，其特征在于：光学薄膜是由无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共同分散于有机溶剂中，构成复合分散液；复合分散液通过浸渍提拉、喷墨打印或旋涂工艺成膜，即获得基于无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共晶结构的光学薄膜。本发明光学薄膜的成分可以基于复合分散液的组分得到量化控制，形成共晶结构，为薄膜的功能化应用提供多重有益效果：可提高量子点材料的荧光量子效率与化学稳定性；可基于该体系设计材料的吸收特性与光物理过程，应用于对高能量射线的探测；高迁移率的共轭小分子材料可降低电流驱动情形下电荷注入与传输造成的能量损耗。
基于无机钙钛矿量子共轭有机分子结构光学薄膜

[发明专利]一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法-CN201610178718.9有效
发明人：王向华;吕申宸;刘中梦雪;秦梦芝;蔡凯威;吕国强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法，其特征是：基于纳米材料在微液滴中的组装行为及其在溶剂干燥后的堆积形貌与衬底表面的物理和化学特性之间的相关性，利用荧光纳米材料在图像采集和计算机分析中的优势，通过按需式喷墨打印工艺打印单层和多层荧光点阵，然后通过CCD获取荧光照片并经过计算机处理和分析获得喷墨打印稳定性参数、荧光点直径的样本标准偏差和纳米材料自组装模式的特征参数，利用这些特征参数实现对生产工艺过程中衬底的表面感知，应用于探测衬底类型及衬底表面均匀性、以及检测图层间的对位。
一种基于荧光纳米材料喷墨打印计算机辅助表征衬底表面探测方法

1
共 8 条