[发明专利]包括切割结构的半导体器件及其制造方法和包括其的电子系统在审
| 申请号： | 202210228122.0 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115440579A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金佐燮;甄东敏;朴荷颜;曹永善;许昌铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，在源极结构上，该栅极堆叠结构包括字线、栅极上线和阶梯结构；存储器沟道结构和虚设沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；切割结构，延伸穿过栅极上线；以及位线，与存储器沟道结构重叠。切割结构包括窄部和比窄部更靠近阶梯结构的宽部。窄部的宽度小于宽部的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 切割 结构 半导体器件 及其 制造 方法 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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