[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110384428.0 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113161320A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在第一电介质层之上；第一金属部分，设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。掺杂剂被键合到该贵金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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