[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法在审
| 申请号： | 202210386541.7 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936604A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李平;马荣耀 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面，且第二导电类型柱中设有至少一层包括第二导电类型掺杂层及位于第二导电类型掺杂层中的第一导电类型掺杂区的调控层；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面；源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于第二导电类型柱中设置至少一层调控层，提高了器件的反向恢复软度因子，缓解了器件输出电容的突变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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