[发明专利]结型场效应晶体管及半导体器件在审
| 申请号： | 202110354801.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097309A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 雷天飞;毛焜;杨翰飞 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管及半导体器件，包括一衬底、一漂移区、一源接触区、一栅接触区、一沟道区及一漏接触区。所述衬底具有一第一导电类型。所述漂移区形成于所述衬底。所述漂移区具有一第二导电类型。所述源接触区形成于所述漂移区。所述源接触区具有所述第二导电类型。所述栅接触区形成于所述漂移区。所述栅接触区具有所述第一导电类型。所述栅接触区下方形成一沟道区。所述栅接触区相隔于所述源接触区。所述栅接触区包括一栅电极。所述栅电极包括2个次栅电极。所述2个次栅电极彼此相隔。所述沟道区形成于所述衬底之上且相邻于所述漂移区。所述漏接触区形成于所述漂移区且与所述栅接触区相隔。所述漏接触区具有所述第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
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