[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110373963.6 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN115188811A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;亚伯拉罕·庾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底和凸立于子器件区的衬底上的凸起部；沟道结构层，位于凸起部上与凸起部间隔设置，包括一个或多个间隔设置的沟道层；介电墙，沿纵向位于相邻子器件区之间的衬底上，介电墙包括凸立衬底上的介电墙主部及沿纵向凸出介电墙主部的介电墙凸出部，介电墙凸出部与沟道层侧壁相接触；栅极结构，位于各个子器件区上，横跨沟道结构层的顶部且包围介电墙露出的沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧凸起部上且与沟道结构层相接触。本发明实施例减小介电墙对源漏掺杂层向沟道层施加应力的影响，优化半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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