[发明专利]VCSEL装置的制造方法以及VCSEL装置在审
| 申请号： | 202080072746.7 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114586252A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | R·克尔纳;J·滕佩勒;M·斯梅茨 | 申请（专利权）人： | 通快光电器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/024;H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造垂直腔表面发射激光器(VCSEL)装置(100)的方法，该方法包括：提供第一结构(112)，该第一结构包括晶片(116)上的VCSEL层结构(114)，该VCSEL层结构、包括该晶片在内均包含一种或多种半导体材料，该第一结构具有非平坦的第一结构顶表面(118)，该非平坦的第一结构顶表面具有沿非平坦的顶表面变化的高度水平，其中，该非平坦的第一结构顶表面包括位于该晶片上方的不同高度水平处的一个或多个电接触区域(120)；在该非平坦的第一结构顶表面上沿着该非平坦的第一结构顶表面施加一层或多层与该一种或多种半导体材料不同的覆盖材料(128)以获得第二结构(136)，该覆盖材料的厚度使得覆盖材料顶表面(132)的最低高度水平(130)至少等于或高于该非平坦的第一结构顶表面的最高高度水平(134)，该第二结构包括该第一结构和该一层或多层覆盖材料，该第二结构具有第二结构顶表面(138；238；...；738)；对该第二结构顶表面进行平坦化；产生从该第二结构顶表面穿过该一层或多层覆盖材料的一个或多个第一电过孔(148；150)，以用于电连接到该一个或多个电接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 装置 制造 方法 以及 | ||
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- 皮特·福克斯;布鲁诺·延奇;休伯特·哈尔布里特;马丁·鲁道夫·贝灵格;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯;克里斯蒂安·劳尔;迪恩·马克西米兰·朔克;托马斯·斯威特利克 - AMS-欧司朗国际有限公司
- 2021-04-21 - 2022-12-09 - H01S5/028
- 根据实施方式，半导体激光器(10)包括具有用于产生辐射的有源区(115)的半导体层装置(112)。半导体激光器(10)还具有第一谐振镜(125)、第二谐振镜(130)和设置在第一谐振镜(125)与第二谐振镜(130)之间的光学谐振器(131)，所述光学谐振器在平行于半导体层装置(112)的主表面(111)的方向上延伸。第一谐振镜的反射率R1是波长相关的，使得R1或R1和第二谐振镜的反射率R2的乘积R在从激光器的目标波长λ
- 一种半导体激光器件及其谐振腔面钝化膜、制作方法-201810270941.5
- 胡海;何晋国;苗春雨 - 深圳瑞波光电子有限公司
- 2018-03-29 - 2022-12-02 - H01S5/028
- 本申请公开了一种半导体激光器件及其谐振腔面钝化膜、制作方法，该谐振腔面钝化膜包括：钝化层，直接覆盖在半导体激光器件的谐振腔面；保护层，覆盖在所述钝化层上，该保护层是采用化学浴沉积法形成的宽带隙半导体材料。通过上述方式，本申请能够使谐振腔面钝化膜长时间有效，提升半导体激光器件抵抗灾变性光学镜面损伤能力，提升半导体激光器件最高输出功率，进而保证半导体激光器件的可靠性，延长半导体激光器件的使用寿命。
- 腔面镀膜方法及半导体激光器-202210850068.3
- 刘中华;李颖;惠利省;杨国文 - 度亘激光技术（苏州）有限公司
- 2022-07-20 - 2022-11-25 - H01S5/028
- 本发明提供一种腔面镀膜方法及半导体激光器，涉及镀膜技术领域，腔面镀膜方法包括以下步骤：在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层；在芯片所处空间温度小于第一温度且避光条件下，将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片转移至蒸镀腔室；在蒸镀腔室内去除热分解材料层和光分解材料层。新鲜的腔面暴露时，在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层，光分解材料层和热分解材料层作为保护层保护腔面，将芯片转运至蒸镀腔室后，在镀膜之前去除光分解材料层和热分解材料层，最后腔面上直接进行镀膜，既能够达到腔面保护的目的，又不会改变膜层结构，消除保护层在镀膜中的影响，能够使芯片保持原有性能。
- 一种边发射激光器芯片-202221607467.9
- 李明欣;宋云菲;魏明 - 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
- 2022-06-23 - 2022-11-22 - H01S5/028
- 本申请提供一种边发射激光器芯片，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的外延结构，所述外延结构包括有源层、位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的第一类型半导体层、以及位于所述有源层和所述半导体衬底层之间的第二类型半导体层；设置在所述第一类型半导体层沿着出光方向的一侧边缘的第一凹槽，以及覆盖所述第一凹槽侧壁的第一钝化层；所述第一钝化层的折射率小于所述第一类型半导体层的折射率，所述第一钝化层与所述第一类型半导体层等效形成光学透镜。本申请的边发射激光器芯片对出射光束产生汇聚效应，从而降低发散角。
- 专利分类
