[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110755086.9 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471292B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙雨萌;全钟声 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。本发明实施例用以解决相关技术中半导体结构传输速度较低的问题。栅极结构设置在所述基底内部且位于源区和漏区之间，源区和漏区之间形成第一沟道结构和第二沟道结构，并且第一沟道结构和第二沟道结构设置于栅极结构的相对两侧，相比于将栅极设置在基底的表面上，本发明实施例中的导电沟道结构增多，从而提高了半导体结构的传输速度，提高了半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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