[发明专利]一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法在审
申请号: | 202210386520.5 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN116936636A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 李平;马荣耀 | 申请(专利权)人: | 华润微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 401331 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法,该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面;体区堆叠于第二导电类型柱上;源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层;沟槽栅结构贯穿体区及体接触区并延伸至第二导电类型柱中;栅极结构位于第一导电类型柱的上表面;源极覆盖器件的上表面,漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于超结MOSFET的体接触区中设置沟槽栅结构,使器件的击穿点位于沟槽栅结构下方,抑制寄生三极管的开启,增加器件的雪崩耐量。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 栅超结 mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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